有关未被抽样的工件的数据表示制造技术

本发明专利技术揭示了一种提供与未被抽样的工件相关联的数据表示之方法、装置、及系统。接收与第一工件有关的所测量之量测数据（ｍｅｔｒｏｌｏｇｙｄａｔａ）。根据与该第一工件有关的量测数据，而求与第二工件对应的量测数据之近似值，以便提供与该第二工件有关的预计（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ）量测数据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术系大致有关半导体制造，且详而言之，系有关一种用来提 供与先前并未被抽样的工件相关联的数据表示之方法及装置。
技术介绍
制造业中技术的急速发展已导致了许多新颖且创新的制程。现今 的制程(尤其是半导体制程)需要许多的重耍步骤。这些制程步骤通 常是极其重要的，因而需要通常被精细调整的一些输入，以便保持适 当的制造控制。半导体装置的制造需耍若干独立的制程歩骤，以便从半导体原料 作出封装的半导体装置。自半导体材料的起始生长、将半导体晶体切 割成个别的晶圆、制造阶段(蚀刻、掺杂、或离子植入等的阶段)至 成品装置的封装及最后测试之各种制程都是互不相同且专业化，因而 可能在包含不同控制架构的不同制造场所中执行该等制程。一般而言，系对一组半导体晶圆(有时被称为一批(alot)半导体晶 圆)执行一组制程步骤。例如，可在半导体晶圆上形成由各种不同材 料构成的制程层。然后可利用习知的微影技术在该制程层之上形成有 图案的光阻层。 一般随即利用该有图案的光阻层作为屏蔽，而对该制 程层执行蚀刻制程。该蚀刻制程使得在该制程层中形成各种特征部位 或物体。可将此种特征部位用于诸如晶体管的闸电极结构。经常也在 半导体晶圆之基板中形成沟槽隔离结构，以便隔离半导体晶圆中之一 些电性区域。可被使用的隔离结构的一个例子是浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation;简称STI)结构。半导体制造厂内的制造工具通常系连接到制造架构或网络的制程 模块。每一制造工具通常被连接到设备接口。该设备接口被连接到制 造网络所连接的机器接口，因而有助于该制造工具与该制造架构间之 通讯。该机器接口通常可能是先进制程控制(AdvancedProcess Control;简称APC)系统中的部分。该APC系统激活控制描述语言程序，该 控制描述语言程序可以是用来自动撷取制程执行所需的的数据之软件 程序。图l示出典型的半导体晶圆(105)。半导体晶圆(105)通常包含 复数个被配置成格子形(150)之个别半导体晶粒(103)。可使用习知 的微影制程及设备，而在将要产生图案的一个或多个制程层上形成有 图案的光阻层。根据所采用特定光罩的情形，通常系利用步进机 (stepper)而一次对单一或多个晶粒(103)位置执行曝光制程，作为 该微影制程的部分。在对一层或多层下层材料(例如，多晶硅层、金 属层、或绝缘材料层)执行湿式或干式蚀刻制程期间，可将该有图案 的光阻层用来作为屏蔽，以便将所需的图案转移到下方层。系由将在 下方制程层中复制的诸如直线类型的特征部位或开孔类型的特征部位 等的复数个特征部位构成该有图案的光阻层。现在请参阅图2，图中示出例示先前技术的流程之流程图。在步骤 (210)中，制造系统可处理一个或多个半导体晶圆(105)。这些晶圆 可以是一批次(abatch)或一批的部分。于对复数个晶圆执行至少一制程 时，该制造系统可在步骤(220)中取得与自一批次或一批晶圆选择的 晶圆有关之量测数据。可将与该等被抽样的晶圆有关之数据用来计算 对该等晶圆执行的制程步骤之修改值。在步骤(230)中，根据所计 算的调整值，可对后续晶圆执行的制程实施回授调整。可能存在与处理半导体晶圆有关的现有方法相关联之数个问题。 其中 一个问题包括可能无法取得被处理的大致每一 晶圆之量测数据。 因而在分析制程结果时可能造成数据的遗漏点。可能因遗漏的数据而 造成各种负面的牵连。例如，可能因缺少与某些被处理的晶圆有关之 数据，而阻碍了制程后分析(post process analysis)。经常可能需要建 立某些量测数据与制程后结果间之相关性，以便执行制造分析。然而， 现阶段技术的方法可能只提供被抽样的晶圆之量测数据。因此，可能 在少于所需数据量的情形下执行制程后分析，因而可能地造成制程后 分析准确性的不足。此外，当执行制程后分析时，于制程后阶段，可能无法取得被分 析以取得数据的某些被抽样的晶圆。例如，先前被抽样的晶圆可能因5后续的制程错误而已被废弃。因此，在对晶圆执行一系列制程线终止 时，可能无法取得某些被抽样的晶圆，以供进一步的制程后分析。因而在分析制程结果时可能留下显著的缺口(gap)。