一种形成半导体的方法，该半导体具有ｎ－沟道晶体管（１２）和ｐ－沟道晶体管（１４）且具有对于各不同类型晶体管的最佳栅极至漏极交迭电容，该方法对于各个晶体管（１２、１４）在栅极（１６）上使用差别隔离层。第一偏移隔离层（１８）在栅极（１６）上...

一种形成半导体装置的方法，于基材（２０）上形成闸电极（２２）并于该基材（２０）与闸电极（２２）上形成多晶硅再氧化层（２６）。沉积氮化物层（２８）于该多晶硅再氧化层（２６）上并予以非等向蚀刻。该蚀刻终止于该多晶硅再氧化层（２６）上，并随之...

高速金属氧化半导体晶体管（３２）是通过形成嵌埋在晶体管栅极侧壁间隔物（２７）内的导电层（２４）所提供。该嵌埋导电层（２４）电性绝缘于该晶体管（３２）的栅极（１８）及源极／漏极区域（２８）。该嵌埋导电层（２４）位于该源极／漏极延伸部（３０...

通过在栅极电极侧壁间隔区（４０）之下，形成复合氧化物／氮化物内衬（２４，２５），而制造一种具有改善的晶体管性能的半导体装置；具体实施例则包含，通过分离等离子体沉积技术而沉积保形氧化物层（２４），通过分离等离子体沉积技术而沉积保形氮化物层...

一种形成半导体装置的方法，是于基材（３０）上形成栅极（３２），并于该基材（３０）与栅极（３２）上形成厚度小于１００埃的氧化物内衬（ｌｉｎｅｒ）（３４）。于该氧化物内衬（３４）上形成有氮化物层（３８）。通过蚀刻该氮化物层（３８）至该氧化物...

一种制造半导体装置的方法是包括在一绝缘层（１２）上方加上一硅层（１４），且部分去除该硅层（１４）的第一部分。该硅层（１４）包括第一部分与第二部分，且第二部分的厚度大于第一部分的厚度。开始的时候，该硅层（１４）的第一与第二部分的厚度有可能...

本发明揭露在虚拟接地阵列闪存组件中对字符线（２０）掺杂和自动对准硅化的制程，而不会引起位线（２６）之间的短路。根据本发明的一实施型态，在对多层进行线路制版之前，掺入杂质至字符线（２０），经由该多层，字符线（２０）形成于该核心区域内。藉此...

一种制造系统（１００，３００）包含工艺工具（１１５）、控制器媒介（３５０）及第一处理媒介。该工艺工具（１１５）配置成根据操作技术方法而处理工件（１３０）。该控制器媒介（３５０）配置成决定与该工艺工具（１１５）中的该工件（１３０）的处理相...

本发明系藉由控制黏晶圆角（３０）高度（Ｚ），以避免在一封装的半导体芯片中，造成破裂及脱层的方法与装置。具体地说，本发明藉由控制该黏晶材料（２０）的高度，而控制该黏晶圆角（ｄｉｅ　　ａｔｔａｃｈ　　ｆｉｌｌｅｔ）（３０）高度（Ｚ），进而减...

本发明揭露一种在衬底上形成具有不同厚度的氧化层的方法，其中该氧化层较佳地是作为场效应晶体管的栅极绝缘层之用。相较于传统的方法，本方法允许以较少的掩膜步骤来形成非常薄且具有高品质的氧化层，而其厚度差可维持在数十个纳米的范围之内。本方法在相...

本发明大致涉及完全耗尽型ＳＯＩ结构的掺杂方法，以及包含所形成掺杂区的半导体器件。在一个示例的实施例中，该器件包含在包括基体衬底（３０Ａ）、埋入氧化物层（３０Ｂ）和有源层（３０Ｃ）的绝缘层上硅衬底上形成的晶体管，该晶体管包含栅极电极（３６...

一种用以校准用于测量半导体装置特征尺寸的散射测量工具（７４）的方法以及结构，于一实施例中，该方法包含利用散射测量工具（７４）测量形成于晶片（３１）上至少一产品特征的临界尺寸（ｃｒｉｔｉｃａｌ　　ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ），利用散射测量工具（７...

本发明在离子植入步骤之后于井结构之上提供外延生长沟道层，并且执行热处理步骤以在该井结构内建立所需的掺杂分布。该沟道层如同所需可以是未掺杂或轻微地掺杂，以便在该沟道层内的最终获得的掺杂浓度相较于习知的组件为显著地减少，藉以在场效应晶体管的...

在一个说明的实施例中，该器件包括形成在绝缘体上硅衬底（３０）上方的晶体管（３２），该绝缘体上硅衬底（３０）包括基体衬底（３０Ａ）、掩埋绝缘层（３０Ｂ）及有源层（３０Ｃ），该基体衬底（３０Ａ）被掺杂第一类型掺杂材料并且在该基体衬底（３０Ａ...

于含硅导电区域上设有包含至少三种物质层（２２１，２２２和２２３）的叠层（２２０），以于该含硅导电区域上和其中形成硅化物部分（２０８），其中与硅毗邻的一层（２２１）提供用于硅化反应的金属原子，该中间层（２２２）藉于沉积期间供应含氮物以形成...

本发明大致关于具有嵌入式环形振荡器（２０）的散射测量法结构及使用该结构德各种方法。在所列举的一个实施例中，该方法包含有形成由具有用于复数个Ｎ沟道晶体管的复数个栅极结构（２６）的第一格栅结构（２２）和具有用于复数个Ｐ沟道晶体管的复数个栅极...

本发明涉及在一多厚度埋入氧化物层２０上形成的一种半导体装置及其数种制造方法。在一实施例中，该装置包含一块基底１２、在该块基底１２之上形成的一多厚度埋入氧化物层２０、以及在该多厚度埋入氧化物层２０之上形成的一主动层２１，系在该多厚度埋入氧...

本发明揭示了一种利用高产率的频谱散射量测法以控制半导体工艺的方法及执行该方法的系统。在一个实施例中，该方法包含下列步骤：提供一数据库，该数据库包含由多个栅极堆栈构成的一格栅结构的至少一条目标光学特性迹线，该目标迹线对应于具有至少一个所需...

一种方法，其中不同的金属层依序沉积在含硅区域上，以便该金属层的类型及厚度可以适合于该下层含硅区域的特定的特性，接着，执行热处理以转换该金属成为金属硅化物，以便改善该含硅区域的电性传导性。在此方式中，硅化物部分可以形成为个别地适合特定的含...

本发明提供一种在制造系统中代理信息的方法，包括一连接在信息提供者（１０２）与信息消费者（１０５）间的代理。该制造系统以第一格式从该提供者处接收信息并以第二格式从该代理处将信息送至该消费者。另外，本发明还提供一种在一制造系统中代理缺陷检测...