半导体装置封装制造方法及图纸

半导体装置封装包含重新分布层、多个导电柱、增强层及包封物。所述导电柱与所述第一重新分布层直接接触。所述增强层围绕所述导电柱的侧表面。所述包封物包封所述第一重新分布层及所述增强层。所述导电柱通过所述增强层彼此分隔开。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装
本公开涉及一种半导体装置封装，且更确切地说，涉及一种具有多个导电柱的封装结构。
技术介绍
在三维集成电路的扇出叠层封装(Package-on-Package)技术中，硅通孔或铜柱通常用作堆叠封装的电气通道。然而，制造硅通孔或铜柱的成本很高。此外，铜柱的高度可能由于制造工艺而彼此不同，并且高度差可高达30μm或更多。因此，堆叠封装之间可能存在短路故障。
技术实现思路
在一些实施例中，半导体装置封装包含第一重新分布层、多个导电柱、增强层及包封物。所述第一重新分布层具有第一表面，并且所述导电柱与所述第一重新分布层的所述第一表面直接接触。所述增强层围绕所述导电柱的侧表面。所述包封物包封所述增强层并且与所述第一重新分布层的所述第一表面接触。所述导电柱通过所述增强层彼此分隔开。在一些实施例中，半导体装置封装包含电连接构件、第一电子组件、包封物及第一重新分布层。所述电连接构件包含增强层及穿过所述增强层的多个导电柱。所述包封物包封所述第一电子组件及所述电连接构件。所述第一重新分布层安置于所述包封物的顶部表面上并且电连接到所述导电柱中的至少一者。所述导电柱的底部表面与所述增强层的底部表面及所述包封物的底部表面共面。在一些实施例中，制造半导体装置封装的方法包含制造电连接构件。所述电连接构件通过以下步骤制造：提供第一载体，其中第一导电层安置于所述第一载体的表面上；在所述第一导电层上形成多个第一导电柱；在所述第一导电层上提供介电材料，其中所述介电材料填充在所述第一导电柱之间；及移除所述第一载体。附图说明图1说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。图2说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。图3说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。图4说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。图5说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。图6说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。图7A、7B、7C、7D、7E及7F说明根据本公开的一些实施例的制造电连接构件的方法的一或多个阶段。图8A、8B、8C、8D、8E、8F、8G、8H、8I及8J说明根据本公开的一些实施例的制造电连接构件的方法的一或多个阶段。图9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H、9I及9J说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法的一或多个阶段。图10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I及10J说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法的一或多个阶段。贯穿图式及详细描述使用共同参考标号来指示相同或相似组件。据以下实施方式结合随附图式，将更容易理解本公开的内容。具体实施方式出于进一步解释本公开的范围的目的，上述说明及以下详细描述为示范性的。将在后续描述及附图中说明与本公开有关的其它目标及优点。除非另外规定，否则例如“上”、“下”、“向上”、“左”、“右”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧面”、“高于”、“低于”、“上部”、“上方”、“下方”等空间描述是相对于图式中所示的定向指示的。应理解，本文中所使用的空间描述是出于说明的目的，并且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置，其限制条件为本公开的实施例的优点不会因此布置而有偏差。本公开描述在不使用硅通孔(TSV)作为电气通道的情况下制造半导体装置封装的技术。在根据本公开的一些实施例中，预先形成包含多个导电柱的电连接构件并且所述电连接构件用作电气通道。导电柱由增强层覆盖，因此可避免在应用模塑料的步骤期间导电柱的潜在移位。另外，在根据本公开的一些实施例中，可通过研磨电连接构件来控制导电柱的高度，从而可避免在比较实施例中由于导电柱或TSV的高度差引起的短路故障。图1说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1的截面图。半导体装置封装1可包括电连接构件10、重新分布层11、包封物12、第一电子组件15、第二电子组件17及第三电子组件18。电连接构件10可包含多个导电柱13及增强层14。举例来说，导电柱13可包含铜或其它金属，或金属合金，或其它导电材料。在一些实施例中，导电柱13是铜柱。增强层14可为介电层。增强层14可由阻焊剂、味之素堆积膜(AjinomotoBuild-upFilm,ABF)，或其它介电材料制成。在一些实施例中，增强层14由具有较低热膨胀系数(CTE)的介电材料(例如，ABF)制成，举例来说，30ppm/℃或更低、25ppm/℃或更低、20ppm/℃或更低、18ppm/℃或更低，或15ppm/℃或更低，并且可减少半导体装置封装1的翘曲。在一些实施例中，导电柱13是铜柱，增强层14由ABF制成，并且半导体装置封装1具有减少的翘曲。增强层14围绕每个导电柱13的侧表面，并且导电柱13由增强层14彼此分隔开。在图1所说明的实施例中，增强层14完全覆盖导电柱13的侧表面。因此，增强层14的厚度基本上等于导电柱13的高度。此外，导电柱13可穿过增强层14并且可从增强层14的第一表面142暴露，其中增强层14的第一表面142是基本上平坦的并且背对重新分布层11。重新分布层11安置于电子构件10的增强层14上并且电连接导电柱13。如图1所示，增强层14的第二表面141可附接到重新分布层11的第一表面111且与所述第一表面接触，并且导电柱13与重新分布层11的第一表面111直接接触。包封物12可围绕或包封电连接构件10的增强层14的侧表面及第一电子组件15。包封物12可与重新分布层11的第一表面111接触。举例来说，包封物12可包含基于酚醛的树脂、环氧基树脂、基于硅酮的树脂，或其它另一合适的包封物。还可包含合适的填料，例如粉末SiO2。在一些实施例中，增强层14可含有填料，并且增强层14中的填料可小于包封物12的填料。参考图1，包封物12可具有：第一表面121，所述第一表面附接到重新分布层11的第一表面111；及第二表面122，所述第二表面与第一表面121相对并且与电连接构件10的增强层14的第一表面142基本上共面。从增强层14的第一表面142暴露的导电柱13的表面132也可与包封物12的第二表面122共面。第一电子组件15可为裸片或芯片，并且具有面对重新分布层11的有源表面。在一些实施例中，电连接构件10(或两个或多于两个电连接构件10)限定用于容纳第一电子组件15的空腔。换句话说，第一电子组件15容纳在由电连接构件(即，电连接构件的增强层14)限定的空腔内，并且包封物12填充在空腔内并覆盖第一电子组件15。第一电子组件15可电连接到重新分布层11。第一电子组件15可具有后表面151(例如，无源表面)，所述后表面背对重新分布层11并且与增强层14的第二表面141共面。在一些实施例中，例如散热层或金属层的附加层16可附接到第一电子组件15的表面151。在一些实施例中，半导体装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：/n第一重新分布层，其具有第一表面；/n多个导电柱，其与所述第一重新分布层的所述第一表面直接接触；/n增强层，其围绕所述导电柱的侧表面；及/n包封物，其包封所述增强层并且与所述第一重新分布层的所述第一表面接触；/n其中所述导电柱通过所述增强层彼此分隔开。/n

