藉利用硅化物生长掺杂物雪耙效应于装置中形成陡接面制造方法及图纸

本发明专利技术系提供一种具有半导体衬底（１０２）的陡接面装置（１００）的形成方法。在半导体衬底（１０２）上形成（１１０４）栅极电介质（１０４），且在栅极电介质（１０４）上形成（１１０６）栅极（１０６）。在邻近于栅极（１０６）及栅极电介质（１０４）的半导体衬底（１０２）上形成侧壁间隙壁（２００）。藉由在邻近于侧壁间隙壁（２００）的半导体衬底（１０２）上选择性外延成长形成（１１１０）加厚层（３００）。在加厚层（３００）的至少一部分中形成（１１１２）隆起的源极／漏极掺杂物注入区域（４０２，４０４）。在隆起的源极／漏极掺杂物注入区域（４０２，４０４）的至少一部分中形成（１１１４）硅化物层（６０２，６０４）以在硅化物层（６０２，６０４）之下形成源极／漏极区域（６０６，６０８），该源极／漏极富含来自硅化物层（６０２，６０４）的掺杂物。在硅化物层（６０２，６０４）上沉积介电层（９００），然后在介电层（９００）中形成至硅化物层（６０２，６０４）的接触（１００２，１００４）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般而言系有关半导体技术，更明确地说系有关藉由硅化物生长掺杂物的雪耙(snowplow effect)效应使半导体装置硅化以形成陡接面(abrupt junctions)。
技术介绍
集成电路系由数百至数百万个单独组件所构成。一个普通组件为半导体晶体管。目前所使用的最普通且重要的半导体技术系以硅为主，而最佳的以硅为主的半导体装置为金属氧化物半导体(“MOS”)晶体管。晶体管含有在硅衬底上的栅极电介质上的栅极电极(通常为多晶硅)。在多晶硅栅极的两侧上的硅衬底系藉由硼或磷或其它杂质原子的离子注入而掺杂至硅衬底的表面中，因而变成导电者。硅衬底的这些掺杂区域称为浅源极/漏极接面(shallow source/drain junctions)，其系以在多晶硅栅极之下的信道区域予以分开。在多晶硅栅极的侧面上的称为”侧壁间隔壁(side wall spacer)”的氧化硅或氮化硅间隔壁可再额外掺杂沉积以形成浅源极/漏极接面的更为重度掺杂的区域，其被称为”深源极/漏极接面”。此浅及深源极/漏极接面统称为”S/D接面”。为了完成晶体管，沉积氧化硅介电层以覆盖栅极、间隔壁、及硅衬底。为了提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成装置（１００）的方法（１１００），包括：提供（１１０２）半导体衬底（１０２）；在半导体衬底（１０２）上形成（１１０４）栅极电介质（１０４）；在栅极电介质（１０４）上形成（１１０６）栅极（１０６）；在半导体衬底（１０２）上邻近于栅极（１０６）及栅极电介质（１０４）形成（１１０８）侧壁间隔壁（２００）；在半导体衬底（１０２）上邻近于侧壁间隔壁（２００）通过选择性外延生长形成（１１１０）加厚层（３００）；在加厚层（３００）的至少一部分中形成（１１１２）隆起的源极／漏极掺杂物注入区域（４０２，４０４）；在隆起的源极／漏极掺杂物注入区域（４０２，４０４）的至少一部分中形成（１１１４）硅化物层（６...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-12-3 10/727,9991.一种形成装置(100)的方法(1100)，包括提供(1102)半导体衬底(102)；在半导体衬底(102)上形成(1104)栅极电介质(104)；在栅极电介质(104)上形成(1106)栅极(106)；在半导体衬底(102)上邻近于栅极(106)及栅极电介质(104)形成(1108)侧壁间隔壁(200)；在半导体衬底(102)上邻近于侧壁间隔壁(200)通过选择性外延生长形成(1110)加厚层(300)；在加厚层(300)的至少一部分中形成(1112)隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)；在隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)的至少一部分中形成(1114)硅化物层(602，604)以在硅化物层(602，604)之下形成源极/漏极区域(606，608)，该源极/漏极区域富含来自硅化物层(602，604)的掺杂物；在硅化物层(602，604)上沉积(1116)介电层(900)；以及在介电层(900)中形成(1118)对硅化物层(602，604)的接触(1002，1004)。2.如权利要求1所述的方法(1100)，其中形成隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)进一步包括将掺杂物注入至加厚层(300)及半导体衬底(102)的邻近顶部中。3.如权利要求1所述的方法(1100)，其中在隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)中形成硅化物层(602，604)进一步包括在隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)上沉积金属层(502)；以及通过金属层(502)的热硅化进入至隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)的材料中而形成硅化物层(602，604)。4.如权利要求1所述的方法(1100)，其中在隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)中形成硅化物层(602，604)以在其下形成富含来自硅化物层(602，604)的掺杂物的源极/漏极区域(606，608)进一步包括形成富含掺杂物分布(800)的源极/漏极区域(606，608...

【专利技术属性】
技术研发人员：WP马斯扎拉，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]