一种负载板进给器［２００］固定到一个测试头［３１０］的中心部位。这负载板进给器［２００］使用一个抬起机构［４５］控制一个设置块件［４０］于垂直方向的移位。一个负载板［３２５］置放在这设置块件［４０］之上，以及一个定位装置［５０］置放在这...

监视用于测试ＩＣ组件的测试站的各节点以便侦测任何非期望直流瞬态的发生。用于测试ＩＣ组件的测试站包含有在ＩＣ组件的测试期间用于固定ＩＣ组件的测试板、用于偏压ＩＣ组件的至少一个的电源供应器、和用于提供耦接至ＩＣ组件的驱动信号的信号驱动源。避...

根据一示范具体实施例，一种在导体的焦耳热与导体的电流密度之间建立关系的方法，系经由进行晶圆层次测量所实施（５００）。根据本示范具体实施例，进行晶圆层次测量，以达到导体里的电阻的温度系数（１１８，５０２）。该方法同样包括决定该导体的热电阻...

本发明揭示了同步（ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ）测试一集成电路中包含的多个核心的方法及系统的各实施例。在一个实施例中，集成电路可包含两个或更多个逻辑核心。该ＩＣ亦可包含耦合到该核心的结构扫描测试硬件。该结构扫描测试硬件可执行下列动作：将...

一种在薄膜沉积期间于沉积室中自动控制金属薄膜的厚度的新方法。该方法包含产生射向沉积室中的在晶片上沉积的金属薄膜的Ｘ射线束，且探测该金属薄膜的Ｘ射线荧光。将依据该探测到的Ｘ射线荧光所确定的金属薄膜的厚度与该预设值相比较，若该所确定的厚度小...

一种结合控制器（２５０）而操作的电镀工具（２００），该控制器自动决定用于该镀覆工具的多阳极配置（１０２Ａ、…１０２Ｎ）的个别的电流。该阳极电流的计算可以依据敏感度数据及测量数据以及依据所需的目标轮廓，以便即使对于具有多个工艺室的镀覆工具...

一种用于铜金属喷涂期间化学机械抛光（ＣＭＰ）钽障壁的浆液，含有抑制沉淀物及铜污物形成的有机添加剂。该有机添加剂选自对二氧化硅或铜的表面形成多重强吸附剂键的一类化合物，其提供对反应性物种的高表面覆盖度，由而占据潜在反应位置，且其尺寸能立体...

为了简化为将半导体芯片等物品运往装配工厂而进行的准备与包装过程，这些物品放置于托盘中。一个Ｏ圈或类似的衬垫设置于各托盘之间（其中上方的托盘当作下方的托盘的上盖）。该弹性组件具有一个预设的形状和结构，以保持托盘间的间隙或非密封状态，使得托...

本发明利用绿色激光标记单一个体物件，例如封装半导体元件，藉以相较于现有的红外线激光，本发明扩大材料能标记的范围。

在依照本发明的系统和方法中，使用从垫调节系统的驱动组件来的传感器信号，譬如马达电流信号，来控制ＣＭＰ系统，以补偿耗材状况的改变，由此增强过程稳定性。

本发明揭露出衬底（１２１）的化学机械式抛光（ＣＭＰ），而且特别是，金属化层的化学机械式抛光所用的方法与控制器（１５０）。在ＣＭＰ工艺的线性模型中，要处理的金属化层的蚀减通过该过度抛光时间计算，并可能由用来抛光该介电层的个别抛光平台上的额...

在本发明的系统与方法中，源自垫调节系统的驱动组件的传感信号，例如电机电流信号，被用来估计化学机械研磨（ＣＭＰ）系统内的一个或更多的消耗品（１１３）的状态。

本发明涉及激光标记加工机（１６）的灰烟清除。在系统方面，该系统包含在操作上符合孔达效应（ＣｏａｎｄａＥｆｆｅｃｔ）的真空组件（２０、２２及２４），以透过吸力清除来自激光标记加工机（１６）的灰烟。该系统更包含连接至真空组件（２０、２２及...