【技术特征摘要】
20191105 US 16/675,0111.一种半导体装置封装，其包括：
第一重新分布层，其具有第一表面；
多个导电柱，其与所述第一重新分布层的所述第一表面直接接触；
增强层，其围绕所述导电柱的侧表面；及
包封物，其包封所述增强层并且与所述第一重新分布层的所述第一表面接触；
其中所述导电柱通过所述增强层彼此分隔开。


2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述增强层含有比所述包封物的填料小的填料。


3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述增强层具有背对所述第一重新分布层的第一表面，并且其中所述导电柱从所述增强层的所述第一表面暴露。


4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中从所述增强层的所述第一表面暴露的所述导电柱中的至少一者连接到焊球。


5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述增强层限定用于容纳第一电子组件的空腔，并且其中所述第一电子组件具有背对所述第一重新分布层的第一表面。


6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一重新分布层进一步包括与所述第一重新分布层的所述第一表面相对的第二表面，并且其中第二电子组件安装到所述第一重新分布层的所述第二表面。


7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述增强层接触所述第一重新分布层的所述第一表面。


8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述导电柱中的每一者具有第一柱部分及第二柱部分，其中所述第二柱部分安置于所述第一重新分布层的所述第一表面上并且所述第二柱部分的侧表面由所述包封物覆盖，并且其中所述第一柱部分与所述第二柱部分直接接触并且所述第一柱部分的侧表面由所述增强层覆盖。


9.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述第一柱部分的直径不同于所述第二柱部分的直径。


10.根据权利要求5所述的半导体装置封装，进一步包括附接到所述第一电子组件的所述第一表面的金属层或散热层。


11.根据权利要求5所述的半导体装置封装，进一步包括附接到所述第一电子组件的所述第一表面的金属层或散热层，其中所述金属层或所述散热层具有背对所述第一重新分布层的第一表面，并且其中所述金属层或所述散热层的所述第一表面与所述增强层的第一表面共面。


12.一种半导体装置封装，其包括：
电连接构件，其包括增强层及穿过所述增强层的多个导电柱；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹雅芳，蒋源峰，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71