低温的掺杂后活化工艺制造技术

本发明专利技术提供一种有关ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　　Ｏｘｉｄｅ　　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　　Ｆｉｅｌｄ　　Ｅｆｆｅｃｔ　　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）半导体装置的制造方法，该制造方法包括：在基板（１０）之上形成栅极电极（２４），以及于该栅极电极（２４）和该基板（１０）之间形成栅极氧化物（１６）；在该基板（１０）上形成源极／漏极延伸区（３０、３２）；形成第一和第二侧墙间隔区（Ｓｉｄｅ　　Ｗａｌｌ　　Ｓｐａｃｅｒｓ）（３６、３８）；在该基板（１０）之内植入掺杂物（Ｄｏｐａｎｔ）（４４），以在邻近该侧墙间隔区（３６、３８）的该基板（１０）上，形成源极／漏极区（４０、４２）；施行激光热退火以活化该源极／漏极区（４０、４２）；在该源极／漏极区（４０、４２）之上沉积一镍层（４６）；施行退火以形成配置于该源极／漏极区（４０、４２）上的硅化镍层（４６）。该源极／漏极延伸区（３０、３２）和该侧墙间隔区（３６、３８）是邻接栅极电极（２４）。该源极／漏极延伸区（３０、３２）可具有５到３０纳米的深度，而该源极／漏极区（４０、４２）可具有４０到１００纳米的深度。该退火处理的温度是在３５０到５００℃之间。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体装置的制造，尤有关于一种可防止掺杂物(Dopant)去活化(Deactivated)的后激光退火工艺(Post-Laser AnnealProcesses)。
技术介绍
在过去数十年间，半导体工业由于使用半导体技术以制造小型、高整合的电子装置，而经历了一场工业革命，而目前最普遍使用的半导体技术是以硅为基础。至目前已经有许多种类的半导体装置被制造出来，这些半导体装置并在许多规则中具有各种用途。一种以硅为基础的半导体装置是为金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)晶体管。由于MOS晶体管是为大部份现代电子装置的基本建构块的一，因此非常重要的是，当增加MOS晶体管的性能且降低制造成本时，变可使这些电子装置有改善的性能和较低的成本。典型的MOS半导体装置通常包含一半导体基板，而于该半导体基板上配置栅极电极。该栅极电极是作为导体，其可接收输入信号以控制该装置的操作。通常在基板的邻近栅极电极的区域上，藉由对该区域掺杂具有预期的导电性的掺杂物，以形成源极区和漏极区。而该掺杂区的导电性是取决于用以掺杂该区域的不纯物的型式。典型的MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其步骤包括：在基板１０之上形成栅极电极２４，以及于该栅极电极２４和该基板１０之间形成栅极氧化物１６；在该基板１０之内植入掺杂物４４以在接近该栅极电极２４的该基板１０上形成源极／漏极区４０、４２； 施行激光热退火以活化该源极／漏极区４０、４２；以及形成配置于该源极／漏极区４０、４２上的硅化镍层４８。

【技术特征摘要】
US 2001-10-25 09/983,6251.一种半导体装置的制造方法，其步骤包括在基板10之上形成栅极电极24，以及于该栅极电极24和该基板10之间形成栅极氧化物16；在该基板10之内植入掺杂物44以在接近该栅极电极24的该基板10上形成源极/漏极区40、42；施行激光热退火以活化该源极/漏极区40、42；以及形成配置于该源极/漏极区40、42上的硅化镍层48。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该形成硅化镍的步骤包含一步骤，其在低于该源极/漏极区40、42中的掺杂物发生去活化的温度的温度下施行退火。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，该形成硅化镍的步骤的温度是约350到500℃。4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该形成硅化镍的步骤包含一步骤，其在该源极/漏极区40、42之上沉积约8到20纳米的镍46。5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其步骤复包括在邻近该栅极电极24的该基板10上形成源极/漏极延伸区30、32；以及形成邻近该栅极电极24的侧墙间隔区36、38。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：B于，RB奥格莱，EN佩顿，CE塔贝里，奇相，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]