【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及一种CMOS结构及其制备方法，更确切的说，本专利技术涉及一种局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其制备方法。
技术介绍
CMOS器件包括NMOS器件和PMOS器件，NMOS器件中的电子和PMOS器件中的空穴统称为载流子；由于不同种类的应力(张应力和压应力)会对CMOS器件沟道中的载流子迁移率产生不一样的影响，既在沟道横向上的张应力CMOS器件均有益于载流子迁移率，而在沟道纵向上的张应力只有利于NMOS器件中电子迁移率，相应地在沟道纵向上的压应力只有利于PMOS器件空穴迁移率。双应力应变技术(DSL，Dual Stress Liners)技术则是根据上述应力对器件载流子迁移率的影响，通过在MOS器件上面覆盖不同应力特性的应力层(stress liner)，使得NMOS和PMOS的沟道具有不同的应变特性，以增大载流子迁移率，从而改善CMOS性能； 其中，空穴迁移率可以增大20%，如果进一步结合应力接近技术(SPT，Stress Proximity Technique)，空穴迁移率可以增大30%左右。由于(110)晶面在<110>晶向上的空...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓橹，谢欣云，毛刚，陈玉文，邱慈云，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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