形成鳍状场效应晶体管器件中的结构的方法技术

一种半导体器件，包括第一鳍状结构（８１０）、第二鳍状结构（８１０）及第三鳍状结构（２１０）。该第一及第二鳍状结构（８１０）包括单晶硅材料。该第三鳍状结构（２１０）位于该第一及第二鳍状结构（８１０）之间，其包括介电材料。该第三鳍状结构（２１０）产生应力，该应力导引至该第一及第二鳍状结构（８１０）中的单晶硅材料。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半导体制造，尤其涉及形成鳍状场效应晶体管(FinFET)器件。
技术介绍
随着在超大尺寸集成半导体器件领域对高密度及高性能需求的逐渐增强，要求诸如栅极长度等设计特征小于100nm，并具有高可靠性能和不断增加生产率。这种在设计特征尺寸(design features)减小到100nm以下后，对传统方法论的极限提出了挑战。例如，当传统的平面型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极长度小于100nm时，短沟道效应引起的例如源极与漏极间的过量漏电流(excessive leakage)问题，变得越来越难克服。此外，迁移率降低以及许多工艺处理方面的问题也使得传统MOSFET很难掌握对尺寸不断减小的器件特性的兼容。因此急待研发一种新器件结构以改善FET的性能并容许器件规模更进一步减小。双栅极MOSFET描述一种新的结构，该结构已经被认为是替代目前平面型MOSFET的最佳结构。在双栅极MOSFET内，可使用两个栅极控制短沟道效应。而鳍状场效应晶体管(FinFET)是双栅极结构，其有很好的短沟道效应行为，该FinFET包括有形成在垂直鳍状片(Fin)中的沟道。该Fi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包含：　　　　第一鳍状结构（２１０），包含介电材料且包括有第一侧表面及第二侧表面；　　　　第二鳍状结构（８１０），包含单晶硅材料且形成于邻近该第一鳍状结构（２１０）的第一侧表面；　　　　第三鳍状结构（８１０），包含该单晶硅材料且形成于邻近该第一鳍状结构（２１０）的第二侧表面；　　　　源极区（９１０），形成于该第一鳍状结构（２１０）、第二鳍状结构（８１０）及第三鳍状结构（８１０）的一端；　　　　漏极区（９２０），形成于该第一鳍状结构（２１０）、第二鳍状结构（８１０）及第三鳍状结构（８１０）的另一端；以及　　　　至少一个栅极（９３０，９４０）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-4-3 10/405,3431.一种半导体器件，包含第一鳍状结构(210)，包含介电材料且包括有第一侧表面及第二侧表面；第二鳍状结构(810)，包含单晶硅材料且形成于邻近该第一鳍状结构(210)的第一侧表面；第三鳍状结构(810)，包含该单晶硅材料且形成于邻近该第一鳍状结构(210)的第二侧表面；源极区(910)，形成于该第一鳍状结构(210)、第二鳍状结构(810)及第三鳍状结构(810)的一端；漏极区(920)，形成于该第一鳍状结构(210)、第二鳍状结构(810)及第三鳍状结构(810)的另一端；以及至少一个栅极(930，940)。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中该第一鳍状结构(210)的宽度大约在200到1000范围内。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中该介电材料包括氧化物及氮化物的其中之一。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中该第二鳍状结构(810)及第三鳍状结构(810)的各自宽度大约在100到1000范围内。5.一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括衬底(200)以及形成在该衬底(200)上的介电层(210)，该方法特征在于蚀刻该介电层(210)以形成第一鳍状结构(210)；沉积无定形硅层(310)；蚀刻该无定形硅层(310)以形成邻近于该第一鳍状结构(210)的第一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：林明仁，汪海宏，俞斌，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]