【技术实现步骤摘要】
半导体设备封装和其制造方法
本公开大体上涉及一种半导体设备封装和其制造方法,且涉及一种具有导电层的半导体设备封装和其制造方法。
技术介绍
半导体设备封装可包含安置在载体上的一些半导体设备(如芯片或裸片)。一些设备可移动或嵌入到载体中以缩小半导体设备封装的大小。随着技术的进步,需要将相对较多的组件嵌入到载体中以实现小型化,这必然会减小组件与限定用以收纳组件的空间(例如空腔或空位)的侧壁之间的距离。上文所提及的距离的缩小可以是在将介电材料或钝化材料填充到空间中时的巨大挑战。此外,如果将更多的组件集成到载体中,那么散热问题可能变得严重。
技术实现思路
在一或多个实施例中,一种半导体设备封装包含电子组件;第一钝化层,其具有包围所述电子组件的内表面以及导电层,其安置在第一钝化层的所述内表面上。所述电子组件具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧面。所述导电层具有相对粗糙的表面。在一或多个实施例中,一种半导体设备封装包含电子组件,所述电子组件具有第一表面、 ...
【技术保护点】
1.一种半导体设备封装,其包括:/n电子组件,其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧面;/n第一钝化层,其具有包围所述电子组件的内表面;/n导电层,其安置在所述第一钝化层的所述内表面上且具有相对粗糙的表面。/n
【技术特征摘要】
20191127 US 16/698,6711.一种半导体设备封装,其包括:
电子组件,其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧面;
第一钝化层,其具有包围所述电子组件的内表面;
导电层,其安置在所述第一钝化层的所述内表面上且具有相对粗糙的表面。
2.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其中所述导电层具有延伸到所述第一钝化层中的第一部分。
3.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其中所述第一钝化层的所述内表面具有阶梯。
4.根据权利要求3所述的半导体设备封装,其中所述阶梯与所述导电层直接接触。
5.根据权利要求3所述的半导体设备封装,其中所述导电层具有倾斜表面。
6.根据权利要求3所述的半导体设备封装,其中所述导电层具有弯曲表面。
7.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其中所述导电层的所述相对粗糙的表面具有介于约0.3微米(μm)到约1.0μm的范围内的算术平均粗糙度(Ra)。
8.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其中所述导电层的所述相对粗糙的表面具有介于约3.0μm到约10.0μm的范围内的十点平均粗糙度(Rz)。
9.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其进一步包括:
第二钝化层,其在所述电子组件(20)与所述导电层之间。
10.根据权利要求9所述的半导体设备封装,其中所述第二钝化层与所述导电层直接接触。
11.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其中所述第一钝化层包含限定空间的芯基板,且所述电子组件收纳在所述空间中。
12.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:李志成,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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