通过使用加权实体状态（ｗｅｉｇｈｔｅｄ　ｅｎｔｉｔｙ　ｓｔａｔｅ）来代表丛集工具的状态，而提供了一种用来测量及监视诸如可靠度、可利用度及可维修度的丛集工具特性的高效率技术。例如，可根据该丛集工具的个别实体的产能而将所述实体加权，并可根据...

本发明揭示一种评估晶圆架构制成过程的方法，此方法包括真实掩模图案轮廓的提取，以及使用真实掩模图案以获得一种仿真晶圆架构（３５０′）的光刻制程的仿真。该真实掩模图案轮廓的提取可以包括，例如，将使用一种扫描式电子显微镜（ＳＥＭ）（１０５）的...

根据本发明的一方面，光阻剂涂层中的针孔缺陷是通过简短地加热该光阻剂使光阻剂流动并且填补针孔。该光阻剂加热至或高于该光阻剂流动的温度达一段长到使该光阻剂能流动并且填补针孔缺陷的时间，但不得使该光阻剂图案走样。该原始的光阻剂图案可能会偏移而...

一种制造衰减极端紫外（ＥＵＶ）相移掩模（６０）的示例性制造方法，其包括在集成电路基片（３２）或空白掩模上提供一多层镜片（３４），在该多层镜片（３４）上提供一层缓冲层（３６），在该缓冲层（３６）上提供一种双元素物质层（３８，４０），以及当...

一种光学监视器，其是包括一本体，该本体具有第一复数条平行、实质上不透明且彼此间具有间隙而相分离的线，以及第二复数条平行、实质上不透明且彼此间具有间隙而相分离的线，且介于该第一复数条线与第二复数条线的间具有相对小的角度。当第一复数条线的影...

本发明揭示一种将第一边界区域加到界定为多边形的０相位图案的各末端，而将第二边界区域加到１８０相位图案的各末端的技术。此技术可改善线末端图案界定和改善制造能力和图案化工艺界限。此增加的边界区域平衡线末端两侧的光而造成更可预测的最终光阻图案。

一种在１８０相区域周围形成铬界线以增强透明电场相位移光罩的方法，该方法实施例包括：界定１８０度相图案边缘，扩充该些边缘，以及藉由铬以合并该扩充部分。另一方法实施例包括：特大化与缩小化１８０相资料，检选不同的部分，以及藉由铬以合并该不同部...

本发明披露一种在次光刻尺度图案化细微结构的集成电路制造方法。该制造方法包括接续地曝光具有光碱产生剂和催化量的水的芳基烷氧基硅烷的薄膜。该薄膜涂层在设在基材上的现有的亲脂性光阻层上方，并以第一及第二光刻波长的辐射来曝照。该第一光刻波长短于...

本发明提供一种控制光刻工艺的方法，其包含于选择的晶片上形成第一层。测量与该第一层相关的第一覆盖误差。在形成于第一晶片上的第二层上执行的光刻工艺的操作准则中，至少有一项参数系由至少该第一覆盖误差测量值所决定。工艺路线（１００）包含光刻机台...

一种使用无定形碳层（１３０）来改善光栅制造的方法包括：将包括一基板（１１０）、一吸收剂（１２０）、一输送层（１３０）、一抗反射涂层（１４０）、以及一光阻层（１５０）的叠层沉积；将该光阻层（１５０）图案化（４５）；以及将该ＡＲＣ层（１４０...

一种将边界区域添加至界定有多边形０相位图案的平行边缘外侧的方法。该方法可降低光学距离校正（Ｏｐｔｉｃａｌ　　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ，ＯＰＣ）需求，并改善集成电路的制造与图案化制造过程窗口。该方法亦可同时设置０相位与１...

一种监视浸润光刻系统（１０）的方法，于此系统（１０）中晶片（１２）能浸润于液态浸润媒介（２４）中。该方法检测于浸润媒介中曝光图案设为在其中横越的浸润媒介的体积的折射率，而确定该折射率是否适合以曝光图案将晶片予以曝光。本发明还披露一种用于...

一种监视沉浸光刻系统（１０）的方法，其中，晶片（１２）可以被浸入液体沉浸介质（２２）中，用于通过曝光图案进行曝光。该方法对沉浸介质中杂质的存在进行检测，以便由此确定该沉浸介质是否处于可接受使用曝光图案来曝光晶片的状态。用于沉浸光刻系统的...

本发明涉及检查方法和系统，其用于提供一种检查晶圆（９００，１２５０）的最佳方式。此方法和系统包含有晶圆与光罩对准，层与层对准以及晶圆表面特征检查。通过在已有的对准记号（１０２，１０４，２１０Ａ，２１０Ｂ，２１０Ｃ，２１０Ｄ）上增加额外的...

一种使用具有发出曝光图案（２４）的透镜（３２）的光刻系统（１０）制造装置的方法。兼容浸渍媒质（２６）可位在光敏抗蚀（光刻胶）层（３４）与透镜之间。光刻胶层（其可设置在晶片上）与透镜可与兼容浸渍媒质密切接触。然后以曝光图案穿透兼容浸渍媒质...

本发明提供一种在集成电路器件（１０）的接触层（５６）中形成多个接触孔（２０、２４）的方法，其中该多个接触孔（２０、２４）包含具有沿着第一方向以第一节距规则间置的多个接触孔（２０）及具有沿着第二方向以第二节距间置的多个局部隔离的接触孔（２...

一种产生照射器（１４）的照射强度轮廓的系统（３０）及方法，该照射器（１４）形成投射光刻系统（１０）的一部分。投射由该照射器产生的辐射至具有多个开孔（３４）的照射轮廓掩膜（３２）上，使得每个开孔都递送该辐射的特定部分。检测辐射的每个特定部...

借着使用如色谱分析（ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）与吸收光谱的高效率检测技术，可验证一或多种污染物及可定量地决定其浓度。以这种方式，对如光罩（ｒｅｔｉｃｌｅ）与透镜的曝光工具的关键元件的不利效应，以例如沉积无机盐的形式，可显著地降低，而...

揭露一种使用固态浸没透镜的微影术。于一实施态样中，提供一种包含具有第一面和第二面之抗蚀膜（ｒｅｓｉｓｔ　　ｆｉｌｍ）的装置，其中，该第二面为第一面的相对面。将一个或多个固态浸没透镜设置于该抗蚀膜的第一面之上。于另一实施态样中，提供一种制...

本发明提供一种用以改善光刻成像系统的工艺范围的系统及方法。工艺范围改善是通过数个离散的辅助特征的新颖布置及／或利用禁用间距（ｆｏｒｂｉｄｄｅｎ　　ｐｉｔｃｈ）和特定的间距方向而达成（１３１０，１３１２）。本发明使用新颖的几何形状，其利用...