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本发明揭示一种双金属镶嵌过程方法，包括于含有单层的电介质材料的绝缘结构中形成多个通孔开口；并同时（ｉ）于绝缘结构中形成多个沟道，各沟道沿着一群通孔开口大致形成的直线而定位，和（ｉｉ）使用散射仪系统监控沟道的形成以判定沟道深度，以及当达到所希...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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