一种互补金属氧化物半导体的工艺，该工艺包括创造具备作为晶体管栅极区域的第一厚度以及作为熔消组件区域的第二厚度的多晶硅层，该第一厚度较该第二厚度为大，其中，在该熔消组件区域中的大部分多晶硅将与金属层起反应，以在快速热退火工艺期间形成聚硅化物。

本发明配置一种电化学方法处理衬底的处理工具（２００），以减少邻近于该衬底（２０１）的氧浓度和／或二氧化硫浓度，以减少铜腐蚀。在一个具体实施例中，在包含镀覆反应器的处理工具（２００）内部，通过供给连续惰性气流和／或提供能减少与周为大气的气...

本发明公开一种薄膜齐纳（Ｚｅｎｅｒ）二极管，该薄膜齐纳二极管包括：（ａ）薄膜，其包括其中包括至少一种有机材料的至少一层；以及（ｂ）与该薄膜的各相对面接触的第一和第二电极，其中选择该第一和第二电极的材料以及该薄膜的厚度，以便提供预先选择的...

一种监测与控制半导体制造过程的系统（１００），包括：　　　　测量系统（１０６，４２２，６１０），其透过以散射测量法为基底的技术，在晶圆片录过制造过程时，与形成于晶圆片的至少一部份上的重复电路内结构（１１０，２０４，３０２，４０６，６０４...

一种半导体器件，包含：　　　　半导体衬底（２０），　　　　在该半导体衬底（２０）上的压缩材料层（２２），以及　　　　在该压缩材料层上（２０）的应变硅层（２１）。

一自集成电路器件底面形成的连接件（１４６），包括一形成于该集成电路器件的第一表面上的第一导电层（１１４）及一形成于该集成电路器件的第二表面（１４１）上的第二导电层。该二导电层由一贯穿一分隔该二导电层的半导体基底（１１０）的开口（１４４）...

一种半导体器件（１００），包括：　　　　衬底（１１０）；　　　　形成在该衬底（１１０）上的绝缘层（１２０）；　　　　形成在该绝缘层（１２０）上的第一栅极（５１０），该第一栅极（５１０）在该半导体器件（１００）的沟道区域具有Ｕ型剖面；以及...

一种方法，包括：　　　　界定制造装置用的工艺模型，该工艺包括多个步骤；　　　　为该工艺步骤的至少一子集，界定多个内建工艺目标，该模型将该内建工艺目标与多个工艺输出参数联系起来；　　　　界定该内建工艺目标用的第一组概率约束条件；　　　　界...

一种制造半导体组件（１００）的方法，包括：　　　　提供具有主要表面（１０４）的第一导电类型的半导体材料（１０２）；　　　　在该主要表面（１０４）上形成栅极结构（１１２），该栅极结构（１１２）具有第一（１１４）和第二（１１６）侧边及上表面...

一种半导体装置（１００），其包括：一基板（１１０）；一绝缘层（１２０），其形成于该基板（１１０）上；一鳍部（２１０），其形成于该绝缘层（１２０）上，并且包括多个侧表面与一上表面；一第一栅极（４１０），其形成于 ...

本发明是一种擦除氮化物存储器件的方法及系统。在本发明的一个实施例中，在半导体衬底（５２０）中形成隔离的Ｐ型阱（５１０）。在该隔离的Ｐ型阱（５１０）中形成多个Ｎ型杂质集中区（５５０、５５５），且在这些Ｎ型杂质集中区（５５０、５５５）的两个...

一种或非（ＮＯＲ）门，包括：　　　　第一鳍型场效应晶体管（ＦｉｎＦＥＴ）（８０１），包括独立可控制的第一栅极与第二栅极区域（８２２、８２３）、源极区域（８２１）、以及漏极区域（８２０）；　　　　第二鳍型场效应晶体管（８０２），包括独立可...

一种形成场效应晶体管的方法，所述方法包括：　　　　在基片２０１上形成掺杂的高－ｋ电介质层２２０，所述基片包括形成在有源区２０３之上的并由栅极绝缘层２０６分隔开的栅电极２０５；　　　　对所述基片进行热处理，使掺杂剂从所述高－ｋ电介质层２２...

一种形成沟槽隔离结构的方法，所述方法包含：在基片中形成多个沟槽２０６Ａ、２０６Ｂ；用氧扩散阻挡层２２１覆盖所述多个沟槽中的至少一个２０６Ａ；以及当用所述氧扩散阻挡层２２１覆盖所述多个沟槽中的至少一个２０６Ａ时，在所述 ...

一种方法，包括：　　　　接收与第一处理工具（１０５Ａ）处理的工件相关的数据；　　　　接收与第二处理工具（１０５Ｂ）处理的工件处理相关的数据；以及　　　　将至少部分所接收的数据与该第一和第二处理工具（１０５Ａ、１０５Ｂ）所共享的故障模型（...

一种方法，包含：　　　　在相关批次的多个工件上执行一工艺步骤；　　　　确定取样率，用于取得与至少一个该被处理工件有关的测量数据；以及　　　　执行动态取样率调整过程，以适应性地修改该取样率，该动态取样率调整过程包含将预测工艺结果与实际工艺...

一种方法，包括：　　　　通过在低－ｋ介电层上形成二氧化硅层２３１而在包含低－ｋ介电材料的介电层２０６上形成多层堆叠２３０；以及　　　　在形成所述二氧化硅层期间形成富硅的氮氧化物层２３２，由此调节所述多层堆叠２３０的至少一种光学特性以减少...

本发明提供一种半导体装置，该半导体装置系由提供基材（３２），并在基材（３２）上提供介电层（３４）而制成。多晶硅体（３６）设于介电层（３４）上，而金属层（６０）则设于多晶硅体（３６）上。进行硅化过程以大致上硅化整个多晶硅体（３６），然后在...

一种形成应变硅层的方法，包括：　　　　提供包含第一硅锗层（４０）的基片；　　　　在所述第一硅锗层（４０）上形成应变硅层（５０）；以及　　　　在与所述应变硅层（５０）同一个连续的原位沉积过程中在所述应变硅层（５０）上形成第二硅锗层（５２）...

一种在形成在基片上的图形化电介质１０７上形成金属层的方法，所述方法包括：　　　　在至少暂时包含催化材料１１２的气态沉积环境下，在所述图形化电介质上沉积第一材料层１０９；及　　　　将所述第一材料层１０９暴露于包含欲沉积金属的离子的电镀液，...