一种半导体结构，包括鳍片（２０５）和形成于该鳍片上的层（３０５）。该鳍片（２０５）包括具有矩形横剖面和许多表面的第一结晶材料。该层（３０５）形成于该等表面上并包括第二结晶材料。该第一结晶材料较的该第二结晶材料具有不同的晶格常数，以令该层...

一种三栅极（ｔｒｉ－ｇａｔｅ）金属氧化物半导体场效应晶体管（２００），包括鳍部结构（３１０）、形成于邻接该鳍部结构（３１０）的第一侧边的第一栅极（４１０）、形成于邻接该鳍部结构（３１０）相对于该第一侧边的第二侧边的第二栅极（４２０）、以...

一种有机存储单元的制造方法，包含：　　　　提供第一电极；　　　　在该第一电极上形成含促进导电性的化合物的无源层；　　　　使用旋涂技术在无源层上形成有机半导体层，该旋涂技术包含在有机半导体层上施敷以下物质的混合物：ｉ）共轭有机聚合物、共轭...

本发明公开了一种具有金属化系统的半导体组件（１０）以及用于制备该半导体组件（１０）的方法，该金属化系统包含薄的保形的多层阻挡层结构（６０）。介电材料层（３０，３４）形成在较低层的互连之上。硬掩模（３６）形成在介电层（３０，３４）之上，并...

一种具有小于６纳米的沟道宽度的窄沟道鳍式场效晶体管（ＦｉｎＦＥＴ）。该ＦｉｎＦＥＴ可包含一鳍片（１４０），其中是利用氨水（ＮＨ↓［４］ＯＨ）蚀刻或活性离子蚀刻（ＲＩＥ）来削减该沟道区。

一种形成绝缘层的方法，该方法包括：　　　　在可氧化衬底上形成具有初始厚度（２１０）的介电层（２０２）；　　　　将氮导入至该介电层（２０２）；以及　　　　依据局部氮浓度而局部增加该介电层（２０２）的初始厚度。

一个示例性实施例涉及一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）的方法。该方法包括提供其上形成有栅极（５４）的基片（４０）并且至少进行以下沉积步骤中的一种：沉积隔片层并在位于基片（４０）上的硅层（４２）之上的栅极（５４）与栅极绝...

一种制备集成电路（ＩＣ）的方法使用了浅槽隔离（ＳＴＩ）技术。该浅槽隔离技术用在应变硅（ＳＭＯＳ）工艺中。沟槽的衬里是由在低温过程中所沉积的半导体层或金属层而形成的，而低温过程减少了锗的释气。该低温过程可以是ＣＶＤ过程。

一种半导体器件，包括第一鳍状结构（８１０）、第二鳍状结构（８１０）及第三鳍状结构（２１０）。该第一及第二鳍状结构（８１０）包括单晶硅材料。该第三鳍状结构（２１０）位于该第一及第二鳍状结构（８１０）之间，其包括介电材料。该第三鳍状结构（２...

一种制备ＦｉｎＦＥＴ装置（１００）的方法包括在绝缘层（１２０）上形成鳍结构（２１０）。该鳍结构（２１０）包括导电鳍。该方法还包括形成源极／漏极区（２２０／２３０）并在鳍（２１０）上形成虚拟栅极（３００）。可去除该虚拟栅极（３００），并可...

一种在包含介电层（２０２）的基片（２０１）之上沉积金属的方法，所述介电层（２０２）具有形成在其中的图案化区域（２１０）和基本上未图案化区域（２０６），所述方法包括：　　　　将所述基片暴露于电解液浴中，以用由下至上的技术将金属（２０７）非...

本发明公开了一种形成具有功函数可控的金属栅极（３０）的半导体结构的方法，所述方法包括形成前身结构的步骤，所述前身结构具有有源区（１２）被沟道所分隔的基片（１０），以及在沟道之上和在介电层（２０）之内的临时栅极（１６）。去除临时栅极（１６...

用硅化物阻隔层（１２０）掩盖所形成的覆在半导体衬底之上的电阻结构（１０２），以定义不硅化的电阻结构部分和硅化的电阻结构部分。改变硅化物阻隔层（１２０）以促进不同的过程。

一种用于形成集成电路的方法（６００），包括：　　　　在第一半导体衬底（２０２）上的半导体器件（２１３）（３１７）上方于介电材料（２１６）（３２２）中蚀刻第一开口（２２８）（３３８）（４０２）至第一深度；　　　　在所述第一半导体衬底（２０...

一个制造金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）型态的半导体组件的方法包含将沉积于整个沟道上的栅极材料（３２０）平坦化的步骤。该平坦化步骤以包含初始的即“粗略的”平坦化和随后的“精细的”平坦化的多步骤制造过程的方式施行。用来作精细平...

一种非易失性存储器件（１００）包括衬底（１１０）、绝缘层（１２０）、鳍（２１０）、许多介电层（３１０－３３０）和控制栅极（５１０／５２０）。绝缘层（１２０）形成在衬底（１１０）上，而鳍（２１０）则形成在绝缘层（１２０）上。介电层（３１０...

本发明公开了一种适用于集成电路中的应变半导体器件，以及一种用以制造该应变半导体器件的方法。从绝缘体上半导体的衬底形成台面隔离结构。在该台面隔离结构上形成栅极结构。该栅极结构包含配置在栅极电介质材料上的栅极，并具有两组相对侧壁。在台面隔离...

一种动态调整一批工件（１０５）度量路由的方法及设备。该方法是包括使用加工工具（６１０）对一批工件（１０５）执行加工工艺，对该加工工具（６１０）执行一工具状态分析，以及依据该工具状态分析执行动态度量路由调整程序，该动态度量路由调整程序还包...

本发明一般涉及根据电性测试数据（４６）控制栅极绝缘层（１６）的性能及特征的各种方法，以及执行该方法的系统。在一个示意性实施例中，该方法包括对至少一个半导体器件执行至少一个电性测试，根据从该电性测试所获得的电性数据确定至少一种工艺操作的至...

一种在通孔中制造聚合物存储器件的方法，包括下列步骤：　　　　提供半导体衬底，该半导体衬底上具有至少一个含金属层；　　　　在该含金属层上形成至少一个电介质层；　　　　在该电介质层中形成至少一个通孔，以露出该含金属层的至少一部分；　　　　在...