【技术实现步骤摘要】
本专利技术系大致有关半导体制造,且详而言之,系有关一种用来提供与先前并未被抽样的工件相关联的数据表示之方法及装置。
技术介绍
制造业中技术的急速发展已导致了许多新颖且创新的制程。现今的制程(尤其是半导体制程)需要许多的重要步骤。这些制程步骤通常是极其重要的,因而需要通常被精 细调整的一些输入,以便保持适当的制造控制。半导体装置的制造需要若干独立的制程步骤,以便从半导体原料作出封装的半导体装置。自半导体材料的起始生长、将半导体晶体切割成个别的晶圆、制造阶段(蚀刻、掺杂、或离子植入等的阶段)至成品装置的封装及最后测试之各种制程都是互不相同且专业化,因而可能在包含不同控制架构的不同制造场所中执行该等制程。—般而言,系对一组半导体晶圆(有时被称为一批(a lot)半导体晶圆)执行一组制程步骤。例如,可在半导体晶圆上形成由各种不同材料构成的制程层。然后可利用习知的微影技术在该制程层之上形成有图案的光阻层。一般随即利用该有图案的光阻层作为屏蔽,而对该制程层执行蚀刻制程。该蚀刻制程使得在该制程层中形成各种特征部位或物体。可将此种特征部位用于诸如晶体管的闸电极结构。经常也在半导 ...
【技术保护点】
一种用于提供与未被抽样的工件相关联数据表现的方法,包含下列步骤:接收与第一工件有关的所测量的量测数据;以及根据与该第一工件有关的该量测数据,而求与第二工件对应的量测数据的近似值,以便提供与该第二工件有关的预计量测数据,并且决定与准确性有关的信心水准。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:S·P·里夫斯,M·G·麦金太尔,
申请(专利权)人:格罗方德半导体公司,
类型:发明
国别省市:
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