半导体制造工艺中加工晶片的方法技术

本发明专利技术提供一种在半导体制造工艺（１００）中加工一晶片（１１５）的技术。该方法包括首先从多工作站的加工机床（１０５）收集一工艺速率数据集，该数据集包含来自加工机床中至少两个工作站（１１０）的工艺速率数据。然后将收集的工艺速率数据传送至一控制器（１４５），此控制器自动比较该加工速率数据而决定是否调整其工艺参数。该方法然后调整至少一工作站的工艺参数以配合至少一工作站（１１０）的工艺终点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利技术之领域本专利技术涉及半导体加工(processing)，并且，更具体地，涉及半导体基片上工艺层(process layers)的抛光。
技术介绍
半导体装置的制造通常涉及各种工艺层的形成，选择性地除去或图案化部分的工艺层，并且在该半导体基片表面上沉积额外的工艺层。基片和沉积层总称为“晶片”。此过程持续至完成半导体装置制造为止。举例而言，这些工艺层可包括绝缘层、栅极氧化层、导电层以及金属或玻璃层等等。在晶片的制造过程中，工艺层最上面的表面通常要求为近似平面的，即平坦的，以便随后的沉积。使此晶片最上层产生近似平坦表面的操作称为“平面化(planarization)”。一种熟知平面化技术为“化学机械抛光法”或”CMP”。在一化学机械抛光作业中，将沉积材料抛光而使晶片平面化以供后续加工步骤用。视半导体制造过程中特定的步骤均可抛光绝缘层和导电层。例如，已沉积于晶片上金属层可利用化学机械抛光工具除去一部分金属层而形成例如金属线和插塞(plug)的导电性互连线。该化学机械抛光工具藉化学活性浆料和抛光垫所产生磨损(abrasive)作用而除去其金属工艺层。最典型的目的为除去绝缘层最上层金属工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体制造工艺（１００）中加工晶片（１１５）的方法，其中从一多站加工工具（１０５）中的至少两个工作站（１１０）收集一加工速率数据集并传输到控制器（１４５），该方法特征在于其包括：自动比较该加工速率数据以决定是否调整其工艺参数； 以及调整至少一工作站（１１０）的工艺参数以配合至少一个工作站的工艺终点。

【技术特征摘要】
US 2001-1-3 09/753,7051.一种在半导体制造工艺(100)中加工晶片(115)的方法，其中从一多站加工工具(105)中的至少两个工作站(110)收集一加工速率数据集并传输到控制器(145)，该方法特征在于其包括自动比较该加工速率数据以决定是否调整其工艺参数；以及调整至少一工作站(110)的工艺参数以配合至少一个工作站的工艺终点。2.如权利要求1所述的方法，其中从多工作站加工工具(105)收集所述工艺数据集包括从由化学机械抛光工具和多室蚀刻工具组成的(工具)组中的加工工具(105)收集的加工数据集。3.如权利要求1所述的方法，其中收集所述的加工速率数据集的步骤包括收集有关到一工艺终点经过的时间的数据。4.如权利要求1所述的方法，其中收集加工速率数据集包括在工艺(100)于一预定的时间段内产生的取样数据；存储取样的数据；以及在预定的时间段的终点报告存储的数据至一控制器(145)。5.如权利要求1所述的方法，其中收集加工速率数据集包括收集加工数据集于第一次运转；以及调整至少一工艺参数包括调整至少一参数于一第二次运转。6.一经指令编码的程序存储介质(325，330...

【专利技术属性】
技术研发人员：AJ帕撒丁，JSO休伊特，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]