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本发明系提供一种具有半导体衬底（１０２）的陡接面装置（１００）的形成方法。在半导体衬底（１０２）上形成（１１０４）栅极电介质（１０４），且在栅极电介质（１０４）上形成（１１０６）栅极（１０６）。在邻近于栅极（１０６）及栅极电介质（１０４）的...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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