双金属镶嵌过程方法和形成双金属镶嵌结构的方法技术

本发明专利技术揭示一种双金属镶嵌过程方法，包括于含有单层的电介质材料的绝缘结构中形成多个通孔开口；并同时（ｉ）于绝缘结构中形成多个沟道，各沟道沿着一群通孔开口大致形成的直线而定位，和（ｉｉ）使用散射仪系统监控沟道的形成以判定沟道深度，以及当达到所希望的沟道深度时，则终止形成该沟道。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上关于在半导体基板上形成双金属镶嵌结构的方法。祥言之，本专利技术关于在绝缘材料的单层上有效地形成双金属镶嵌结构，而不需要沟道蚀刻终止层。
技术介绍
现有的半导体装置一般包括半导体基板和形成于其上的多层电介质和导体层。集成电路包含许多的微电子组件，譬如金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)、多个包含了由互联机间隔所隔开的导体线的导体图案、和多条譬如总线线、位线、字符线和逻辑互联机的互联机。此等由金属互联机材料所制成的互联机，通常就集成电路的尺寸(宽度)和多种功能特征而言，构成了限制因素。由于此种情况，因此需要有能够有效地提供具有小尺寸且能够达成高操作速率、改进信号对噪声比并改进可靠度的可靠的互联机结构。使用双金属镶嵌过程，半导体组件通过数千个用于导体线和通孔的开口而图案化，该等导体线和通孔填满了譬如铝或铜的导电材料，并用来作为集成电路的主动和(或)被动组件的互联机。双金属镶嵌过程亦可用来形成于多层基板的绝缘层中的导体金属的多层信号线，在此多层基板上安装有半导体组件。金属镶嵌(单金属镶嵌)是一种互联机制造过程，其中凹槽形成于绝缘结构上并填满了金属以形成导体线。双金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双金属镶嵌过程方法，包括：提供在其上表面上具有绝缘结构的半导体基板，该绝缘结构实质上由单层的电介质材料组成；于该绝缘结构上形成多个通孔开口，其中各群的通孔开口系实质地直线定位；同时，（ｉ）于绝缘结构上形成 多个沟道，各沟道沿着一群的通孔开口实质地直线定位，以及（ｉｉ）使用散射度量系统通过产生关联于形成沟道的一标记、将标记与标记库作比较以决定沟道深度、和当获得所希望的沟道深度时终止形成沟道，而监视该沟道的形成；以及用导体金属填满 该沟道和通孔开口。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2002-8-5 10/212,9831.一种双金属镶嵌过程方法，包括提供在其上表面上具有绝缘结构的半导体基板，该绝缘结构实质上由单层的电介质材料组成；于该绝缘结构上形成多个通孔开口，其中各群的通孔开口系实质地直线定位；同时，(i)于绝缘结构上形成多个沟道，各沟道沿着一群的通孔开口实质地直线定位，以及(ii)使用散射度量系统通过产生关联于形成沟道的一标记、将标记与标记库作比较以决定沟道深度、和当获得所希望的沟道深度时终止形成沟道，而监视该沟道的形成；以及用导体金属填满该沟道和通孔开口。2.如权利要求1所述的方法，其中产生关联于形成该沟道的该标记包括将入射光束导射于该绝缘结构，收集从该绝缘结构来的反射光，以及将该反射光变换为标记。3.如权利要求1所述的方法，其中关联于形成该沟道的该标记，当该标记出现于形成该等沟道之前、期间和之后，对应于关联于该绝缘结构的上表面的特定深度和轮廓。4.如权利要求1所述的方法，其中用一分析系统来比较该标记与标记库，以决定沟道深度。5.如权利要求1所述的方法，其中用一闭回路反馈控制系统依照该判定的沟道深度来终止该沟道的形成，包括经由该闭回路反馈控制系统将相关于沟道深度的信息供给至一沟道蚀刻控制器，其中该沟道蚀刻控制器连接到经训练的神经网络，促使该沟道的形成的终止。6.如权利要求1所述的方法，其中该散射度量系统进一步比较该标记与标记库，以判定沟道轮廓，并当到达所希望的沟道轮廓时，终止形成该沟道。7.如权利要求1所述的方法，其中用一分析系统比较该标记与标记库，以判定沟道深度和通孔深度。8.如权利要求1所述的方法，其中该电介质材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：R苏伯拉玛尼安，CF莱昂斯，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]