具有电荷损失减少的氮化物层的存储单元结构及其制造方法技术

根据一个实施例，一种存储单元结构包含半导体衬底（２１０）、位于该半导体衬底上方的第一氧化硅层（２１５）、位于该第一氧化硅层上方的电荷储存层（２２０）、位于该电荷储存层上方的第二氧化硅层（２２５）、以及位于该第二氧化硅层上方的栅极层（２３０）。在该例示性实施例中，电荷储存层（２２０）包含含氢量减少的氮化硅，例如，约在０至０．５原子百分比的范围内。结果，该减少的含氢量减少了电荷储存层（２２０）内的电荷损失。电荷储存层（２２０）内减少的电荷损失的好处是减少了存储器件内的临界电压漂移、编程数据损失、以及编程能力损失，从而改善存储器件的性能。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半导体器件领域。更特定地，本专利技术涉及半导体存储器件。
技术介绍
本领域中熟知存储器件在各式各样的电子器件及应用中用于储存数据。近来，已引进SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，硅氧化物氮化物氧化物硅)类型的存储器件。SONOS类型的闪存单元包含一栅极叠层(gate stack)，该栅极叠层具有位于ONO(氧化物氮化物氧化物)叠层上方的栅极层。该栅极叠层位于半导体衬底的上方，在那里沟道区定义在该半导体衬底中的第一与第二端子区(terminalregions)之间，从而形成晶体管。该ONO叠层包含一非导电性介电层，通常为氮化硅层(“氮化物层”)，其位于两个氧化硅层之间。该氮化物层作为电荷储存媒介。此外，该氮化物层能将电荷局部储存于该氮化物层的一侧，而与储存在该氮化物层的相对一侧上的电荷无关。因此，SONOS类型的存储单元可描述成能储存两个二进制位，例如，左位与右位。用于形成ONO叠层的氮化物层的传统技术会产生许多不利于存储器件性能的负面效应。通常，氮化物层是使用具有前体的化学气相沉积(“CVD”)工艺而形成的，该前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造存储单元结构的方法，所述方法包含：提供（３１０）半导体衬底；在所述半导体衬底上形成（３１５）第一氧化硅层；提供（３２０）前体，所述前体包含硅烷与反应性氮的组合；在ＣＶＤ工艺中使用所述前体在所述第一 氧化硅层上形成（３２０）所述氮化硅层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-9-4 10/655,1791.一种用于制造存储单元结构的方法，所述方法包含提供(310)半导体衬底；在所述半导体衬底上形成(315)第一氧化硅层；提供(320)前体，所述前体包含硅烷与反应性氮的组合；在CVD工艺中使用所述前体在所述第一氧化硅层上形成(320)所述氮化硅层。2.如权利要求1所述的方法，进一步包含在氧或氧化亚氮的气氛中将所述氮化硅层退火(420)。3.如权利要求1所述的方法，进一步包含在所述氮化硅层上形成(325)第二氧化硅层；以及在所述第二氧化硅层上形成(330)栅极层。4.如权利要求1所述的方法，其中所述反应性氮包含氮自由基。5.一种存储单元结构，包含半导体衬底(210)、位于所述半导体衬底(210)上方的第一氧化硅层(215)、位于所述第一氧化硅层(215)上的电荷储存层(220)、位于所述电荷储存层(220)上的第二氧化硅层(225)、位于所述第二氧化硅层(225)上方的栅极层(230)，所述存储单元结构的特征在于所述电荷储...

【专利技术属性】
技术研发人员：GJ克拉思，RB克拉克弗尔普斯，JS杰翁，H钟，A哈利耶尔，MT拉姆斯贝，RB小奥格尔，KT张，W李，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]