具有应变膜的绝缘体上硅装置及用于形成应变膜的方法制造方法及图纸

一种具有应变膜（１４）的绝缘体上硅装置，包括基板（１０）以及在该基板（１０）上的埋藏氧化物层（１２）。硅岛（１８）系形成于该埋藏氧化物层（１２）上，并且藉由沟槽（１６）而将该硅岛（１８）彼此隔开，该埋藏氧化物层（１２）具有在该沟槽（１６）正下方的凹处（２２），材料（２４）填补该凹处（２２）与该沟槽（１６），此材料（２４）与形成于该埋藏氧化物层（１２）材料不同，该材料（２４）是导入净应变量于该硅岛（１８）中，藉此修正在该应变膜（１４）中的载流子的电性并且改善装置性能。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关半导体制造的领域，尤指用于绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)装置应变膜(strained device film)的形成者。
技术介绍
用于互补性金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor，CMOS)集成电路(integrated circuits，ICs)的绝缘体上硅(SOI)技术的优点已广见于文献中。通常，SOI技术降低在源极/漏极与基板之间不要的p-n接合面电容，与其它用于CMOS集成电路的现有技术相比，SOI技术可降低将近百分的25的p-n接合面电容。再者，在维持装置性能相等于形成于原硅(bulk-silicon)基板上的相似装置的性能的同时，由SOI技术所制造的CMOS集成电路具有较少的主动电流消耗量。其它SOI技术的优点包括抑制短沟道效应(short channel effect)、抑制体效应(body-effect)、高穿孔测试(highpunch-through immunity)、以及降低闩锁(latch-up)与数据读取错误(soft errors)。随着对以电池操作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成应变膜的方法，包括下列步骤：蚀刻在具有基板（１０）的绝缘体上硅结构的埋藏氧化物层（１２）中的凹处（２２）、在该基板（１０）上的埋藏氧化物层（１２）、以及在该埋藏氧化物层（１２）上的硅层（１４），该硅层（１４）具有沟槽（１ ６），而且在该埋藏氧化物层（１２）中的凹处（２２）的蚀刻包括蚀刻贯穿在该硅层（１４）中的沟槽（１６）；以及以导入在该硅层（１４）中的净应变量材料（２４）填补在该埋藏氧化物层（１２）中的凹处（２２）与该沟槽（１６）。

【技术特征摘要】
US 2002-6-25 10/178,5421.一种用于形成应变膜的方法，包括下列步骤蚀刻在具有基板(10)的绝缘体上硅结构的埋藏氧化物层(12)中的凹处(22)、在该基板(10)上的埋藏氧化物层(12)、以及在该埋藏氧化物层(12)上的硅层(14)，该硅层(14)具有沟槽(16)，而且在该埋藏氧化物层(12)中的凹处(22)的蚀刻包括蚀刻贯穿在该硅层(14)中的沟槽(16)；以及以导入在该硅层(14)中的净应变量材料(24)填补在该埋藏氧化物层(12)中的凹处(22)与该沟槽(16)。2.如权利要求1所述的方法，其中，蚀刻该凹处(22)的步骤包括该硅层(14)正下方的蚀刻底切(20)。3.如权利要求1所述的方法，其中，蚀刻该凹处(22)的步骤包括等向性蚀刻该埋藏氧化物层(12)。4.如权利要求1所述的方法，其中，该材料(24)为氮化物。5.如权利要求1所述的方法，其中，仅蚀刻该凹处(22)至该...

【专利技术属性】
技术研发人员：WP毛斯萨拉，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]