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一种具有应变膜（１４）的绝缘体上硅装置，包括基板（１０）以及在该基板（１０）上的埋藏氧化物层（１２）。硅岛（１８）系形成于该埋藏氧化物层（１２）上，并且藉由沟槽（１６）而将该硅岛（１８）彼此隔开，该埋藏氧化物层（１２）具有在该沟槽（１６）正...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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