具有等离子体脉冲以防止电荷损坏的空间原子层沉积腔室制造技术

在等离子体增强空间原子层沉积腔室中处理基板的设备及方法。基板移动经过一或更多个等离子体处理区域及一或更多个无等离子体处理区域，同时等离子体功率被脉冲化以防止基板上的电压差超过基板的破坏电压或基板上正形成的装置的破坏电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有等离子体脉冲以防止电荷损坏的空间原子层沉积腔室
本揭示内容大体涉及沉积薄膜的设备及方法。特定言之，本揭示内容涉及使用利用脉冲射频(RF)等离子体的等离子体增强空间原子层沉积来沉积薄膜以防止电荷损坏的设备及方法。
技术介绍
半导体装置在空间等离子体增强原子层沉积(PEALD)处理期间由于不均匀的等离子体暴露所引起的电荷累积而损坏。在空间PEALD处理中，一或更多个半导体晶片在处理腔室的各种处理区域中移动。一些处理区域将包含具有高能物种的等离子体，而其他区域是纯化学区域(亦即，无等离子体激发)。由于产量及建设问题，等离子体连续存在于等离子体区域中，而晶片进出这些等离子体区域。此举产生了只有晶片的一部分被等离子体覆盖的状况，从而在晶片上诱发不均匀的电位。此种电位不均匀性导致电荷累积，其可能损坏正在处理的装置。可降低RF功率以便不产生超过破坏电压(breakdownvoltage)的电位梯度。然而，此种方式会降低处理速度，从而降低处理工具的整体产量。另一种方法是增加等离子体区域的尺寸以使整个晶片覆盖在等离子体下。将使用停止-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理方法，包括以下步骤：/n将基板定位在批次处理腔室内，所述批次处理腔室包括由气幕分开的多个处理区域，所述基板具有破坏电压；/n使所述基板从没有等离子体的第一处理区域移动到具有等离子体的第二处理区域；及/n使所述第二处理区域中的所述等离子体的功率脉冲化，以防止所述基板上的电压差超过所述破坏电压。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171213 US 62/598,4471.一种处理方法，包括以下步骤：
将基板定位在批次处理腔室内，所述批次处理腔室包括由气幕分开的多个处理区域，所述基板具有破坏电压；
使所述基板从没有等离子体的第一处理区域移动到具有等离子体的第二处理区域；及
使所述第二处理区域中的所述等离子体的功率脉冲化，以防止所述基板上的电压差超过所述破坏电压。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述处理区域所具有的尺寸小于所述基板的尺寸。


3.如权利要求1所述的方法，其中所述基板移动的速度足以使得所述基板上的任何给定点暴露于所述第二处理区域达在约100毫秒至约500毫秒的范围内的时间。


4.如权利要求2所述的方法，其中所述时间为约200毫秒。


5.如权利要求1所述的方法，其中使所述功率脉冲化的步骤包括以下步骤：在ON时间对所述等离子体供应功率并在OFF时间不供应功率。


6.如权利要求5所述的方法，其中所述ON时间:所述OFF时间在约4:6至约6:4的范围内。

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【专利技术属性】
技术研发人员：T·塔纳卡，德米特里·A·季利诺，亚历山大·V·加拉琴科，田中庆一，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US