一种低杂散电感的封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种低杂散电感的封装结构，包括芯片载体及固定在芯片载体顶部的芯片，且所述芯片载体及芯片的外表面包覆有用于封装的塑封外壳，所述芯片载体为覆铜陶瓷基板，所述芯片主要包括上下并列铺设的第一RC IGBT、第二RC IGBT及分别铺设在两RC IGBT上表面的第一铜桥和第二铜桥，所述第二RC IGBT的底部铺设有第三铜桥并通过该铜桥固定设置在所述覆铜陶瓷基板上；所述第一RC IGBT的低电位侧与第二RC IGBT的高点位侧同侧设置，所述第三铜桥延伸出塑封外壳的一端为输入端口，所述第一铜桥和第二铜桥延伸出塑封外壳的一端分别为低电位侧和高电位侧的输出端。

【技术实现步骤摘要】
一种低杂散电感的封装结构
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种低杂散电感的封装结构。
技术介绍
半导体器件在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用；半导体封装结构，是将芯片(或晶片)固定到相应的芯片载体上，在芯片与芯片载体完成必要的电性连接后，为了避免内部电路受到环境中的液、尘、气体的污染，在芯片以及芯片载体上包覆一层保护用的封装胶体以形成半导体封装结构；但是，对于大功率半导体封装结构而言，内部的功率器件在工作时容易产生热量，若热量无法及时有效地传递至半导体封装结构之外，积存的热量会大大影响芯片工作的性能，从而影响半导体封装结构的可靠性。随着电力电子技术的发展，功率开关的频率必须不断提高来让电子产品趋向微型化的同时，利用传统结构的模块形式已经很难符合需求、效率低等问题，其打线长度较长，精确的布线较为困难，给打线增加了难度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种结构简单，有利于终端系统高频化,小型化的低杂散电感的封装结构，可以初步解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低杂散电感的封装结构，包括芯片载体及固定在芯片载体顶部的芯片，且所述芯片载体及芯片的外表面包覆有用于封装的塑封外壳，其特征在于：所述芯片载体为覆铜陶瓷基板，所述芯片主要包括上下并列铺设的第一RC IGBT、第二RC IGBT及分别铺设在两RC IGBT上表面的第一铜桥和第二铜桥，所述第二RC IGBT的底部铺设有第三铜桥并通过该铜桥固定设置在所述覆铜陶瓷基板上；所述第一RC IGBT的低电位侧与第二RC IGBT的高点位侧同侧设置，所述第二铜桥设置在低电位侧的第一RC IGBT和高电位侧的第二RC IGBT之间并起连接和输出作用， 所述第三铜桥延伸出塑封外壳的一端为输入端口，所述第一铜...

【技术特征摘要】
1.一种低杂散电感的封装结构，包括芯片载体及固定在芯片载体顶部的芯片，且所述芯片载体及芯片的外表面包覆有用于封装的塑封外壳，其特征在于：所述芯片载体为覆铜陶瓷基板，所述芯片主要包括上下并列铺设的第一RCIGBT、第二RCIGBT及分别铺设在两RCIGBT上表面的第一铜桥和第二铜桥，所述第二RCIGBT的底部铺设有第三铜桥并通过该铜桥固定设置在所述覆铜陶瓷基板上；所述第一RCIGBT的低电位侧与第二RCIGBT的高点位侧同侧设置，所述第二铜桥设置在低电位侧的第一RCIGBT和高电位侧的第二RCIGBT之间并起连接和输出作用，所述第三铜桥延伸出塑封外壳的一端为输入端口，所述第一铜桥和第二铜桥延伸出塑封外壳的一端分别为低电位侧和高电位侧的输出端。

【专利技术属性】
技术研发人员：戴志展，王宇航，李申祥，
申请(专利权)人：嘉兴斯达半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33