【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
在半导体制程中，有半导体测试这一步骤，半导体测试的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的设计指标。Flash存储器作为一种常用器件，其也需要进行相应参数的检测，对于这种器件， 其擦除电压(VEE)和编程电压(VEP)的测试方法包括在计算器(register)中载入一组数据，例如可以是编程电压，通常可以为16个，位于计算器的16个档位中；并通过在该档位下的值时烧断存储器中相应的保险丝，来不断调整到合适的电压(该过程被称作trim)，在此过程中需要用到精确测试单元(precision measure unit,PMU)来量测,接着采用相应的计算机预言编写相关程序，从16个测得的值中选取最接近目标值的一个测得的值作为最终结果。在现有的测试方法中，采用PMU装置进行测试，然而，该方法包括多个测量时间段和在利用每一个档位测试之后进行转换的时间段，如此便使得每次测试的时间约在几百微秒的范围内，这个时间范围对测试而言，是比较长的，尤其是一组测量16次时，每个存储器的测...
【技术保护点】
一种半导体测试方法，利用测试机测试待测单元的电参数，其特征在于，设定多个预定值、一目标参数、第一基准和第二基准，所述目标参数小于所述第一基准且大于所述第二基准；将一个预定值赋予待测单元，由测试机比较该预定值下待测单元的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，若所述电参数在所述第一基准和第二基准之间，则认可该电参数并停止测试，否则继续获得另一个预定值进行测试和判断。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张若成，索鑫，钱亮，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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