一种集成二极管的整流桥芯片、线性整流电路及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种集成二极管的整流桥芯片、线性整流电路及制作方法，包括芯片壳体、整流桥组件以及至少一个快恢复二极管，整流桥组件和各个快恢复二极管均集成与芯片壳体内，芯片壳体上设置有均延伸至外界的第一引脚组以及第二引脚组，快恢复二极管与第一引脚组连接，整流桥组件与第二引脚组连接，使用整流桥芯片时，可以通过第一引脚组和第二引脚组来分别接入快恢复二极管和整流桥组件，即可对快恢复二极管和整流桥组件使用，无需额外增设快恢复二极管，使用方便。

【技术实现步骤摘要】
一种集成二极管的整流桥芯片、线性整流电路及制作方法
本专利技术涉及整流桥芯片
，特别涉及一种集成二极管的整流桥芯片、线性整流电路及制作方法。
技术介绍
传统的整流桥芯片，一般只包括整流桥组件，在实际应用过程中，例如利用整流桥芯片搭建线性整流电路，还需要额外连接其他元件，导致使用不方便。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种集成二极管的整流桥芯片，使用方便。本专利技术还提出一种线性整流电路，使用了集成二极管的整流桥芯片，搭建简单。本专利技术还提出一种整流桥芯片的制作方法，使得整流桥芯片连接紧密。根据本专利技术的第一方面实施例的一种集成二极管的整流桥芯片，包括芯片壳体、整流桥组件以及至少一个快恢复二极管，所述整流桥组件和各个所述快恢复二极管均集成与所述芯片壳体内，所述芯片壳体上设置有均延伸至外界的第一引脚组以及第二引脚组，所述快恢复二极管与所述第一引脚组连接，所述整流桥组件与所述第二引脚组连接。根据本专利技术实施例的一种集成二极管的整流桥芯片，至少具有如下有益效果：本专利技术整流桥芯片，在芯片壳体内集成有整流桥组件以及至少一个快恢复二极管，并且快恢复二极管和整流桥组件分别用第一引脚组和第二引脚组引出，使用整流桥芯片时，可以通过第一引脚组和第二引脚组来分别接入快恢复二极管和整流桥组件，即可对快恢复二极管和整流桥组件使用，无需额外增设快恢复二极管，使用方便。根据本专利技术的一些实施例，所述整流桥组件包括交流输入端、正极输出端以及负极输出端，所述快恢复二极管的一极与所述正极输出端连接，所述快恢复二极管的另一极与第一引脚组连接。根据本专利技术的一些实施例，所述快恢复二极管的阳极与所述正极输出端连接，所述快恢复二极管的阴极与第一引脚组连接。根据本专利技术的一些实施例，所述快恢复二极管的阴极与所述正极输出端连接，所述快恢复二极管的阳极与第一引脚组连接。根据本专利技术的一些实施例，所述整流桥组件包括整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3以及整流二极管D4，所述整流二极管D1的阴极与所述整流二极管D3的阳极连接以形成交流输入端的一相，所述整流二极管D1的阳极与所述整流二极管D2的阳极连接以形成负极输出端，所述整流二极管D2的阴极与所述整流二极管D4的阳极连接以形成交流输入端的另一相，所述整流二极管D3的阴极与所述整流二极管D4的阴极连接以形成正极输出端。根据本专利技术的一些实施例，所述第二引脚组包括第一交流引脚、第二交流引脚、正极引脚和负极引脚，所述交流输入端的一相与所述第一交流引脚连接，所述交流输入端的另一相与所述第二交流引脚连接，所述正极输出端与所述正极引脚连接，所述负极输出端与所述负极引脚连接。根据本专利技术的一些实施例，所述芯片壳体包括上壳以及下壳，所述上壳与所述下壳连接并且内部形成封装内腔，所述整流桥组件和快恢复二极管设置在所述封装内腔中，所述封装内腔中灌设有密封胶。根据本专利技术第二方面实施例的线性整流电路，包括上述任一实施例公开的一种集成二极管的整流桥芯片。根据本专利技术实施例的线性整流电路，至少具有如下有益效果：本专利技术线性整流电路，可以利用集成二极管的整流桥芯片搭建而成，无需额外增设快恢复二极管，减少焊接步骤，使用简单。根据本专利技术第三方面实施例的制作方法，包括：将多个整流二极管和若干个快恢复二极管按设定布局焊接成集成本体，将第一引脚组与快恢复二极管连接，将第二引脚组与整流二极管连接；将集成本体装设于芯片壳体中，分别将第一引脚组和第二引脚组从芯片壳体内引出至外界；使用密封胶将集成本体封装于芯片壳体内。