【技术实现步骤摘要】
一种大功率模块粗铜线键合结构
本专利技术涉及功率模块键合结构
,尤其涉及一种大功率模块粗铜线键合结构。
技术介绍
IGBT或MOSFET功率模块,是电力电子转换的核心半导体部件,目前国内功率模块的封装,芯片表面的键合线普遍采用粗铝线键合,随着功率模块向更高功率密度发展,对模块的封装技术提出越来越多的要求,现有的工业级模块的封装技术及材料越来越受到限制,对于大电流的模块,模块内部承载大电流的主要为键合引线,提高键合引线的过流能力及可靠性至关重要,现在的功率模块内部芯片的引线键合,通常采用粗铝线(直径12mil-20mil)键合工艺技术,在大电流工作的状态,铝线的过流能力相对较弱,因而会存在因为过流而键合线熔断等损坏,之所以铝线仍然被普遍使用,是因为目前功率模块的芯片键合表面镀层都是铝,若直接在镀铝表面进行铜线键合,是键合不上的,同时铜线键合所用的键合压力更大,直接在芯片表面键合容易造成芯片损坏,所以被迫采用粗铝线键合,综上所述,亟需研制一种能够实现铜线与芯片表面的铝镀层实现键合的结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术的不足之处,提供一种大功率模块粗铜线键合结构,从而有效解决现有技术中存在的不足之处。为实现上述目的,本专利技术采取的技术方案为:一种大功率模块粗铜线键合结构,包括双面覆铜陶瓷基板与铜键合线,所述双面覆铜陶瓷基板上设置有芯片,所述芯片上设置有铜箔缓冲层,铜箔缓冲层通过焊接层与芯片的键合表面固定连接,所述铜键合线与铜箔缓冲层键合连接。进一步,所述铜箔缓冲 ...
【技术保护点】
1.一种大功率模块粗铜线键合结构,包括双面覆铜陶瓷基板与铜键合线,所述双面覆铜陶瓷基板上设置有芯片,其特征在于:所述芯片上设置有铜箔缓冲层,铜箔缓冲层通过焊接层与芯片的键合表面固定连接,所述铜键合线与铜箔缓冲层键合连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种大功率模块粗铜线键合结构,包括双面覆铜陶瓷基板与铜键合线,所述双面覆铜陶瓷基板上设置有芯片,其特征在于:所述芯片上设置有铜箔缓冲层,铜箔缓冲层通过焊接层与芯片的键合表面固定连接,所述铜键合线与铜箔缓冲层键合连接。
2.根据权利要求1所述的一种大功率模块粗铜线键合结构,其特征在于:所述铜箔缓冲层采用钼铜或者钨铜材质。
3.根据权利要求1所述的一种大功率模块粗铜线键合结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:王志超,
申请(专利权)人:华芯威半导体科技北京有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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