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本发明提供一种有关ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　　Ｏｘｉｄｅ　　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　　Ｆｉｅｌｄ　　Ｅｆｆｅｃｔ　　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）半导体装置的制造方法，该制造方法包括：在基板（１０）之上形成栅极电极（２４），以及于该栅极电极（２...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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