本发明提供一种半导体封装结构，其包含第一半导体装置和第二半导体装置。所述第一半导体装置包含衬底和电路。所述衬底具有第一部分和第二部分。所述第一部分的第一厚度大于所述第二部分的第二厚度。所述电路安置在所述衬底的所述第二部分上。所述第二半导...

本发明公开了一种封装结构及其形成方法，该封装结构包括：基板，具有第一焊盘；再分布层，具有第二焊盘；以及连接层，将所述基板与所述再分布层接合。其中，所述连接层连接所述第一焊盘与所述第二焊盘，所述连接层的热吸收系数大于所述第一焊盘或所述第二...

揭示一种衬底结构和其制造方法。所述衬底结构包含衬底、包封层和重布结构。所述衬底具有第一表面。所述包封层包围所述衬底且具有第一表面。所述重布结构安置于所述衬底的所述第一表面和所述包封层的所述第一表面上。间隙存在于所述衬底的所述第一表面与所...

一种半导体装置封装包含低密度衬底和高密度衬底。所述高密度衬底附接到所述低密度衬底。所述高密度衬底具有第一互连层以及安置在所述第一互连层上方的第二互连层。所述第一互连层的厚度不同于所述第二互连层的厚度。连层的厚度不同于所述第二互连层的厚度...

本发明的实施例提供了一种封装结构，其特征在于，包括：线路层，具有第一面以及与所述第一面相背设置的第二面；第一基板和第二基板，设置于所述第一面上，所述第一基板和所述第二基板的厚度不同。本发明的实施例还提供了形成封装结构的方法，以提高封装结...

本发明提供了一种内埋式衬底，包括：晶片，位于内埋式衬底的介电材料中；热电发生器，在介电材料中设置在晶片的旁边，热电发生器的p型电极和n型电极串联连接。本发明提供的内埋式衬底提高了内埋式衬底的散热性。式衬底提高了内埋式衬底的散热性。式衬底...

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；扇出结构，设置在衬底上，并且包括：第一扇出层，通过第一粘胶层附接至衬底，第一扇出层包括穿过第一粘胶层的第一通孔，第一通孔电连接至衬底；第二扇出层，通过倒装的方式电连接至第一扇出层。在实施例...

一种半导体设备封装和其制造方法，所述半导体设备封装包含重新分布结构、堆叠在所述重新分布结构上的导电衬底以及包封所述重新分布结构和所述导电衬底的包封体。所述包封体包封所述导电衬底的侧表面。一种用于制造电子设备封装的方法包含：提供载体；在所...

本发明公开一种包括光学设备的系统。所述系统包含第一衬底和用于光通信的第一设备。所述第一设备具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及与所述第一表面和所述第二表面邻接的第一侧面。此外，所述第一侧面的面积小于所述第一表面和所述第二表面中...

一种电子装置封装和其制造方法。电子装置封装包含衬底、第一半导体裸片、第二半导体裸片以及囊封物。所述衬底包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述衬底限定从所述第一表面凹陷的腔室。所述第一半导体裸片安置在所述腔室中。所述第二半导体...

一种半导体装置封装包含再分布层RDL、半导体装置、收发器，以及电容器。所述RDL具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体装置安置在所述RDL的所述第一表面上。所述收发器安置在所述RDL的所述第二表面上。所述电容器安置在所述...

一种半导体封装结构包含第一衬底、第二衬底、第一重新分布层以及第一重新连接层。所述第一衬底可以具有第一表面。所述第二衬底可以与所述第一衬底间隔开一定间隙并且可以具有第二表面。所述第一重新分布层可以安置在所述第一重新分布层与所述间隙之间。所...

本公开提供一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含：电子组件；第一钝化层，其具有包围所述电子组件的内表面；以及导电层，其安置在所述第一钝化层的所述内表面上。所述电子组件具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述...

本公开涉及一种引线架、封装结构和其制造方法。所述引线架包含裸片脚座、多个引线、至少一个连接件以及接合层。所述引线围绕所述裸片脚座。所述引线中的每一个包含邻近所述裸片脚座且与所述裸片脚座间隔开的内引线部分和与所述内引线部分相对的外引线部分...

本公开涉及一种封装结构和制造方法。所述封装结构包含布线结构、第一电子设备、第二电子设备、保护材料和增强结构。所述第一电子设备和所述第二电子设备电连接到所述布线结构。所述保护材料安置在所述第一电子设备与所述布线结构之间和所述第二电子设备与...

一种装置结构包括第一电子结构和多个第一电接点。所述第一电子结构具有表面和中心。所述第一电接点显露于所述表面。所述第一电接点以随着距所述中心的距离增加而增加的间距间隔开。

提供了一种加工半导体晶圆的方法。所述方法包含：提供具有正面和背面的半导体晶圆，所述半导体晶圆在所述正面处设置有电路层并且在所述背面处设置有经过图案化的表面；在所述背面上形成牺牲层；在所述牺牲层上安装胶带，所述牺牲层将所述经过图案化的表面...

本发明提供一种半导体封装结构，其包含：电子装置，其具有第一表面及邻近于所述第一表面的暴露区；障壁，其安置于所述第一表面上并环绕所述电子装置的所述暴露区；及滤波器结构，其安置于所述障壁上。其安置于所述障壁上。其安置于所述障壁上。

本发明提供一种光学装置封装，其包括：载体，其具有第一表面及相对于所述第一表面凹入的第二表面；及盖，其安置于所述载体的所述第二表面上。二表面上。二表面上。

本公开提供一种半导体设备封装和其封装方法。其中，该半导体设备封装包含第一半导体设备；第二半导体设备；以及第一重新分布层，其安置在所述第一半导体设备上且具有限定暴露所述第一半导体设备的开口的侧壁。所述第一重新分布层的所述侧壁具有高达2微米...