使用复合分子材料的浮置栅极存储装置制造方法及图纸

一种浮置闸极存储装置，该装置具有浮置闸极（２０）以及位于该浮置闸极（２０）上的绝缘层（２２）。控制闸极（２４）位于该绝缘层（２２）上。该绝缘层（２２）由分子矩阵所组成，该分子矩阵中分布有离子错合物。通过施加电场，该离子错合物在该分子矩阵中是可分离的，以改变该绝缘层（２２）中的电阻系数（或导电性）。经由高电阻系数（低导电性）状态（电荷是由浮置闸极（２０）所保留）至低的电阻系数（高导电性）状态之间的开关切换，储存在浮置闸极（２０）中的电荷可以轻易地流至闸极电极（２４）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于储存数据的浮置闸极存储单元(memorycell)，特别是，涉及一种使用具有可改变电阻的介电质作为闸极绝缘体的浮置闸极存储装置。
技术介绍
本件专利申请案的主要内容与2001年5月7日提出申请的美国专利临时申请案，编号第60/289,091号“使用复合分子材料的浮置闸极存储装置”所揭露的内容有关。计算机数据的储存，特别是随机存取内存(RAM)渐渐变成电子硬件中的重要组件。由于速度与数据保存的特性不同，这些存储装置又可以区分为许多不同的类型。动态随机存取内存(DRAM)是一种易失性内存，其特征在于破坏性读取。这表示需要随时对该存储位(memory bits)提供电压，否则讯息就会消失。此外，每个存储元件均具有与其相关的晶体管。静态随机存取内存(SRAM)是将数据储存于双稳态正反器(bistable flip-flop)，通常是由交叉耦合的反向器(inverters)所构成。由于只要供应电源即可保留数值(value)，因此称为“静态的”。相对于“ROM”，此种静态随机存取内存亦为易失性内存，亦即，当电源关掉时，所储存的内容就会消失。通常，SRAM的速度较DRA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浮置闸极存储装置，包括：　　　　基材；　　　　第一绝缘层，位于该基材上；　　　　浮置闸极，与该第一绝缘层电接触；　　　　第二绝缘层，与该浮置闸极电接触；以及　　　　控制闸极，位于该第二绝缘层上；　　　　其中，该第一与第二绝缘层的至少一者具有可控制变化的电阻系数。

【技术特征摘要】
US 2001-5-7 60/289,0911.一种浮置闸极存储装置，包括基材；第一绝缘层，位于该基材上；浮置闸极，与该第一绝缘层电接触；第二绝缘层，与该浮置闸极电接触；以及控制闸极，位于该第二绝缘层上；其中，该第一与第二绝缘层的至少一者具有可控制变化的电阻系数。2.根据权利要求1所述的装置，其中，该第一与第二绝缘层的至少一者包括分子矩阵。3.根据权利要求2所述的装置，其中，该第一与第二绝缘层的至少一者进一步包括分布于该分子矩阵的离子错合物。4.根据权利要求3所述的装置，其中，该离子错合物在施加电场的条件影响下，在分子矩阵中是可分离的。5.根据权利要求4所述的装置，其中，该分子矩阵包括聚合的共轭化合物。6.根据权利要求5所述的装置，其中，该聚合的共轭化合物系选自聚对苯撑、聚苯伸乙烯、聚苯胺、聚噻吩、或聚吡咯之一者。7.根据权利要求4所述的装置，其中，该分子矩阵系包括芳香族的以及杂环的分子。8.根据权利要求4所述的装置，其中，该分子矩阵包括准一维的错合物。9.根据权利要求8所述的装置，其中，该准一维的错合物包括酞菁基。10.根据权利要求8所述的装置，其中，该准一维的错合物包括卟啉尿。11.根据权利要求4所述的装置，其中，该分子矩阵是各向异性无机材料。12.根据权利要求11所述的装置，其中，该各向异性无机材料是NBSe3。13.根据权利要求4所述的装置，其中，该分子矩阵是(TMTSF)2X的分子化合物。14.根据权利要求4所述的装置，其中，该分子矩阵系K2Pt(CN)4Br0.3×3H2O(KCP)型的过渡金属盐。15.一种存储装置，包括第一绝缘层；浮置闸极，与该第一绝缘层电接触；第二绝缘层，与该浮置闸极电接触；以及控制闸极，位于该第二绝缘层上；其中，该第一与第二绝缘层的至少一者包括可在低导电性与高导电性状态之间转换的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A曼德尔，A波尔曼，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]