根据本专利技术实施例的制作方法，至少具有如下有益效果：本专利技术制作方法，先将多个整流二极管和若干个快恢复二极管按设定布局焊接成集成本体，再封装于芯片壳体内，连接紧密，良品率高。根据本专利技术的一些实施例，所述快恢复二极管和/或整流二极管由PN结经过玻璃钝化工艺形成。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本专利技术整流桥芯片其中一种实施例的立体示意图；图2为本专利技术整流桥芯片其中一种实施例的电路示意图；图3为本专利技术整流桥芯片另一种实施例的电路示意图；图4为本专利技术整流桥芯片其中一种实施例的内部结构示意图。附图标记：芯片壳体100、上壳110、下壳120、密封胶130、封装内腔140、整流桥组件200、第一交流引脚310、第二交流引脚320、正极引脚330、负极引脚340、快恢复二极管400、第一引脚组500。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。如图1-4所示，根据本专利技术的第一方面实施例的一种集成二极管的整流桥芯片，包括芯片壳体100、整流桥组件200以及至少一个快恢复二极管400，整流桥组件200和各个快恢复二极管400均集成与芯片壳体100内，芯片壳体100上设置有均延伸至外界的第一引脚组500以及第二引脚组，快恢复二极管400与第一引脚组500连接，整流桥组件200与第二引脚组连接。其中，芯片壳体100可以是多种形状，并且在芯片壳体100的侧边可以设置有多个开口以引出与快恢复二极管400连接的第一引脚组500和与整流桥组件200连接的第二引脚组。本专利技术整流桥芯片，在芯片壳体100内集成有整流桥组件200以及至少一个快恢复二极管400，并且快恢本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成二极管的整流桥芯片，其特征在于，包括芯片壳体、整流桥组件以及至少一个快恢复二极管，所述整流桥组件和各个所述快恢复二极管均集成与所述芯片壳体内，所述芯片壳体上设置有均延伸至外界的第一引脚组以及第二引脚组，所述快恢复二极管与所述第一引脚组连接，所述整流桥组件与所述第二引脚组连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成二极管的整流桥芯片，其特征在于，包括芯片壳体、整流桥组件以及至少一个快恢复二极管，所述整流桥组件和各个所述快恢复二极管均集成与所述芯片壳体内，所述芯片壳体上设置有均延伸至外界的第一引脚组以及第二引脚组，所述快恢复二极管与所述第一引脚组连接，所述整流桥组件与所述第二引脚组连接。


2.根据权利要求1所述的一种集成二极管的整流桥芯片，其特征在于：所述整流桥组件包括交流输入端、正极输出端以及负极输出端，所述快恢复二极管的一极与所述正极输出端连接，所述快恢复二极管的另一极与第一引脚组连接。


3.根据权利要求2所述的一种集成二极管的整流桥芯片，其特征在于：所述快恢复二极管的阳极与所述正极输出端连接，所述快恢复二极管的阴极与第一引脚组连接。


4.根据权利要求2所述的一种集成二极管的整流桥芯片，其特征在于：所述快恢复二极管的阴极与所述正极输出端连接，所述快恢复二极管的阳极与第一引脚组连接。


5.根据权利要求2所述的一种集成二极管的整流桥芯片，其特征在于：所述整流桥组件包括整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3以及整流二极管D4，所述整流二极管D1的阴极与所述整流二极管D3的阳极连接以形成交流输入端的一相，所述整流二极管D1的阳极与所述整流二极管D2的阳极连接以形成负极输出端，所述整流二极管D2的阴极与所述整流二极管D4的阳极连接以形成交流输...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭继辉，
申请(专利权)人：中山市领航光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44