半导体封装及其制造方法技术

本公开提供一种半导体封装，其包含：半导体裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；传导性布线层，其与所述半导体裸片堆叠且接近所述第一表面；封装体，其包封所述半导体裸片且与所述传导性布线层堆叠；以及替换结构，其从所述封装体暴露且无填充物。本公开中还公开了一种用于制造所述半导体封装的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法
本公开涉及一种半导体封装，确切地说涉及一种扇出型封装结构。
技术介绍
为了适应移动通信设备的开发，体积减小(例如，变薄)、制造成本降低、功能灵活性和加快的产品周期对于设备封装是必不可少的。研磨是在减小封装厚度的半导体封装中众所周知的方法。一般来说，半导体裸片安置在重新分布层(RDL)上，用模制原料包封，研磨模制原料以使封装厚度变薄，且随后进行裸片锯切或单切操作。然而，此制造顺序有以下问题：首先，研磨封装由于结构稳固性不足而容易翘曲，当随后进行分割时，翘曲特征可能使基座所提供的真空吸力变差，从而增加分割操作的难度。其次，由于辊刀片(rollerblade)可在完成完全切割的时刻提升其旋转速度，因此邻近模制原料处可能产生裂纹。对于半切割操作，辊刀片还有可能由于操作期间不可避免的震动而使邻近模制原料开裂。
技术实现思路
在一些实施例中，本公开提供一种半导体封装，其包含：半导体裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；传导性布线层，其与所述半导体裸片堆叠且接近所述第一表面；封装体，其包封所述半导体裸片且与所述传导性布线层堆叠；以及替换结构，其从所述封装体暴露且无填充物。在一些实施例中，本公开提供一种半导体封装，其包含：半导体裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；传导性布线层，其与所述半导体裸片堆叠且接近所述第一表面；封装体，其包封所述半导体裸片且与所述传导性布线层堆叠，所述封装体具有第一模量；以及替换结构，其从所述封装体暴露且具有第二模量。所述第二模量大于所述第一模量。在一些实施例中，本公开提供一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包含：提供具有第一表面的第一载体；将替换结构安置在所述第一表面上方；以及将所述第一载体上的所述替换结构啮合到承载多个半导体裸片的第二载体，所述替换结构与将邻近的半导体裸片隔开的区域对准。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述容易理解本公开的各方面。应注意，各种特征可不按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装的横截面图。图2说明根据本公开的一些实施例的图1中的半导体封装的俯视图。图3说明根据本公开的一些实施例的半导体封装的横截面图。图4说明根据本公开的一些实施例的半导体封装的横截面图。图5说明根据本公开的一些实施例的半导体封装的横截面图。图6说明根据本公开的一些实施例的半导体封装的横截面图。图7说明根据本公开的一些实施例的半导体封装的横截面图。图8说明根据本公开的一些实施例的半导体封装的横截面图。图9A到图9C说明根据本公开的一些实施例的在半导体封装的各种制造操作期间的中间产物的横截面图。图9C′说明根据本公开的一些实施例的图9C中的中间产物的俯视图。图10A到图10L说明根据本公开的一些实施例的在半导体封装的各种制造操作期间的中间产物的横截面图。具体实施方式贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本公开的实施例。相对于某一组件或组件群组或组件或组件群组的某一平面而指定空间描述，例如“上方”、“下方”、“向上”、“左”、“右”、“向下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧面”、“较高”、“较低”、“上部”、“之上”、“之下”等等，以用于定向如相关联图中所展示的一或多个组件。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置，其限制条件为本公开的实施例的优点是不会因此布置而有偏差。本公开提供一种扇出型薄化封装及其制造方法。与比较性实施例相比，本公开的封装结构在应用研磨操作之前经过单切。当作为面板或基体形式时，半导体封装结构被半切割，且接着应用研磨操作以将封装厚度减小到所要程度。此制造顺序有效地解决了在研磨之后缺乏结构稳定性、在分割时真空吸力变差和在辊刀片刮抹(rollerblading)期间邻近模制原料的剥落/开裂所引起的翘曲。本公开中所描述的封装结构包含具有比模制原料和RDL的模量高的模量的替换结构。替换结构包围半导体裸片且与锯道重叠。替换结构的尺寸是可调整的，以便实现模制原料、替换结构、半导体裸片和RDL之间的最优结构平衡。参考图1，图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装10的横截面图。半导体封装10包含具有第一表面100A和与第一表面100A相对的第二表面100B的半导体裸片100。在一些实施例中，第一表面100A为主动表面，其中多个传导性元件101邻近于所述主动表面、嵌入所述主动表面下方和/或部分地从所述主动表面暴露。传导性元件101可包含传导性衬垫、传导性柱、焊料凸块、C4凸块和其等效物。第一表面上的传导性元件101经配置以同与半导体裸片100堆叠的传导性布线层103形成电连接。相比于半导体裸片100的第二表面100B，传导性布线层103更接近第一表面100A。在一些实施例中，传导性布线层103为由介电层和嵌入于介电层中的传导性线构成的重新分布层(RDL)。在一些实施例中，传导性布线层103为扇出型RDL，其扩大半导体裸片100的第一表面100A上的传导性元件101的区域覆盖。封装体105包围半导体裸片100和传导性元件101，安置在传导性布线层103上。在一些实施例中，封装体105由环氧化合物和填充物构成。在一些实施例中，封装体105为常用于保护集成电路(IC)芯片的包封模制原料(EMC)。其组成始终含有大量(约70％)的填充物并且会影响EMC的性质。在一些实施例中，填充物包含各种类型的氧化物、氧化硅或硅石。替换结构107由封装体105部分地包封，包围半导体裸片100的侧表面100C，且在封装体105的顶表面和侧表面上从封装体105暴露。半导体裸片10的侧表面100C连接半导体裸片10的第一表面100A和第二表面100B。在一些实施例中，不同于封装体105，替换结构107无如上文所描述的封装体105中的那些填充物的任何填充物。参考本公开的图10A到图10G，替换结构107通过将替换结构107从另一载体传送到邻近半导体裸片100之间的空间的模制操作集成到半导体封装10。封装体105中的填充物，尤其邻近于替换结构107的那些填充物完整且不断裂。在一些比较性实施例中，由于在固化封装体105之后移除了封装体105的一部分，通常可观察到断裂填充物。机械移除过程可在封装体105的移除边界处产生断裂的填充物。非均质材料可随后填充由移除操作产生的封装体的空白空间。换言之，在比较性实施例中，可在固化封装体与非均质材料之间的边界处观察到断裂填充物。在本公开中，由于替换结构107集成到半导体裸片100是在固化封装体105之前，因此封装体105中的填充物，即使在固化封装体105与替换结构107之间的边界处的填充物也是完整且不断裂的。在一些实施例中，替换结构107的杨氏模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，其包括：/n半导体裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；/n传导性布线层，其与所述半导体裸片堆叠且接近所述第一表面；/n封装体，其包封所述半导体裸片且与所述传导性布线层堆叠；以及/n替换结构，其从所述封装体暴露且无填充物。/n

