本发明提供一种金属互连结构与其制法，以提供在介质层内布线通孔的合金元素层。该合金元素层因此插入于关键电迁移失败的位置，也即在下方金属的通孔之下方的快速扩散的位置。一旦在通孔执行铜填充，退火步骤允许合金元素进入固态溶液，以铜进入并环绕该通...

一种浮置闸极存储装置，该装置具有浮置闸极（２０）以及位于该浮置闸极（２０）上的绝缘层（２２）。控制闸极（２４）位于该绝缘层（２２）上。该绝缘层（２２）由分子矩阵所组成，该分子矩阵中分布有离子错合物。通过施加电场，该离子错合物在该分子矩阵...

一种用来控制依照配方形成于晶片上的处理层的方法；测量处理层的厚度；依据所测量的厚度，决定随后要形成的处理层的配方的电镀参数。处理生产线包括一个电镀工具、一个测量工具以及处理控制器；电镀工具用于在晶片上依照配方形成处理层；测量工具用于测量...

本发明提供一种用于半导体晶片（６６）的电镀系统（５０），该系统包含通过循环系统（５２、５６、５８）连接至电镀溶液储存槽（６０）的电镀腔体（５２）。该半导体晶片（６６）和惰性主阳极（６４）用于阴极并在电镀腔体（５２）中。在电镀溶液储存槽（...

一种在显像室（２０）显像处理在半导体晶片（２２）上的光阻层（３０）的方法，包含：施加显像剂至该光阻层（３０）；施加挥发溶液（３２）至该光阻层（３０）；以及干燥该晶片（２２）。

在形成源／漏极延伸区域（２１）和源极／漏极区域（４１）之前，利用植入Ｘｅ　　１５将硅绝缘层基板（１０１）预无定形化，藉此消除或大幅降低浮体效应。另一方面包括在形成具有减少垂直与横向散布的浅层接面之源极／漏极延伸区域和源极／汲极区域之前，...

本发明是关于一种在栅极电极（１４）上形成金属硅化物（２２、２４）的过程中，防止该栅极电极（１４）的高Ｋ值电介质层（１２）热分解的方法，该方法是使用镍作为该硅化物（２２、２４）的金属成分。

使用含氨等离子体处理裸露平坦的铜或铜合金表面（３０）后，通过延迟和／或慢慢加速地导进硅烷以沉淀氮化硅封盖层，可以明显地增加位障或封盖层（４０）与铜或铜合金互连器件（１３Ａ）之间接口与粘着力的完整性。其它实施方案则包括于导入晶片以用于等离...

本发明提供一种在半导体制造工艺（１００）中加工一晶片（１１５）的技术。该方法包括首先从多工作站的加工机床（１０５）收集一工艺速率数据集，该数据集包含来自加工机床中至少两个工作站（１１０）的工艺速率数据。然后将收集的工艺速率数据传送至一控...

本发明揭示了一种对半导体晶片的处理执行串级控制的方法及装置。接收第一半导体晶片以供处理。接收第二半导体晶片以供处理。对该第一及该第二半导体晶片执行串级处理作业，其中该串级处理作业包含下列步骤：在正在处理该第一半导体晶片的一段时间中的至少...

本发明通过电介质阻挡层（５０，９０，９１）完成金属镶嵌过程以改善台阶覆盖并降低接触电阻。实施例包括利用两种不同的电介质层（５０，３１）避免定位不准的问题。实施例更进一步包括利用铜类金属物质（１００）来完成双层金属镶嵌（１００Ａ，１００Ｂ...

本发明提供一种有关ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　　Ｏｘｉｄｅ　　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　　Ｆｉｅｌｄ　　Ｅｆｆｅｃｔ　　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）半导体装置的制造方法，该制造方法包括：在基板（１０）之上形成栅极电极（２４），以及于该栅极电极...

提供一种方法，该方法包括形成第一导电结构，以及在该第一导电结构的上方形成第一介电质层。该方法也包括在位于该第一导电结构的至少一部分的上方的该第一介电质层中形成第一开口，该第一开口具有侧壁，以及增加该侧壁的密度。

通过以Ｗ（２０２）填充介电层（２００）内的开口和进行激光加温退火（３０）以除去或显著减少空隙（２０３），从而形成可靠的触点／通孔。实施方案包括沉积Ｗ（２０２）以填充介电层（２００）内的触点／通孔开口，在Ｎ↓［２］中实施激光加温退火（３０...

一种可靠Ｃｕ互连器的形成，是通过将Ｃｕ（２７）填充介电层（２３，２５）中的开口，以及接着在ＮＨ↓［３］中进行激光加温退火（２９），以还原铜氧化物以及回流该沉积Ｃｕ，从而消除空隙（２８）以及减少接触电阻。实施方案中包含采用ＮＨ↓［３］流速...

本发明揭示一种在半导体晶片制造期间执行前馈修正的方法及装置。对半导体晶片执行第一过程。提取与该半导体晶片的该第一过程相关的集成度量数据。根据该集成度量数据而执行集成度量前馈程序，该集成度量前馈程序包含下列步骤：根据与该半导体晶片的该第一...

一种制造集成电路的方法，系包括沿着横向侧壁与贯孔的底层形成阻障层并于该贯孔中提供三元（ｔｅｍａｒｙ）铜合金贯孔材料以形成贯孔。该贯孔的形成被用来接收该三元铜合金贯孔材料并电性连接第一传导层与第二传导层。该三元铜合金贯孔材料有助于该贯孔具...

一种制造集成电路的方法，该方法是可包括：沿通孔孔洞的侧壁及底部形成阻障层；形成相近且顺应（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）于该阻障层的晶种层；以及形成相近且顺应于该阻障层与该晶种层的植入层。该通孔孔洞是用以容纳通孔材料以电性导接第一导电层与第二导电层。

本发明提供一种包含一金属栅极电极（１１０）的半导体装置（１００），以及制造该半导体装置（１００）的方法，其中，该半导体装置（１００）包含：一半导体基板（１０２）；一金属栅极电极（１１０）；和形成于金属栅极电极（１１０）表面上的一氮氧化硅...

一种半导体装置，包括具有改良阻挡层与介电层的接着力的互连结构，该半导体装置是在含氨及氮的大气中通过对介电层的暴露表面进行激光热退火而形成，并随后沉积钽以形成合成阻挡层。实施例包括形成在内介电层（例如衍生自掺氟四乙基原硅酸盐的含氟二氧化硅...