本发明涉及用于适应性度量采样计划的多种方法以及系统，是可应用于监控多种工艺中。例如，此方法包含：产生多个度量采样规则，将采样加权值分配给各该度量采样规则，确认满足至少一个该度量采样规则的至少一个工件，当确认的工件满足该规则时将该采样加权...

一种通过先在漏级和源极区域（２０８）定义前形成植入屏蔽（２２０），可有效地独立将栅极掺杂物浓度与漏级和源极的掺杂物浓度。除此的外，在植入屏蔽（２２０）移除后，栅极电极的横向大小可由已为现有的侧壁间格层（２０７）技术来定义，提供一个相对于...

依据本发明的范例实施例，位于基板（１０４）上的场效应晶体管（ＦＥＴ）含有位于该基板（１０４）中的沟道（１１２）。该ＦＥＴ更进一步包含位于该沟道（１１２）上的第一栅极介电质（１１６），该第一栅极介电质（１１６）具有第一热膨胀系数。该ＦＥＴ...

依据一个示意性的实施例，提供一种在衬底（２０２）上整合第一（２０６）与第二金属层（２０８）以形成双金属ＮＭＯＳ栅极（２２６）及ＰＭＯＳ栅极（２２８）的方法，该方法包括在衬底（２０２）的ＮＭＯＳ区域（２１０）与ＰＭＯＳ区域（２１２）上沉积...

本发明提供一种形成集成电路（１００）的方法（９００）及该集成电路（１００）的结构。栅极电介质（１０４）形成在半导体衬底（１０２）上，并且栅极（１０６）形成在该栅极电介质（１０４）上方。浅源极／漏极结（３０４，３０６）形成在该半导体衬底（...

本发明揭示一种用于碳硬掩模层的二氧化硅盖层的形成方法，以用于图案化具有５０纳米及更小的临界尺寸的多晶硅层特征。为此目的，使用低温等离子体增强ＣＶＤ过程，其中保持低沉积速率以改善层厚度的可控制性，从而改善二氧化硅层的光学特性。

本发明公开由两个电极（１０６，２０２，１０８，２０４）所构成的存储单元（１０４），该两个电极之间具有可控制导电介质。可控制导电介质（１１０）含有有源低导电层（１１２）和无源层（１１４）。若于可控制导电介质（１１０）上施加外界刺激如施加电...

根据一个实施例，一种存储单元结构包含半导体衬底（２１０）、位于该半导体衬底上方的第一氧化硅层（２１５）、位于该第一氧化硅层上方的电荷储存层（２２０）、位于该电荷储存层上方的第二氧化硅层（２２５）、以及位于该第二氧化硅层上方的栅极层（２３...

本发明通过在譬如场效应晶体管栅极电极的含硅区域中形成掩埋的硅化镍层（２６０Ａ），接着形成硅化钴层（２６１Ａ），而可结合两种硅化物的极优特性，以便提供进一步按比例缩小器件的潜力，而不会不适当地损害经按比例缩小的硅电路特征的薄层电阻和接触电阻。

一种有机存储装置，包括：　　　　有机半导体材料，用以储存信息；　　　　被动层，邻接该有机半导体材料，其中该被动层促进该信息的储存；　　　　二个电极，将该有机半导体材料夹在中间，以存取该有机半导体材料，该有机半导体材料包括非极性链和反应端...

本发明描述具有减轻短沟道效应的存储单元。源极区域（５４）及漏极区域（５６）形成在半导体衬底（５８）之内。沟区域（５９）形成在该源极区域及该漏极区域之间。凹陷的沟道区域（５２）形成在该沟区域、该源极区域及该漏极区域的下方。栅极介电层（６０...

在极微缩半导体装置中的外延生长半导体区域的高度可在不同装置区域中实行的两个或两个以上的外延生长步骤进行各别调整，其中，在特定装置区域，外延生长掩模选择性阻止半导体区域的形成。在其它实施例中，可对两个或两个以上的不同区域使用一般外延生长制...

依据一示范实施例，在衬底（１０４）上形成场效应晶体管的方法，衬底包含位于其上的高Ｋ介电层以及位于高Ｋ介电层上的栅电极层，此方法包括蚀刻（２０２）步骤，蚀刻（２０２）栅极介电层和高Ｋ介电层以形成栅极堆叠（１０２），栅极堆叠包含位于该衬底（...

一种多沟道半导体装置具有已完全或部分耗尽的量子井，并且对于超大型积体装置内，像是互补式金氧半晶体管（ＣＭＯＳＦＥＴ），是特别有用的。例如，多沟道区域（１５）设置在衬底（１２）上，并具有形成于最上端沟道区域（１５）上的栅极电极（１６），其...

一种用于形成金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）（２００）的方法包含形成鳍区域、源极区域及漏极区域于衬底上、形成鳍（３１０）于该鳍区域内及形成掩模（３２０）于该鳍区域内。该方法更包含蚀刻该掩模（３２０）以暴露出该金属氧化物半导体...

依照一个范例实施例，一种在半导体芯片中的硅化物层（２１４）之上形成接触的方法，包括步骤：在接触孔（２０８）侧壁（２０６、２０７）上和在位于接触孔（２０８）底部的自生氧化物层（２１０）上沉积阻挡层（２０２），其中该侧壁（２０６、２０７）由...

本发明系提供一种具有半导体衬底（１０２）的陡接面装置（１００）的形成方法。在半导体衬底（１０２）上形成（１１０４）栅极电介质（１０４），且在栅极电介质（１０４）上形成（１１０６）栅极（１０６）。在邻近于栅极（１０６）及栅极电介质（１０４...

一种利用应变硅（ＳＭＯＳ）衬底（２０）的集成电路制造方法。该衬底（２０）利用于基层中的沟槽（３６）以诱发层中的应力。该衬底可包括硅。该沟槽（３６）于主要衬底之后侧或绝缘层上覆半导体晶圆上形成有多个柱状体（３５）。

一种半导体装置和制造此种半导体装置的方法，系藉由在衬底（３０）和在栅极电极（３２）之上沉积间隔物层（３４）而形成间隔物（４６），并于间隔物层（３４）上形成保护层（４２）。干蚀刻该保护层（４２）以留下薄膜侧壁于间隔物层（３４）上。然后蚀刻...

一种形成鳍式场效应晶体管的方法包含下列步骤：形成鳍状物（２０５）；以及在邻接该鳍状物（２０５）的第一末端处形成源极区（２１０），并在邻接该鳍状物（２０５）的第二末端处形成漏极区（２１５）。该方法进一步包含下列步骤：在该鳍状物（２０５）之...