【技术实现步骤摘要】
用于高温处理的具有金属结合背板的静电定位盘组件本申请是申请日为2016年1月15日、申请号为“201680028164.2”、专利技术名称为“用于高温处理的具有金属结合背板的静电定位盘组件”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的一些实施例总体上涉及可用于高温处理的基材支撑组件和静电定位盘组件。
技术介绍
静电夹盘广泛用于在处理腔室处理基材期间固持基材，诸如半导体晶片，以用于各种应用，诸如物理气相沉积、蚀刻或化学气相沉积。静电夹盘一般包括嵌入在单一夹盘主体内的一个或多个电极，该单一夹盘主体包括电介质或半导体陶瓷材料，跨该电介质或半导体陶瓷材料可产生静电夹持场。静电夹盘较机械夹持装置与真空卡盘有数个优点。例如，静电夹盘可减少机械夹持引起的应力诱发的裂痕、允许更大面积的基材暴露出以供处理(很少或无边缘排除)，并可用于低压或高真空环境。此外，静电夹盘可更均匀将基材固持在夹持表面，以允许对基材温度的更大程度的控制。用于制造集成电路的各种工艺可能需要高温和/或大温度范围来进行基材处理。然而，在蚀刻工艺中，静...
【技术保护点】
1.一种静电定位盘组件，包含：/n上定位盘板，包含AlN或Al
【技术特征摘要】
20150519 US 62/163,805;20150819 US 14/830,3891.一种静电定位盘组件，包含：
上定位盘板，包含AlN或Al2O3且具有第一热膨胀系数，所述上定位盘板进一步包含一个或多个加热元件和一个或多个电极以用于静电固定基材；
下定位盘板，由第一金属结合剂结合至所述上定位盘板，所述下定位盘板包含具第二热膨胀系数的材料，所述第二热膨胀系数大致匹配所述第一热膨胀系数；及
背板，由第二金属结合剂结合至所述下定位盘板，所述背板包含AlN或Al2O3，其中所述背板的外壁的至少一部分涂覆有金属涂层。
2.如权利要求1所述的静电定位盘组件，其中所述上定位盘板具有约3-10mm的第一厚度，所述背板具有约3-10mm的第二厚度，并且所述下定位盘板具有等于或大于所述第一厚度与所述第二厚度的第三厚度。
3.如权利要求2所述的静电定位盘组件，其中所述第一厚度大致等于所述第二厚度。
4.如权利要求1所述的静电定位盘组件，其中所述静电定位盘组件可在高达300℃的温度下操作，而不会损坏所述静电定位盘组件。
5.如权利要求1所述的静电定位盘组件，其中所述下定位盘板具有第一外径，所述第一外径大致等于所述背板的第二外径。
6.如权利要求1所述的静电定位盘组件，进一步包含：
在所述背板的外壁上、所述金属涂层上方的耐等离子体的陶瓷涂层。
7.如权利要求1所述的静电定位盘组件，进一步包含：
埋头孔通孔，钻进所述下定位盘板；以及
金属保护插塞，插入所述埋头孔通内，其中所述金属保护插塞保护所述埋头孔通孔的内部免于暴露于一种或多种气体。
8.如权利要求1所述的静电定位盘组件，进一步包含：
冷却板，耦接至所述背板；以及
垫片，置于所述冷却板的顶侧上，其中在所述冷却板与所述背板之间压缩所述垫片，并且其中所述垫片当作所述冷却板与所述背板之间的热阻。
9.如权利要求1所述的静电定位盘组件，其中所述下定位盘板包含a)钼、b)包含Si、SiC与Ti的金属基质复合物或c)渗入AlSi合金的SiC多孔体中的至少一者。
10.一种静电定位盘组件，包含：
上定位盘板，包含AlN或Al2O3且具有第一热膨胀系数，所述上定位盘板进一步包含一个或多个加热元件和一个或多个电极以用于静电固定基材；
下定位盘板，由第一金属结合剂结合至所述上定位盘板，所述下定位盘板包含具第二热膨胀系数的材料，所述第二热膨胀系数大致匹配所述第一热膨胀系数；及
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