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一种浮置闸极存储装置，该装置具有浮置闸极（２０）以及位于该浮置闸极（２０）上的绝缘层（２２）。控制闸极（２４）位于该绝缘层（２２）上。该绝缘层（２２）由分子矩阵所组成，该分子矩阵中分布有离子错合物。通过施加电场，该离子错合物在该分子矩阵中是...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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