本发明通过移除环状区域（ｈａｌｏ　ｒｅｇｉｏｎ）（２０６，３０６）的部分或通过避免在可基于再生长的半导体材料（２１８，３１８）而后续形成之延伸区域（２０９Ａ）内形成该环状区域（２０６，３０６），而可显著地改善临限下降特性（ｔｈｒｅｓｈｏ...

藉由使场效晶体管的漏极及源极区（１１４，２１４）凹陷（１１２Ｄ，２１２Ｄ），可在凹处（１１２，２１２）中形成高应力层（１１８，２１８），例如，接触蚀刻中止层，以便增进于场效应晶体管（１００，２００）的邻近沟道区（１０４，２０４）中的应变...

通过在其它方面基于ＳＯＩ之ＣＭＯＳ电路的感测ＲＡＭ区中形成类似体之晶体管（１５１Ｂ），可达成有价值的芯片区之显著的节省，因为该ＲＡＭ区可在体晶体管配置的基础上来形成，从而排除磁滞效应（ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ　ｅｆｆｅｃｔ），该磁滞效应可通...

本发明提供一种制造半导体组件（２０）之方法，该半导体组件（２０）包含每单位面积具有高电容之电容器（２４）。该组件系形成于绝缘体上半导体（ＳＯＩ）衬底（２６）中及上，该ＳＯＩ衬底（２６）具有第一半导体层、在该第一半导体层上的绝缘体（３０）...

通过在有浮体架构的ＳＯＩ晶体管（２００，３００，４００）中之应变硅／锗材料（２０７，３０７，４０７）内形成一部分（２０９Ａ，３０９Ａ，４０９Ａ）的ＰＮ结（２０９，３０９，４０９），可明显增加结漏电，从而减少浮体效应。可基于注入及退火技术...

通过适当地相对于硅层（１０２）之结晶特性（ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｉｃ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）而定向沟道长度方向，应变硅／碳材料（１０９）之应力引发效果在与传统的技术相比较可有明显的增进。在一个例示实施例中，该沟道（１０３）...

通过将原子物种（１１ＩＢ），例如，碳、氟、及类似者，引入至漏极与源极区（１１５，２０６）中及本体区（１０７，２０７）中，ＳＯＩ晶体管（１１０，２１０Ｍ）之接面漏电（ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｌｅａｋａｇｅ）可显著地增加，因而对聚积之少数电荷载子...

一种用于评估关联于处理过程的状态的方法，包含接收关联于该处理过程的状态观察。该状态观察具有关联之处理过程时间。根据该处理过程时间产生酌减（ｄｉｓｃｏｕｎｔ）该状态观察的加权因子。根据该酌减的状态观察产生状态评估。一种系统，包含处理过程工...

本发明提供了一种低接触电阻ＣＭＯＳ集成电路（５０）及其制造方法。该ＣＭＯＳ集成电路（５０）包含电性耦合到Ｎ型电路区（７２，７４）的第一过渡金属（１０２）、以及电性耦合到Ｐ型电路区（７６，７８）的第二过渡金属（９８），该第二过渡金属与该第...

本发明提供一种方法以及一种ＮＡＮＤ类型的快速擦写存储器装置。该方法包括，在一基座的选择晶体管区域，形成一选择门氧化层，以及，在该基座的存储器单元区域形成隧道氧化层；在该选择门氧化层上以及该隧道氧化层上，形成一掺有杂质的非晶硅层，该具有掺...

本发明涉及一种具有增大的栅耦合电容的集成电路（１００）。所述集成电路（１００）包括具有表面（１１０）的基底（１０２），该基底（１０２）具有一条在所述表面（１１０）下延伸的沟道（１０６）。一种沟道填充材料（１０８）设置于所述沟道（１０６）...

本发明提供一种半导体层晕圈植入的方法和系统。此方法和系统包含有为半导体装置提供薄光阻层。此方法和系统亦包含有对半导体装置的适当区域提供晕圈植入。因此，在依据本发明的系统和方法中，使用能够具有较薄厚度的光阻材料，如ＤＵＶ光阻。这使得可将光...

通过降低光阻去除期间的减反射膜损失来取得改进的半导体装置外围电路区域中栅极结构尺寸的精确度，该光阻去除对应于在形成图形及离子注入期间，在核心存储单元区域中形成多个掩模。实施例包括依序蚀刻核心存储单元区域中叠层式栅极结构、光阻的剥除以及蚀...

一种制造快擦写内存装置的方法，其中经由下列步骤可产生最小的栅极边缘掀起现象（ｇａｔｅ　ｅｄｇｅ　ｌｉｆｔｉｎｇ）：将栅极叠层（ｇａｔｅ　ｓｔａｃｋ）和基片暴露出的表面予以最低的氧化；从该基片各向异性地蚀刻氧化物层；在基片上要形成源极区的...

在非挥发内存装置（１）的双重间隔器（ｔｗｏ－ｓｔｅｐ　ｓｐａｃｅｒ）的制造程序中，先在晶圆基体（３）上沉积一层薄的氧化层（１２），而在非挥发性内存装置（１）的核心部位（２４）中留下一间隙，使得经由此间隙完成植入及／或达成氧化物－氮化物－...

一种用于制造包含硅基底的半导体装置的方法，包括在基底上形成一层薄的氧化物底部薄膜，随后在氨中使该基底退火。然后以常规方法在栅极绝缘体上形成场效晶体管（ＦＥＴ）栅极。所产生的栅极绝缘体在电气上绝缘，并相比于传统的栅极氧化物绝缘体，其性能并...

本发明提供一种改进式闪存装置，在外围区域具有浅沟渠隔离和在核心区域提供ＬＯＣＯＳ隔离。首先利用金属遮光膜产生浅沟渠隔离。然后产生ＬＯＣＯＳ隔离。之后利用蚀刻移除纵桁。闪存能够使用浅沟渠隔离限制侵蚀。闪存亦具有氮化隧道氧化层。利用金属遮光...

本发明提供一种方法，该方法包含于基板层（１０５）上形成栅极介电层（１１０，４１０），以及于栅极介电层（１１０，４１０）上形成栅极导体层（１１５，４１５）。该方法亦包括于栅极导体层（１１５，４１５）上形成无机底部抗反射涂覆层（１２０），以...

提供了一种在圆片（２６）中检测浮渣的系统（２０），该系统（２０）包含：分析系统（２４），用于提供对应于圆片（２６）表面部分的信号（１８）；以及处理系统（４４），其可操作地连接到该分析系统（２４）；其中处理系统（４４）配置为根据该信号（１...

一种方法，其包括在半导体基底（１０）中形成沟槽（２２）以及在该沟槽（２２）中形成绝缘材料（２４）。该方法进一步包括确定该沟槽（２２）的深度与该沟槽绝缘材料（２４）的厚度的至少其中之一，并且确定离子注入工艺的能量等级，根据确定的该沟槽（２...