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本发明公开了一种半导体测试方法，设定第一基准和第二基准，采用测试机比较待测单元在某一设定值下的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，并由此判断是否合格，如此每次比较所耗时间将在纳秒级别，大大的缩短了单次测试时间，同时便避免了每次都需要进行1...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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