【技术特征摘要】
20191101 US 16/671,9881.一种半导体封装，其包括：
半导体裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
传导性布线层，其与所述半导体裸片堆叠且接近所述第一表面；
封装体，其包封所述半导体裸片且与所述传导性布线层堆叠；以及
替换结构，其从所述封装体暴露且无填充物。


2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述封装体包括所述填充物。


3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体裸片的侧表面与所述替换结构间隔开约3μm到约10μm的距离，所述侧表面连接所述第一表面和所述第二表面。


4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述替换结构的高度大于所述第一表面与所述第二表面之间的距离。


5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述替换结构包围所述半导体裸片的四个侧面。


6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述替换结构的高度与所述封装体的高度大体上相同。


7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述替换结构包括接近所述半导体裸片的所述第一表面的较宽末端和接近所述半导体裸片的所述第二表面的较窄末端。


8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述传导性布线层为扇出型重新分布层RDL。


9.根据权利要求8所述的半导体封装，其进一步包括电连接到所述扇出型RDL的衬底。


10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二表面、所述封装体和所述替换结构大体上共面。


11.一种半导体封装，其包括：
半导体裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
传导性布线层，其与所述半导体裸片堆叠且接近所述第一表面；
封装体，其包封所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：方绪南，陈建庆，翁振源，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71