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形成鳍状场效应晶体管器件中的结构的方法技术
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文档序号:3195909
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一种半导体器件,包括第一鳍状结构(810)、第二鳍状结构(810)及第三鳍状结构(210)。该第一及第二鳍状结构(810)包括单晶硅材料。该第三鳍状结构(210)位于该第一及第二鳍状结构(810)之间,其包括介电材料。该第三鳍状结构(210...
该专利属于先进微装置公司所有,仅供学习研究参考,未经过先进微装置公司授权不得商用。
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