【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种电子器件，主要是一种晶体管。具体地说是一种绝缘体上硅 (SOI)横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDM0SFET)。
技术介绍
近年来，电机控制，电子镇流器，功率供应开关模块及其它相关技术推动着智能功 率集成电路(SPIC)快速发展。在SPIC中，LDMOS器件发挥中重要作用。LDMOS器件的设 计，首要考虑的因素是击穿电压(BV)与导通电阻(Ron)的折衷问题。近期，一种称为超结 (Super Junction)的新型器件，由于其相对传统器件在击穿电压及导通电阻的折衷方面有 很大的改善而被广泛关注。超结的观念是基于器件在关闭状态时，漂移区中交替并重掺杂 的n、P柱能够完全电荷补偿。假设超结中的η、Ρ柱很窄而且各自内部的杂质相同时，在很 小的电压下，η、ρ柱就处于耗尽状态，而此时，η、ρ柱显示出固有层的属性，且漂移区中的电 场能够得到近似一致分布，因此击穿电压得到了较人的提高。然而，LDMOS晶体管中包含的ρ型衬底的电荷参与了超结结构中的电荷补偿，因 此，器件的击穿电压受到较大影响，致使超结结构在横向功率器件中没有得到大范围的应 用。...
【技术保护点】
一种具有应变硅结构的高压低功耗ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管，包括源区（９）、体区（８）、漏区（５）、超结结构中ｎ柱（３）、超结结构中ｐ柱（４）、源电极（１０）、漏电极（１２）、栅电极（１１）、埋置介质层（６），其特征是：所述超结结构中ｐ柱（４）为与硅材料晶格不匹配的单晶材料，所述单晶材料是如Ｇｅ或ＳｉＧｅ使硅能够生成应变的材料，所述超结结构中ｎ柱（３）为在超结结构中ｐ柱（４）基础上生成的ｎ型平行于源漏电极的横向张应变硅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，胡海帆，曹菲，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]
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