用于非破坏性的检查半导体器件的装置和方法制造方法及图纸

一种非损坏的检查装置（或方法）被构成使激光束（１３００纳米）（３，５３）辐照在半导体器件芯片的表面（或背面）以扫描。由于激光束的辐照一缺陷位置被加热产生感生磁场的热电动势电流。磁场检测器（５）如ＳＱＵＩＤ（５５）检测磁场强度，据此产生扫描电磁图像。显示装置（７）在屏幕上将扫描电磁图像重叠在扫描激光器显微照片上，以致能在半导体器件上进行缺陷检测。半导体器件晶片（４０）包括热电动势产生器（２１）和其金属线（２０ａ）。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于对半导体器件的芯片进行非破坏性的检查的装置和方法，并且特别地涉及为检测电作用缺陷的非破坏性的检查。本专利技术也涉及适用于非破坏性的检查的半导体装置，以及制造该半导体装置的方法。这个申请是基于在日本递交的专利申请平10-272788，专利申请平11-67744和专利申请平11-133283，他们的内容被合并于此。
技术介绍
通常的非破坏性的检查技术被由已知的文稿比如标题“基于热电动势的OBIC分析技术”，其被提供作为在日本研究院促进基金132委员会的研究方面的132会议的材料，涉及带电粒子的工业的应用。这里，“OBIC”是“光束导入传导性”的缩写。这类非破坏性的检查技术用于在过程处理中布线系统的缺陷位置非破坏性的检测，用于缺陷分析和半导体装置的故障分析。另外，许多文稿描述了采用激光器的对半导体器件的检查装置和它的有关技术。例如，日本的专利申请公报，第一次公报平7-14898揭示出了用于半导体器件晶片的OBIC分析。日本的专利申请公报，第一次公报平4-312942揭示出用于半导体装置的OBIC电流检测方法。日本的专利申请文本，第一次公报平5-136240揭示出用于硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在半导体器件芯片上进行非损坏性检查的方法，该芯片上包含在衬底（３１）上相互接近的设置的第一和第二导体（３４ａ、３４ｂ），其中形成在衬底上的热电动势产生器（２１）的一端通过第一金属线（２０ａ）连接到第一导体，同时热电动势产生器的另一端通过第二金属线（２０ｂ）连接到第二导体，所述非损坏检查方法包括如下步骤：在热电动势产生器上辐照激光；检测当激光辐照在热电动势产生器上时产生的磁场；基于检测的结果已做出是否存在与第一和第二导体相关的短路缺陷。

【技术特征摘要】
JP 1998-9-28 1998-272788;JP 1999-5-13 1999-133283;1.一种用于在半导体器件芯片上进行非损坏性检查的方法，该芯片上包含在衬底(31)上相互接近的设置的第一和第二导体(34a、34b)，其中形成在衬底上的热电动势产生器(21)的一端通过第一金属线(20a)连接到第一导体，同时热电动势产生器的另一端通过第二金属线(20b)连接到第二导体，所述非损坏检查方法包括如下步骤在热电动势产生器上辐照激光；检测当激光辐照在热电动势产生器上时产生的磁场；基于检测的结果已做出是否存在与第一和第二导体相关的短路缺陷。2.根据权利要求1的非损坏性的检查方法，其特征在于激光受到转换以产生一激光束，该激光束被辐照在热电动势产生器上。3.根据权利要求2的非损坏性的检查方法，其特征在于还包括步骤与扫描相一致的移动在衬底上被激光束辐照的被辐照位置；建立该被辐照位置和显示装置的显示屏上的显示位置之间的位置相关；基于检测的磁场产生和在显示装置的显示屏上显示扫描磁场图像，该磁场强度是由亮度和彩色表示的。4.根据权利要求3的非损坏性的检查方法，其特征在于在激光束被移动以实现扫描时，衬底是被固定的。5.根据权利要求3的非损坏性的检查方法，其特征在于在衬底被移动以实现扫描时，激光束是被固定的。6.根据权利要求3的非损坏性的检查方法，其特征在于还包括步骤产生与半导体器件的衬底相对应的扫描激光器显微照片；以及在显示装置的显示屏上显示一合成图像，其是由相互重叠的扫描磁场图像和扫描激光器显微照片组成。7.根据权利要求2的非损坏性的检查方法，其特征在于具有透射过衬底但是不会引发OBIC电流的波长的激光束被辐照在半导体器件的衬底上。8.根据权利要求7的非损坏性的检查方法，其特征在于衬底相当于硅衬底。9.根据权利要求1的非损坏性的检查方法，其特征在于激光被辐照在半导体器件的衬底的背面，同时磁场是在接近于半导体器件的衬底的表面处被检测的。10.根据权利要求1的非损坏性的检查方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：二川清，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]