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日月光半导体制造股份有限公司专利技术
日月光半导体制造股份有限公司共有2576项专利
用于制作半导体设备的集成系统技术方案
本揭露涉及一种用于制作半导体设备的集成系统,其包含第一承载卡匣、与所述第一承载卡匣连接的装备前端模块、与所述装备前端模块连接的第一腔室及与所述第一腔室连接的切割模块。所述切割模块包含提供干膜的干膜供应单元、切割所述干膜的切割单元及可收集...
半导体装置封装制造方法及图纸
半导体装置封装包含重新分布层、多个导电柱、增强层及包封物。所述导电柱与所述第一重新分布层直接接触。所述增强层围绕所述导电柱的侧表面。所述包封物包封所述第一重新分布层及所述增强层。所述导电柱通过所述增强层彼此分隔开。
半导体设备封装及其制造方法技术
本公开涉及一种包含衬底和插入件的半导体设备封装。所述插入件的底表面通过包含间隔件的导电粘性层附接到所述衬底的顶表面。
衬底结构及其制造方法技术
本申请揭示了一种衬底结构及其制造方法。所述衬底结构包含衬底、第一重布结构、第一粘性层和第一连接组件。所述衬底包含在其第一表面上的第一导体。所述第一重布结构安置在所述衬底之上。所述第一粘性层安置在所述衬底和所述第一重布结构之间。所述第一连...
半导体装置封装及其制造方法制造方法及图纸
本公开提供了一种半导体装置封装,其包括衬底、重新分布结构、导电衬垫、导电元件和导电通孔。所述重新分布结构设置在所述衬底之上,并且包含第一电介质层与第一导电层。所述导电衬垫设置在所述第一电介质层的第一表面上。所述导电元件设置在所述第一电介...
半导体装置封装和其制造方法制造方法及图纸
本公开涉及一种半导体装置封装,其包含衬底;电子组件,其安置于所述衬底上;支撑结构,其安置于所述衬底上并且环绕所述电子组件;和散热结构,其安置于所述支撑结构上。所述支撑结构的长度和所述散热结构的长度大于所述衬底的长度。
半导体封装及其制造方法技术
本公开提供一种半导体封装,其包含:半导体裸片,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;传导性布线层,其与所述半导体裸片堆叠且接近所述第一表面;封装体,其包封所述半导体裸片且与所述传导性布线层堆叠;以及替换结构,其从所述封装体暴露且...
光学封装制造技术
本公开提供一种光学封装,其包括衬底、图像传感器、微透镜、光学滤波器层、约束层和缓冲层。所述图像传感器安置于所述衬底上。具有第一杨氏模数的所述微透镜安置于所述图像传感器上。具有第二杨氏模数的所述光学滤波器层安置于所述微透镜上。所述约束层安...
半导体设备封装和其制造方法技术
一种半导体设备封装,其包含重新分布层结构、盖、感测组件以及包封体。所述盖安置于所述重新分布层结构上且与所述重新分布层结构一起界定空腔。所述感测组件安置于所述空腔中。所述包封体包围所述盖。
半导体设备封装和其制造方法技术
本公开提供一种半导体设备封装和其制造方法。所述半导体设备封装包含电路层和天线模块。所述电路层具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及侧面。所述侧面在所述第一表面与所述第二表面之间延伸。所述电路层具有互连结构。所述天线模块具有天线图...
堆叠结构及其制造方法技术
一种堆叠结构包含聚合物层和金属层。所述金属层安置在所述聚合物层上。所述聚合物层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约150μm,且所述金属层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约7μm。
半导体封装及其制造方法技术
本揭露的实施例涉及一种半导体封装,其包含包含衬底、传导柱、及金属层。所述衬底具有第一表面、与所述第一表面相对之第二表面、及从所述第一表面延伸至所述第二表面的开口。所述开口具有侧壁,所述传导柱设置于所述开口中。所述金属层设置于所述衬底中。...
半导体封装结构和其制造方法技术
本公开涉及一种半导体封装结构和用于制造半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包括基底、至少一个半导体元件、第一介电层、第二介电层以及电路层。所述半导体元件设置在所述基底上,且其具有上表面。所述第一介电层覆盖所述半导体元件的外围表面的至...
光电子封装和其制造方法技术
本公开提供了一种光电子封装,所述光电子封装包含:衬底,所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;位于所述衬底的所述第一表面上的光电子组件;以及第一导电通孔,所述第一导电通孔连接所述衬底的所述第一表面和所述第二表面。所述光电子组...
半导体设备封装及其制造方法技术
本发明提供一种半导体设备封装,其包含衬底、支撑结构及第一天线。所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述支撑结构安置于所述衬底的所述第一表面上。所述第一天线安置于所述支撑结构上。所述第一天线具有面向所述衬底的第一表面、与所...
电子设备封装和其制造方法技术
一种电子设备封装及用于制造电子设备封装的方法,其包含重新分布层和导电衬底。所述RDL包含第一表面。所述导电衬底安置在所述第一表面上且电连接到所述RDL。所述RDL的电路密度高于所述导电衬底的电路密度,且所述RDL的边缘从所述导电衬底的相...
半导体设备封装制造技术
一种半导体设备封装包括载体、停止层、阻挡层和包封料。所述载体具有第一表面和相对于所述第一表面下凹的第二表面。所述停止层安置在所述载体的所述第二表面上。所述阻挡层安置在所述停止层上并且从所述载体的所述第一表面凸出。所述包封料安置在所述载体...
电子设备封装和其制造方法技术
一种电子设备封装和其制造方法。电子设备封装包含第一导电衬底、第二导电衬底以及介电层。所述第一导电衬底具有第一热膨胀系数CTE。所述第二导电衬底安置在所述第一导电衬底的上表面上并且电连接到所述第一导电衬底。所述第二导电衬底具有第二CTE。...
半导体封装装置和其制造方法制造方法及图纸
本发明提供一种传感模块、半导体装置封装以及其制造方法。所述传感模块包含传感装置、第一保护膜和第二保护膜。所述传感装置具有有源表面和与所述传感装置的所述有源表面相邻安置的传感区域。所述第一保护膜安置在所述传感装置的所述有源表面上且完全覆盖...
半导体设备封装和其制造方法技术
一种半导体设备封装包含第一电子组件、多个第一导电迹线、第二电子组件、多个第二导电迹线以及多个第一导电结构。所述第一电子组件具有第一主动表面。所述第一导电迹线安置在所述第一主动表面上并且电连接到所述第一主动表面。所述第二电子组件堆叠在所述...
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