一种制造具有不同栅极绝缘厚度的晶体管的方法，包含：　　　　在由硅所组成的基材３０上形成牺牲层３４；　　　　执行湿式蚀刻处理以移除该牺牲层３４；　　　　于移除该牺牲层３４后植入氟原子于该基材３０所选择的部分中；以及　　　　执行热氧化处理以...

一种自行对准硅化物工艺，其可在一受控的反应中，允许一低热预算，并形成一些尺度小的硅化物区域（６４，６６）。在一第一温度处理中，一镍金属或镍合金（５２），将与一硅材料（４６）反应，以形成至少一高电阻硅化镍区域（５６，５８）。未反应的镍（５...

提供一种改善晶体管性能的半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造是通过离子注入（３１）将掺杂剂注入氧化物衬垫（３０）以防止或充分减少掺杂剂自源极／漏极的浅层延伸部（２３）扩散出来。具体实施例包含离子注入Ｐ型掺杂剂，例如Ｂ或ＢＦ↓［２］，...

本发明是关于一种ＭＯＳ晶体管结构（２００，２１０，４００），和一种制造方法（３００，５００），提供高ｋ电介质栅极绝缘体（２０２，４０２）以降低栅极漏电流并同时减少远处散射，由此改善晶体管载流子迁移率。

透过于下层硅化物（２２、２６）与硅化镍层（６３、６４）间形成扩散控制层（６１、６２）以实现具有显著降低界面不平整的硅化镍（６３、６４）结构。其包含离子植入氮（３１、３２）至该基材（２０）以与栅电极（２２）中，沉积钛或钽薄层（４０），沉积...

一种具有应变膜（１４）的绝缘体上硅装置，包括基板（１０）以及在该基板（１０）上的埋藏氧化物层（１２）。硅岛（１８）系形成于该埋藏氧化物层（１２）上，并且藉由沟槽（１６）而将该硅岛（１８）彼此隔开，该埋藏氧化物层（１２）具有在该沟槽（１６...

在一说明实施例中，一种方法包括：提供由主动层、埋藏绝缘层、和原基板所构成的ＳＯＩ基板；在该主动层下方的原基板中形成掺杂质区域；在该掺杂质区域上方的区域中，于该ＳＯＩ基板上方形成数个晶体管；以及施加电压至该掺杂质区域，以改变该数个晶体管中...

在某一说明性实施例中，本方法包含：在具有体衬底（ｂｕｌｋ　　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、埋入绝缘层（３０Ｂ）与有源层（３０Ｃ）的ＳＯＩ衬底（３０）上形成栅极电极（３４），栅极电极（３４）具有形成其上的保护层（３４Ａ）；以及在形成栅极电极（３４...

本发明揭示一种过程控制系统用的动态目标设定方法及装置。于一批工件中的第一工件上基于一过程目标设定施行一过程步骤。该过程目标设定包含与该第一工件的目标特性有关的至少一参数。取得与该第一工件的处理有关的制造数据。该制造数据包含有关该已处理第...

本发明揭示一种双金属镶嵌过程方法，包括于含有单层的电介质材料的绝缘结构中形成多个通孔开口；并同时（ｉ）于绝缘结构中形成多个沟道，各沟道沿着一群通孔开口大致形成的直线而定位，和（ｉｉ）使用散射仪系统监控沟道的形成以判定沟道深度，以及当达到...

一种用于形成集成电路的方法（６００），包括在第一半导体基板（２０２）的半导体装置（３１７）上于介电材料（３２２）中蚀刻第一开口（２２８）（３３８）（４０２）至第一深度并且在该第一半导体基板（２０２）上于该介电材料（３２２）中蚀刻第二开口...

一硬质屏蔽叠包括交替的掺杂非晶形碳层（２２）和无掺杂非晶形碳层（２０）。无掺杂非晶形碳层（２０）系作为抑止掺杂非晶形碳层（２２）中压缩应力影响用的缓冲层以防止剥离。该堆栈具有一上封盖物质层（１２）。在封盖物质层（１２）之下最好系无掺杂非...

一种在半导体装置制造过程中预测该半导体装置（２００）的电气参数的方法。提供与该半导体装置（２００）相关的初始特性值的向量（１２４），用所收集的特性值的至少一个子集更新该向量（１２４，１２６）。根据该更新向量（１２４，１２６）模型化该半导...

一种垂直双栅极ＭＯＳＦＥＴ（ＦｉｎＦＥＴ）器件使用应变硅来改良载流子迁移率。在一种方法中，将ＦｉｎＦＥＴ基体（４６）图形化形成一层覆盖于电介质层上（４０）的硅锗（ＳｉＧｅ）（４２）。接着在该硅锗ＦｉｎＦＥＴ基体（４６）上形成硅外延层（３...

一种用于在互连阶段执行工艺控制的方法和装置。在工件上进行工艺步骤。取得工件上与互连位置有关的制造数据。按照该制造数据进行互连特征控制过程。该互连特征控制过程包括控制关于与该工件互连位置有关的结构的工艺，以控制与该互连位置相关的特征。

ＭＯＳＦＥＴ栅极或ＭＯＳＦＥＴ源极或漏极区域包括硅锗或者多晶硅锗。以镍进行硅化，以形成镍锗硅化物（６２，６４），该镍锗硅化物较佳地包括镍硅化物的单硅化物相。硅化物中包含的锗在形成单硅化物相的期间内，提供了较宽的温度范围，而却实质地维持了...

一种方法包括根据操作程序至少执行一种工艺以形成半导体装置上的结构。测量特征的一种电特性。所测得的电特性和目标值的电特性相比较。根据其比较结果至少决定一个操作程序的参数。一种包括工艺工具（３０至８０、２００、２１０、２２０、２３０）、量测...

本发明提供可促进制程执行的系统和方法。集合关键参数的值作为品质矩阵，该品质矩阵根据参数对于一个或多个设计目标的重要性而加权各个参数。通过根据诸如产品设计、仿真、测试结果、产率数据、电气数据等信息的系数来加权各关键参数。本发明然后能够开发...

一种半导体装置包含一场效应晶体管（２５０）与一被动电容器（２４０），其中该电容器（２４０）的电介质层（２２１ａ）包含高ｋ（高介电常数）材料，而该场效应晶体管（２５０）的栅极绝缘层（２３１）则由超薄氧化物层或者氧氮化物层所形成，以便提供用...

一种场效应晶体管（３００）包括包含非等向性介电物的栅极绝缘层（３０５）。该方向经由选择使得平行于该栅极绝缘层的第一介电常数为实质上小于垂直于该栅极绝缘层的第二介电常数。