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根据一个实施例，一种存储单元结构包含半导体衬底（２１０）、位于该半导体衬底上方的第一氧化硅层（２１５）、位于该第一氧化硅层上方的电荷储存层（２２０）、位于该电荷储存层上方的第二氧化硅层（２２５）、以及位于该第二氧化硅层上方的栅极层（２３０）...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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