功率半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种能抑制组装效率的降低并提高抗震性的功率半导体装置。本发明专利技术的功率半导体装置(1)包括元件设置导体(2)，其由设置功率半导体元件(300)的金属制的第一导体部(20a)、构成一个以上的向功率半导体元件(300)传输电流的主端子(2a)和一个以上的向功率半导体元件(300)传输开关控制信号的控制端子(2b)的金属制的第二导体部(2b)、以及设置在控制端子(2b)的前端部的金属制的第三导体部(20c)构成，元件设置导体(2)形成为第二导体部(20b)最厚部分的厚度比第一导体部(20a)的厚度要薄，且第三导体部(20c)最厚部分的厚度比第二导体部(20b)最薄部分的厚度要薄。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体装置
本专利技术涉及功率半导体装置。
技术介绍
作为与功率半导体装置相关的现有技术，例如，在专利文献1中公开了一种半导体模块，其包括：基底部，该基底部由半导体元件和具有导电性的材料构成，载置有所述半导体元件；信号引线部，该信号引线部由与所述基底部相同的材料构成，并电连接至所述半导体元件；以及薄板引线部，该薄板引线部由与所述基底部相同的材料构成，从所述基底部起连续形成，板厚比所述基底部要薄，并相对于所述基底部延伸到与所述信号引线部相同的一侧，所述薄板引线部经由所述基底部电连接至所述半导体元件的规定端子，并构成用于检测该半导体元件的规定端子中的电位的电位检测用端子。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2012/073306号
技术实现思路
另外，由于也假设功率半导体装置在振动的环境中使用，因此，例如需要确保将功率半导体装置与外部相连接的端子的抗震性的构造。在上述现有技术中，通过树脂模塑、灌封来对端子进行固定增强，通过TIG(TungstenInertGas：钨极惰性气体)焊接等来连接独立元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体装置，其特征在于，包括：/n功率半导体元件；以及/n元件设置导体，该元件设置导体由设置所述功率半导体元件的金属制的第一导体部、构成一个以上的向所述功率半导体元件传输电流的主端子和一个以上的向所述功率半导体元件传输开关控制信号的控制端子的金属制的第二导体部、以及设置在所述控制端子的前端部的金属制的第三导体部所构成，/n所述元件设置导体形成为所述第二导体部最厚部分的厚度比所述第一导体部的厚度要薄，并且所述第三导体部最厚部分的厚度比所述第二导体部最薄部分的厚度要薄。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180905 JP 2018-1656201.一种功率半导体装置，其特征在于，包括：
功率半导体元件；以及
元件设置导体，该元件设置导体由设置所述功率半导体元件的金属制的第一导体部、构成一个以上的向所述功率半导体元件传输电流的主端子和一个以上的向所述功率半导体元件传输开关控制信号的控制端子的金属制的第二导体部、以及设置在所述控制端子的前端部的金属制的第三导体部所构成，
所述元件设置导体形成为所述第二导体部最厚部分的厚度比所述第一导体部的厚度要薄，并且所述第三导体部最厚部分的厚度比所述第二导体部最薄部分的厚度要薄。


2.如权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，
所述第三导体部具有第一弯曲部，该第一弯曲部形成为偏离所述第三导体部的延伸方向。


3.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：松下晃，志村隆弘，高木佑辅，
申请(专利权)人：日立汽车系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP