本发明提供一种非对称多相转换电源供应器，包含有第一和第二转换器（１２５）、（１５０），用于将电源供应器耦接至输出节点（５０）。控制电路（１７５）是耦接至第二转换器，且建构成依据在输出节点电压而选择性致能前述的第二转换器。控制电路可建构成...

本发明揭示了一种低功率电荷泵（３００）。第一泵级的一泵驱动节点（２７０）被选择性地耦合到后续泵级的泵驱动节点（２７１）。在将电荷自第一泵级转移到后续级之后，该第一（２７０）及后续（２７１）泵驱动节点被耦合。第一级泵驱动节点（２７０）上的...

本发明揭露一种用于通电（ｐｏｗｅｒ　ｕｐ）集成电路（ＩＣ）之方法与装置。ＩＣ包含多个电力区域（ｐｏｗｅｒ　ｄｏｍａｉｎ），每一电力区域被耦合以接受来自多个电源中之一电源的电力。每一电力区域包含电力感测单元。于该多个电力区域中的第一电力区...

本发明提供一种循序外加电源至多个负载的系统及方法。该系统可结合其它此种系统操作为从或主。当该系统操作为主时，一旦电源开启则系统操作且开始循序外加电源至连接至其输出信道的负载。当该系统操作为从时，该系统首先必须接收来自其所连接的主系统的致...

一种用于将集成电路器件（１０６）的管脚（１１４）连结至电路板（１１０）的接触垫（１１８）的插座系统及方法，当将集成电路器件的管脚插入插座（２０２、３０２）的零插入力开孔（２０４）时，该零插入力开孔会建立实质上为零的施力。此外，插座的压缩...

本发明披露出一种方法，在该方法中，将不同金属层按顺序沉积于含硅区域上，以致于各金属层的类型与厚度与打底含硅区域的具体特性相适应。接着，进行一热处理，以将各金属转换成金属硅化物，以便改善含硅区域的导电性。以此方式，可形成能分别地适合于特定...

本发明揭示ＳＯＩ晶体管组件及其制造方法，其中高浓度的稳态点缺陷系藉由包括在具有些微晶格差异的主动晶体管区域内的区域而产生。在一特定具体实施例中，因为在热处理晶体管组件时，将硅锗层（３２０）的应力缓和，所以硅锗层则能够设置于具有高浓度点缺...

一种在金属氧化物半导体场效应晶体管中形成栅极的方法，该方法包含以下步骤：形成鳍部结构；在该鳍部结构的上端形成第一栅极结构；以及在该鳍部结构和该第一栅极结构的周围形成第二栅极结构。

一种制造半导体装置（１００）的方法，包括：在绝缘层（１２０）上形成鳍式结构结构（２１０），该鳍式结构（２１０）包括侧表面以及上表面；在该鳍式结构（２１０）上沉积栅极材料层（３２０）；平坦化该已沉积的栅极材料层（３２０ ...

一种利用浅沟渠隔离（ｓｈａｌｌｏｗ　　ｔｒｅｎｃｈ　　ｉｓｏｌａｔｉｏｎ，ＳＴＩ）技术制造集成电路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　ｃｉｒｃｕｉｔ，ＩＣ）的方法。该浅沟渠隔离技术用于应变硅（ｓｔｒａｉｎｅｄ　　ｓｉｌｉｃｏｎ，ＳＭＯＳ）工艺中。...

本发明提出了一种用于制备具有减小的体电阻的体接触ＳＯＩ晶体管的方法。在晶片制备过程期间，半导体晶片被放置到离子注入装置中，并且定位于相对于离子注入装置的粒子束路径（３１－３４）的第一位置，以得到在粒子束路径与晶体管栅极（２９）边缘之间基...

一种鳍状场效应晶体管型式的半导体装置，系包括有鳍结构（２１０），于其上具有相对较薄的非晶硅层（４２０）而后再形成未掺杂的多晶硅层（４２５）。该半导体装置可使用化学机械研磨（ＣＭＰ）将其平面化，其中该非晶硅层（４２０）系做为终止层（ｓｔｏ...

本发明提供一种集成电路（１００）的结构及其形成方法（９００）。栅极电介质（１０４）形成在半导体衬底（１０２）上，而栅极（１０６）形成在半导体衬底（１０２）上的栅极电介质（１０４）上面。源极／漏极结（５０４／５０６）形成在半导体衬底（１０...

本发明揭示了一种用于形成非对称间隔物的方法，该方法可整合至集成电路半导体器件的制造工艺中。该方法包括在衬底上形成栅极结构（１５），以及形成覆盖该栅极结构与衬底的侧壁层（１０），其中该侧壁层包含覆盖该栅极结构第一侧壁的第一部分。光刻胶结构...

一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包含下列步骤：形成鳍状物（２０５）；以及在该鳍状物（２０５）的第一末端上形成源极区（２１０），并在该鳍状物（２０５）的第二末端上形成漏极区（２１５）。该方法进一步包含下列步骤：在该鳍状物（２０５）之上，在...

一种利用浅沟隔离（ＳＴＩ）技术制造集成电路（ＩＣ）的方法。该浅沟隔离技术使用于应变硅（ＳＭＯＳ）制程。于形成沟渠（３４）后形成应变材料（３６）。制程能使用于埋置的氧化物（ｂｕｒｉｅｄ　　ｏｘｉｄｅ；Ｂｏｘ）层（１４）之上之化合物半导体层...

实施范例系关于一种ＦｉｎＦＥＴ信道结构形成方法。本方法能包括在绝缘层（１３０）之上设有化合物半导体层（１４０），并在该化合物半导体层（１４０）中设有沟槽（１４２），以及在该化合物半导体层（１４０）之上和沟槽（１４２）内设有应变半导体层（...

本发明提供一种双金属ＣＭＯＳ之配置以及其制法，系提供一衬底（１０）以及在衬底（１０）上形成之多个ＮＭＯＳ器件（４４）与ＰＭＯＳ器件（４６）。各多个ＮＭＯＳ器件（４４）与ＰＭＯＳ器件（４６）具有栅极电极。各ＮＭＯＳ栅极电极包含衬底（１０）...

通过提供自偏压半导体开关，可实现具有较少数目的个别主动元件的静态存储器（ＳＲＡＭ）单元（４５０）。在特定实施例中，可以双沟道场效晶体管（４００）的形式提供该自偏压半导体装置，而该双沟道场效晶体管可以少于六个晶体管元件形成ＳＲＡＭ单元（４...

本发明提供一种包括具有第一晶向的衬底及在衬底上的绝缘层的半导体装置。在绝缘层上形成多个硅层。第一硅层包括具有第一晶向的硅而第二硅层包括具有第二晶向的硅。此外，本发明又提供一种方法以形成设有包括其上具有硅层的衬底及插置在衬底与硅层间的第一...