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本发明公开了一种低杂散电感的封装结构,包括芯片载体及固定在芯片载体顶部的芯片,且所述芯片载体及芯片的外表面包覆有用于封装的塑封外壳,所述芯片载体为覆铜陶瓷基板,所述芯片主要包括上下并列铺设的第一RC IGBT、第二RC IGBT及分别铺设在...该专利属于嘉兴斯达半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过嘉兴斯达半导体股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种低杂散电感的封装结构,包括芯片载体及固定在芯片载体顶部的芯片,且所述芯片载体及芯片的外表面包覆有用于封装的塑封外壳,所述芯片载体为覆铜陶瓷基板,所述芯片主要包括上下并列铺设的第一RC IGBT、第二RC IGBT及分别铺设在...