本公开提供了一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含：介电层；第一导电层，所述第一导电层穿透所述介电层；以及接地结构，所述接地结构安置在所述介电层内且与所述第一导电层相邻。所述介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一...

本公开涉及一种装置结构和用于制造装置结构的方法。所述装置结构包括堆叠结构、介电材料和电极导孔。所述堆叠结构包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和金属层。所述第二金属氧化物层与所述第一金属氧化物层相对。所述金属层插入于所述第一金属氧化物...

本公开涉及一种衬底结构和一种用于制造半导体封装的方法。所述衬底结构包含芯片附着区域和围绕所述芯片附着区域的上部板边。所述上部板边包含上部应力释放结构和上部加强结构。所述上部应力释放结构围绕上部芯片附着区域。所述上部加强结构围绕所述上部应...

本公开涉及一种导热单元、电子模块和散热装置。所述导热单元包含传导通孔、外围导体和隔离材料。所述传导通孔包含第一热电材料。所述外围导体包围所述传导通孔并且包含第二热电材料。所述外围导体的一端电连接到所述传导通孔的一端。所述隔离材料插置在所...

本公开的至少一些实施例涉及一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包含衬底、电连接到所述衬底的管芯和第一包封料。所述管芯具有前表面和与所述前表面相反的后表面。所述第一包封料安置在所述衬底与所述管芯的所述前表面之间。所述第一包封料与所述管芯...

本发明提供一种功率放大器电路，其包含电流产生器和电流镜驱动器。所述电流产生器具有连接到第一电压源的第一输入和被配置成产生第一电流的输出。所述电流产生器包含第一晶体管、第二晶体管、第一电阻器和第二电阻器。所述第一晶体管具有连接到地的发射极...

本公开提供了一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包含：半导体管芯表面，所述半导体管芯表面具有较窄间距区域和与所述较窄间距区域相邻的较宽间距区域；多个第一类型导电柱，所述第一类型导电柱位于所述较窄间距区域中，所述第一类型导电柱中的每个第...

本公开提供了一种引线框架，所述引线框架包含：晶粒衬垫，所述晶粒衬垫具有顶部衬垫表面和与所述顶部衬垫表面相反的底部衬垫表面；多个引线，每个引线具有顶部引线表面和与所述顶部引线表面相反的底部引线表面并且安置在所述晶粒衬垫周围；以及第一模制原...

本公开提供了天线封装结构及封装方法。该天线封装结构包括：基板，其第一表面具有凹陷结构；反射面，设置于凹陷结构内，具有一聚焦点，反射面为金属材料；天线，设置于第一表面并位于聚焦点处。该天线封装结构能够利用反射面将来自不同方向的信号汇聚至天...

本发明提供了一种半导体装置封装和其封装方法。所述半导体装置封装包括载体、电子组件、缓冲层、加强结构以及封装体。所述电子组件安置在所述载体之上并且具有有源区域。所述缓冲层安置在所述电子组件的所述有源区域上。所述加强结构安置在所述缓冲层上。...

本发明提供一种半导体装置封装，其包含衬底、半导体装置和密封体。所述衬底包含钝化层、第一导电层和阻挡层。所述钝化层具有大体上竖直侧壁。所述第一导电层安置于所述钝化层上。所述阻挡层安置于所述钝化层和所述第一导电层上。所述阻挡层包含大体上倾斜...

本公开提供了半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构的一具体实施方式包括：堆叠介电层，由至少一个第一介电层堆叠而成，第一介电层具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及由第一表面向第二表面延伸的第一凹部，第一表面设置有贯穿第一凹部...

本发明提供了一种半导体衬底，包括：空旷区；内埋有芯片的第一内埋区，由空旷区围绕；多个第一导电柱，贯穿空旷区并布置在第一内埋区周围；以及导电线，多个第一导电柱通过导电线串联，以形成围绕第一内埋区的针线结构。本发明在另一方面提供一种形成内埋...

本公开提供了一种半导体装置封装和其制造方法，所述半导体装置封装包含显示装置、包封层以及加强结构，所述包封层安置成与所述显示装置直接接触，所述加强结构被所述包封层包围。所述加强结构与所述显示装置的第一表面间隔开。隔开。隔开。

本发明涉及一种半导体装置封装，其包含第一导电层、第二导电层和第三导电层。所述第一导电层具有第一间距。所述第二导电层具有第二间距并且布置在所述第一导电层的两个不同的侧面处。所述第三导电层具有第三间距并且安置在所述第一导电层和所述第二导电层...

本发明涉及一种半导体装置封装及其制造方法，所述半导体装置封装包含：连接结构，其具有第一部分以及从所述第一部分延伸的第二部分，所述第二部分具有小于所述第一部分的宽度；以及介电层，其围绕所述连接结构，其中所述介电层和所述连接结构的所述第二部...

一种内埋元件封装结构及其制造方法。内埋元件封装结构包括一介电结构、一半导体芯片以及一图案化导电层。半导体芯片内埋于介电结构中，介电结构包覆半导体芯片且具有一第一厚度，半导体芯片具有一第二厚度，第一厚度大于第二厚度，且第一厚度与第二厚度的...

本公开涉及一种半导体装置封装和其制造方法。所述半导体装置封装包含主衬底、至少一个薄膜晶体管模块、至少一个第一电子组件、至少一个密封材料和多个发光装置。所述主衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述薄膜晶体管模块安置成邻近所述...

本发明提供一种堆叠式结构及其制造方法。所述堆叠式结构包含下部结构、上部结构和缓冲层。所述下部结构包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层相接触的至少一个下部金属层。所述上部结构包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层相接触的至少一个上部...

本发明提供一种堆叠结构、封装结构及其制造方法。所述堆叠结构包含下部结构及上部结构。所述下部结构包含至少一个下部介电层及与所述下部介电层接触的至少一个下部金属层。所述上部结构包含至少一个上部介电层及与所述上部介电层接触的至少一个上部金属层...