不合格的制造装置、晶片的检测方法和检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及根据在每一个晶片上产生的不合格分布，检测在半导体集成电路的制造工序中使用的异常制造装置的不合格检测方法和不合格检测装置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及根据在每一个晶片上产生的不合格分布，检测在半导体集成电路的制造工序中使用的异常制造装置的不合格检测方法。
技术介绍
为了提高LSI等的半导体集成电路的制造的生产性，人们进行了提高半导体集成电路的成品率的尝试。要想提高成品率，就要对使成品率下降的不合格进行分析，尽早弄明白、改善成为该不合格的原因的制造工序、制造装置或LSI的设计条件。但是，LSI要经过数百道制造工序，用数百的制造装置进行制造。即便是在测试中确认了LSI的不合格，要特定发生该不合格的制造工序和制造装置，也是困难的。在LSI的测试中，粗分起来有在晶片制造工序的结束后在组装工序之前进行的晶片测试，和在组装工序结束后进行的最后测试。晶片测试的目的在于减少不合格芯片向组装工序的混入。最后测试的目的在于在向用户交货之前确认LSI已满足厂家一侧所保证的性能。特别是晶片测试，可以对圆形的晶片进行。如果在晶片面内位置上映像显示测试结果的不合格，就可以知道晶片面内的不合格的产生位置。其代表性的映像是可在存储器产品中得到的失效位映像(FBMFail Bit Map)。映像于晶片面内的不合格，取决于该不合格在晶片面内的不合格本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不合格检测方法，其能利用［可以以批的批ＩＤ为抽出条件抽出上述批内的晶片的晶片ＩＤ，可以以上述批的批ＩＤ为抽出条件抽出上述批的制造工序，和在上述制造工序中使用的制造装置的处理履历信息］，和［可以以上述晶片的晶片ＩＤ和测试名称为抽出条件，抽出每一次测试中在晶片内发生的不合格的位置信息的测试信息］检测该不合格，该方法包括：　　　　在上述晶片上设定预定的区域划分；　　　　输入对象批的上述批ＩＤ；　　　　从上述批ＩＤ和上述处理履历信息中，抽出上述对象批内的对象晶片的上述晶片ＩＤ；　　　　从上述晶片ＩＤ和上述测试信息中抽出测试中的在上述对象晶片内的上述不合格的上述位置信息；　　　　对每一个上述对象晶片...

【技术特征摘要】
JP 2003-6-18 173838/20031.一种不合格检测方法，其能利用[可以以批的批ID为抽出条件抽出上述批内的晶片的晶片ID，可以以上述批的批ID为抽出条件抽出上述批的制造工序，和在上述制造工序中使用的制造装置的处理履历信息]，和[可以以上述晶片的晶片ID和测试名称为抽出条件，抽出每一次测试中在晶片内发生的不合格的位置信息的测试信息]检测该不合格，该方法包括在上述晶片上设定预定的区域划分；输入对象批的上述批ID；从上述批ID和上述处理履历信息中，抽出上述对象批内的对象晶片的上述晶片ID；从上述晶片ID和上述测试信息中抽出测试中的在上述对象晶片内的上述不合格的上述位置信息；对每一个上述对象晶片，计算根据上述区域划分使上述不合格在晶片面内的分布的偏向定量化的第1晶片特征量；根据对每一个上述对象晶片计算出来的上述第1晶片特征量，计算每一个上述对象批的第1批特征量；由上述处理履历信息，以上述对象批的上述批ID为抽出条件，抽出上述对象批的制造工序和在上述制造工序中使用的制造装置；对每一个上述第1批特征量，进行每一个上述制造工序的上述制造装置间的有效差异测定；和把具有有效差异的上述制造装置检测为第1异常装置。2.根据权利要求1所述的不合格检测方法，还包括把对上述第1异常装置检测出的上述第1批特征量抽出为第1异常检测批特征量；设定上述第1异常检测批特征量的第1特征量阈值；和把上述第1异常检测批特征量比上述第1特征量阈值大的上述对象批的批ID抽出为第1异常批ID。3.根据权利要求2所述的不合格检测方法，还包括由上述处理履历信息，把上述第1异常批ID的批内的晶片的晶片ID抽出为第1异常晶片ID；由上述测试信息，抽出与上述第1异常检测批特征量有关的上述测试中的上述第1异常晶片ID的上述不合格的上述位置信息；根据上述第1异常晶片ID的上述不合格的上述位置信息，把晶片面内的多个不合格分布图制作成第1异常晶片不合格分布图。4.一种不合格检测方法，其能利用[可以以批的批ID为抽出条件抽出上述批内的晶片的晶片ID，可以以上述批的批ID为抽出条件抽出上述批的制造工序，和在上述制造工序中使用的制造装置的处理履历信息]，和[可以以上述晶片的晶片ID和测试名称为抽出条件，抽出每一次测试中在晶片内发生的不合格的位置信息的测试信息]检测该不合格，该方法包括在上述晶片上设定多个区域划分；输入对象批的上述批ID；由上述批ID和上述处理履历信息抽出上述对象批内的对象晶片的上述晶片ID；由上述晶片ID和上述测试信息抽出测试中的在上述对象晶片内的上述不合格的上述位置信息；对每一个上述对象晶片，计算根据上述区域划分使上述不合格在晶片面内的分布的偏向定量化的第1晶片特征量；对于上述第1晶片特征量，用相关系数表示上述晶片间的类似度；根据上述类似度是否为预先设定的相关系数阈值或该阈值以上对上述晶片分组，抽出为第1异常晶片ID；由上述测试信息抽出上述第1异常晶片ID的上述不合格的上述位置信息；和根据上述第1异常晶片ID的上述不合格的上述位置信息，把晶片面内的多个不合格分布图制作为第1异常晶片不合格分布图。5.根据权利要求3所述的不合格检测方法，还包括根据上述第1异常晶片不合格分布图制作第1群集不合格分布图。6.根据权利要求5所述的不合格检测方法，还包括用上述第1群集不合格分布图，对每一个密度阈值，在上述对象晶片上设定不合格的密度比上述密度阈值高的不合格发生区域；对每一个上述对象晶片，计算根据上述不合格发生区域使上述不合格在晶片面内的分布的偏向定量化的第2晶片特征量；根据对每一个上述对象晶片计算出来的上述第2晶片特征量，计算每一个上述对象批的第2批特征量；对每一个上述第2批特征量，进行每一个上述制造工序的上述制造装置间的有效差异测定；和把具有有效差异的上述制造装置检测为第2异常装置。7.根据权利要求6所述的不合格检测方法，还包括把对上述第2异常装置检测出的上述第2批特征量抽出为第2异常检测批特征量；设定上述第2异常检测批特征量的第2特征量阈值；和把上述第2异常检测批特征量比上述第2特征量阈值大的上述对象批的批ID抽出为第2异常批ID。8.根据权利要求7所述的不合格检测方法，还包括由上述处理履历信息把上述第2异常批ID的批内的晶片的晶片ID抽出为第2异常晶片ID；由上述测试信息抽出与上述第2异常检测批特征量有关的上述测试中的上述第2异常晶片ID的上述不合格的上述位置信息；根据上述第2异常晶片ID的上述不合格的上述位置信息，把晶片面内的多个不合格分布图制作成第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：松下宏，门多健一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]