此外，某些晶圆可能 被转移到重工(rework)阶段或其它制程阶段，因此，可能无法在制程 线阶段终止时取得被抽样的晶圆。因而也可能不利的影响制程后分析。当无法取得来自大致所有的晶圆或晶圆上的晶粒区之数据时，与 制程后分析有关的准确性可能会受到影响。然而，自每一被处理的晶 圆取得量测数据可能不是一种有效率的制程，且可能延缓整体的制程 阶段。此外，当尝试自每一被处理的晶圆取得量测数据时，可能会过 度耗用工厂资源。因此，半导体业缺少一种由于缺少取得每一被处理 的晶圆的量测数据之资源而造成的问题之有效率的解决方案。半导体 业也缺少一种对与自抽样-一组被处理的晶圆的部分而得到量测数据中 之差异相关联的问题之有效率的解决方案。本专利技术系针对克服或至少减轻前文所述的一个或多个问题的影响 之方法及装置。
技术实现思路
下文中呈现了本专利技术的简化概要，以提供对本专利技术的某些态样的 基本了解。该概要并不是本专利技术的彻底的概述。其目的并不是识别本 专利技术的关键性或紧要的组件，也不是描述本专利技术的范围。其唯一目的 只是以简化的形式呈现某些观念，作为将于后文中更详细说明之前言。在本专利技术的一态样中，提供了一种用于求与未被抽样的工件有关 的量测值的近似值之方法。接收与第一工件有关的所测量之量测数据。 根据与该第一工件有关的量测数据，而求与第二工件对应的量测数据 之近似值，以便提供与该第二工件有关的预计量测数据。在本专利技术的另一态样中，提供了一种用于求与未被抽样的工件有 关的量测值的近似值之方法。对第一工件执行第一制程。取得因该第 一制程而产生的与该第一工件有关的量测数据。对第二工件执行该第 一制程。将该第一制程及与该第一工件有关的量测数据间之关系模型 化。决定因该第一制程而产生的与该第二工件有关的估计量测数据。 该决定系根据该第一制程与该量测数据间之该关系之该模型化。在本专利技术的另一态样中，提供了一种用于求与未被抽样的工件有 关的量测值的近似值之方法。对复数个工件执行制程。自该复数个工 件中选择一组被抽样的工件。取得与该等被抽样的工件有关之实际量 测数据。将该复数个工件与所取得的该制程的近似量测数据间之量测 数据关系模型化。根据该被模型化的关系，而产生与未被抽样的工件 有关之预计量测数据。将该预计量测数据指定给该等未被抽样的工件。在本专利技术的另一态样中，提供了一种用于求与未被抽样的工件有 关的量测值的近似值之方法。对复数个工件执行制程。自该复数个工 件中选择一组被抽样的工件。取得与该等被抽样的工件有关之实际量 测数据。将该复数个工件与所取得的该制程的近似量测数据间之量测 数据关系模型化。根据该被模型化的关系，而产生与未被抽样的工件 有关之预计量测数据。储存与未被抽样的工件有关之该预计量测数据。在本专利技术的另一态样中，提供了一种用于求与未被抽样的工件有 关的量测值的近似值之系统。本专利技术的该系统包含复数个工件、以及 用来自该复数个工件中之样本工件取得量测数据之量测工具。该系统 亦包含控制器，用以根据与该被抽样的工件有关的量测数据，而求与 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包含下列步骤：　　　　接收与第一工件有关的所测量的量测数据；以及　　　　根据与该第一工件有关的该量测数据，而求与第二工件对应的量测数据的近似值，以便提供与该第二工件有关的预计量测数据。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-9-12 11/224,3881、一种方法，包含下列步骤接收与第一工件有关的所测量的量测数据；以及根据与该第一工件有关的该量测数据，而求与第二工件对应的量测数据的近似值，以便提供与该第二工件有关的预计量测数据。2、 如权利要求1所述的方法，进一歩包含下列步骤处理后续的工件。3、 如权利要求1所述的方法，其中接收与该第一工件有关的线上数据 的步骤包含下列步骤接收与对该第一工件执行的制程有关的量测数 据。4、 如权利要求1所述的方法，其中求与第二工件对应的量测数据的近 似值的步骤包含下列步骤将有关对该第一及第二工件执行的制程以 及与该制程有关的线上数据值的关系模型化。5、 如权利要求4所述的方法，还包含下列步骤执行统计分析以决定 与该预计线上数据有关的信心水准。6、 如权利要求1所述的方法，进一步包含下列步骤根据实际量测数 据及该预计量测数据而执行与该第一及该第二工件有关的制程后分 析。7、 如权利要求4所述的方法，其中求与该第二工件对应的量测数...

【专利技术属性】
技术研发人员：SP里夫斯，MG麦金太尔，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]