本发明提供一种装置，其中一个基板被机械性地夹持在芯片键合器的加热块上，以将加热过的基板在芯片键合过程前和过程中向下固定，因此避免基板的扭曲。实施例包含一个夹持器包括多个有弹簧的滚轮用来将基板在基板加热和芯片键合时将相对的外缘向下推到加热...

一种计算机系统（３００），其根据测试站产生的失效存储单元标号信息而自动判定与显示存储器ＩＣ（集成电路）电路小片放大图像上的存储单元阵列中失效的存储单元的实际位置。标号信息包含任何区段标号、Ｉ／Ｏ标号、列标号、与行标号的组合。存储器ＩＣ电...

本发明提供一种用于减少栅极宽度变化的方法。此方法包含有提供其中形成有栅极（２３０）且在此栅极（２３０）的至少部分表面上形成有防反射涂敷层（２４０）的晶圆。此栅极（２３０）具有宽度。量测栅极（２３０）的宽度。决定用于移除此防反射涂敷（２４...

本发明提供一种在半导体晶片（１０５）制造过程期间，控制最后临界尺寸的方法及装置。其系处理半导体元件（１０５）的制造作业。由所处理的半导体元件（１０５），获取计量数据。用所获取的计量数据，施行最后临界尺寸控制调整工艺。响应该最后临界尺寸控...

一种将叠晶晶粒（ｓｔａｃｋｅｄｄｉｅ）结构的上方晶粒黏接到下方晶粒的方法，此方法不会污染下方晶粒打线垫片，且提供一致的黏接线厚度。本发明的实施例包含将晶粒黏接材料层涂覆于覆晶晶粒封装结构的上方晶粒中，而上方晶粒仍为晶片的型式，且经由将...

本发明提供一种可靠地加热堆栈式裸晶组件或倒装芯片组件的基板及／或裸晶的接合区，以确保高品质焊料或引线接合在基板与裸晶之间的方法与装置。实施方案包含在引线接合前及引线接合过程期间利用红外线灯或红外线枪照射裸晶的上表面，以加热堆栈式裸晶封装...

本发明提供各种制造导体结构（１０）的方法。一方面，本发明提供于第一工件（１２）上制造导体结构（１０）的方法。于第一工件（１２）上形成硅膜（２０）。于该硅膜（２０）上形成抗反射涂层（２２）。于该抗反射涂层（２２）的第一部份上形成掩膜（２４...

各种制造例如栅极或电阻器的电路结构的方法。一方面，本发明提供制造电路结构的方法，该方法包括于基底（１２）上形成硅结构（１８），且于该硅结构（１８）上形成氧化膜（４４）。掩模该氧化膜（４４）的第一部份（３０）同时留下未掩模的第二部分（２２...

本发明涉及一种制造闪存单元（３２）的方法，包括下列步骤：提供一个在其上有闪存单元（３２）的基底（３０）；在该基底（３０）上生长一个自对准源极掩模（４８），该自对准源极掩模（４８）会根据源极线而有相对应的开口（５０）；经由自对准源极掩模（...

为了在半导体底材上制作一快闪存储单元，将一沟道掺杂物植入该半导体底材。来自该植入制程的该半导体底材的沟道掺杂物浓度小于约４×１０＃＋［１３］／ｃｍ＃＋［２］。在该底材上形成一源极线掩模，且该源极线掩模具有一开口以暴露出该半导体底材上的源...

本发明的一个方面系有关于一种制造闪速存储单元（３２）的方法，该方法包括下列步骤：提供一个在其上有闪速存储单元（３２）的基底（３０）；在该基底（３０）上形成一个自动对齐源极掩膜（４８），该自动对齐源极掩膜（４８）会根据源极线而有相对应的开...

本发明揭示一种晶体管器件（２００），该晶体管器件（２００）含有设置于栅极（２０４）与漏极及源极线之间的绝缘材料，其中，该绝缘材料的介电常数等于或小于３．５。因此，可降低该栅极与该漏极及源极线之间的电容，由此改善降低了串话噪声的场效晶体管...

一种形成微小接触孔（１６０）的方法，使用一个明场掩模（１３０）以形成一个微小圆柱（１４０）于一层正型抗蚀剂层（１２０）上。负型抗蚀剂层（１５０）环绕圆柱形成，且接着回蚀刻或抛光以留下微小圆柱顶端部分暴露于负型抗蚀剂层上。使负型抗蚀剂层与...

本发明提供了一种用以控制一蚀刻处理的方法。该方法包括：提供一具有至少一个第一层和一形成于该第一层上的第二层的晶圆。测量该第二层的厚度。根据该第二层的测量厚度确定蚀刻选择性参数。根据该蚀刻选择性参数修正蚀刻工具（１３０）的操作方法。本发明...

本发明涉及一种在集成电路中形成次平版印刷的图案的制作方法。该制作方法包含在成像图案和显影之后，但在为下一层成像图案之前，修改光阻材料层（１６）。该修改过的光阻材料层（１６）在垂直的和水平的方向有不同的蚀刻率。以等离子体蚀刻修整该修改过的...

本发明关于用于在半导体制造期间探测在晶片上所形成的电路结构（８２）非对称形状的方法（５８）。该方法（５８）包含有引导光束或辐射至电路结构（６６）且探测与其相关的反射光束（６８）。使与反射光束相关的数据和与已知电路结构形状（１９）相关的数...

本发明涉及一种栅极宽度小于７０ｎｍ的晶体管的制造方法，该方法包含对一个成像在光阻层的栅极（２６，３６）进行电子束辐射（１２），对一个成像在光阻层的栅极（２６，３６）进行修整，将光阻层上的栅极图案蚀刻至位于光阻层下的多晶硅层（４０）上，所...

本发明揭露一种金属栅极结构，以及形成该金属栅极结构的方法，将金属杂质（３６）引进到例如由ＴｉＮ所制成的第一金属层（３４）里。于金属栅极结构的形成期间，于覆于其上钨栅极（３８）的蚀刻期间，杂质（３６）产生预防ＴｉＮ（３４）过度蚀刻的具有较...

一种用于判定加工层膜的均匀性的方法包含提供具有栅格结构及形成于该栅格结构表面上的加工层膜的晶片；以光源照射至少部分于该栅格结构上层的加工层膜；测量来自于该栅格结构及该加工层膜的照射的部分的光线以产生反射轮廓；以及基于该反射轮廓判定该加工...

本发明提供一种新的开关装置，该开关装置具有置于第一和第二电极之间的活性区域，该活性区域包括一分子系统和分布于该系统中的离子复合物。设有控制电极用来控制应用于该活性区域的电场，当应用具有预定极性和强度的电场经预定时间后，该活性区域切换于高...