一种形成提高的源极与漏极区域的方法，包括下列步骤：　　　　在衬底（１０，３０）上形成栅极电极（１４，３４）；　　　　在该栅极电极（１４，３４）的各个侧壁上形成双可弃式间隔物（２０，２４，４０，４６）；　　　　在该衬底（１０，３０）上形成...

一种封装件基片（ｐａｃｋａｇｅ　　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）包含芯片焊垫（ｄｉｅ　　ｓｏｌｄｅｒ　　ｐａｄ）以及管脚填锡（ｐｉｎ　　ｓｏｌｄｅｒ　　ｆｉｌｌｅｔ）。管脚填锡可包括约９０ｗｔ％至约９９ｗｔ％之间的锡以及约１０ｗｔ％至１ｗｔ％的锑...

本发明提供一种可个别为Ｎ沟道晶管体及Ｐ沟道晶管体形成金属硅化物的技术，而同时亦为各种晶体管类型个别提供应变引发机构（ｓｔｒａｉｎ－ｉｎｄｕｃｉｎｇ　　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）。以此方式，系可在Ｐ沟道晶体管（１４０，２４０）可容纳高导电性的硅...

本发明提供一种用于退耦电容器的垂直或三维非平面式配置（ｎｏｎ－ｐｌａｎａｒ　　ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ），其显著地降低高电荷载体储存容量的电容器所需的晶粒面积。该退耦电容器的非平面式配置在非常关键的栅极图案化工艺期间亦提供增进的图案均...

本发明提供制造受应力的ＭＯＳ器件（ｓｔｒｅｓｓｅｄ　　ＭＯＳ　　ｄｅｖｉｃｅ）（３０）的方法。该方法包括在半导体衬底（３６）中和上形成复数个平行之ＭＯＳ晶体管之步骤。平行ＭＯＳ晶体管具有共同源极（９２）区域、共同漏极（９４）区域、和共同...

一种方法，包含：　　　　形成邻近第一类型的第一晶体管（１１０、２１０）的栅极电极（１１２、２１２）的第一凹部（１１６、２１６）；　　　　形成邻近第二类型的第二晶体管（１２０、２２０）的栅极电极（１２２、２２２）的第二凹部（１２６、２２６...

本发明揭示了一种提供与未被抽样的工件相关联的数据表示之方法、装置、及系统。接收与第一工件有关的所测量之量测数据（ｍｅｔｒｏｌｏｇｙｄａｔａ）。根据与该第一工件有关的量测数据，而求与第二工件对应的量测数据之近似值，以便提供与该第二工件有关...

通过提供用于金属基互连线（ｍｅｔａｌ－ｂａｓｅｄ　　ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　　ｌｉｎｅ）的导电封盖层（１０６），可达到有关电迁移的增进效能。此外，提供对应的制造技术，其中可确实地蚀刻通孔开口（ｖｉａ　　ｏｐｅｎｉｎｇ）（１１０）进入封...

本发明提供了一种执行用于处理控制的产品反馈（ｆｅｅｄｂａｃｋ）之方法、装置、及系统。接收与第一工件有关的量测资料。接收与该第一工件有关的行结束参数（ｅｎｄ　　ｏｆ　　ｌｉｎｅ　　ｐａｒａｍｅｔｅｒ）。建立该行结束参数与该量测资料间之相关...

通过在栅极氧化物层与金属栅极电极之间形成保护层来达成用于取代金属栅极晶体管的具有减少的泄漏的薄而有效的栅极氧化物厚度，因而减少应力。实施例包括形成含有金属碳化物的非晶形碳（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　　ｃａｒｂｏｎ）的保护层，该金属碳化物的浓度...

通过形成穿过绝缘埋层（１０３，２０３）的深凹处（１１１，２１１）且重新生长应变的半导体材料（１１２，２１２），在似ＳＯＩ晶体管（１００，２００）中可提供增强的应变产生机构（ｓｔｒａｉｎ　　ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）。结...

通过电性无功能金属区（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　ｎｏｎ－ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　ｍｅｔａｌ　ｒｅｇｉｏｎ）下方设置假通孔（ｄｕｍｍｙ　ｖｉａ），可明显减少在后续工艺中的金属脱层（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）的风险。再者，在一些实施例中，通过...

通过基于受应力的上覆材料（２０９，２１１，３０９，３１１，３１９Ｓ）而进行倾斜式非晶化注入（ｔｉｌｔｅｄ　ａｍｏｒｐｈｉｚａｔｉｏｎ　ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）（２０８，３０８Ｐ，３０８Ｎ）以及随后的再结晶，提供一种高度有效的应变引发机...

本发明为通过在原位（ｉｎ　ｓｉｔｕ）进行无电沉积和电沉积工艺，而可提供高度可靠的金属化作用，其中可克服由用来形成籽晶层的习知化学气相沉积（ＣＶＤ）、原子层沉积（ＡＬＤ）和物理气相沉积（ＰＶＤ）技术所遭遇到的关于污染和器件缩放尺寸（ｄｅｖ...

本发明系大致有关用于离子注入程序的错误检测及控制方法，以及执行该方法之一种系统。在一实施例中，该方法包含：执行离子注入工具（１０）的调整程序，该调整程序产生该离子注入工具（１０）的至少一个工具参数；根据自该调整程序产生的该工具参数而选择...

本发明提供一种内存系统及其作业方法，该内存系统具有：若干存储单元（４３２），用以存放数据；若干位线（４４２）（４４４），用以将数据写入该等存储单元（４３２），并自该等存储单元（４３２）读取数据；以及连接到该等存储单元（４３２）的若干字线...

一种通过对各存储单元加以软编程而于内存装置中紧缩门限电压分布曲线的方法，此内存装置包括组成列与行的多个内存存储单元。选择利用了热载流子机制的软编程电压并依序加到字线中的各存储单元。该软编程电压包括小于３伏的斜坡电压Ｖ＃－［ＧＳ］、小于５...

本发明提供一种可以在编程和过度擦除操作中弱化位线漏电流的方法和一种快擦写存储器元件。快擦写存储器单元排列在Ｉ／Ｏ区块的阵列中，而Ｉ／Ｏ区块中有许多行和许多列。在共同阵列的源极连接和接地之间连接着一个电阻器阵列。电阻器阵列包含一组电阻器，...

本发明提供一种具有单一晶体管快闪存储单元的存储器装置，在其中一实施例中可允许逐位地删除此存储器装置，而在另一实施例中则允许删除装置的多位字符。此字符可以是８位、１６位、３２位、６４位或任何大小的字符。此存储器装置利用连接至位线驱动器的源...

本发明提供在闪存（１０）中于读取操作期间用于控制升压字线电压的方法和系统。在最佳实施例中，利用在字线电压升压电路（２０）内的电压升压器（４８）产生栅极电压。与字线电压升压电路（２０）电气连接的可调整截波电路（１２）用于以由电压升压器（４...