装置结构制造方法及图纸

一种装置结构包括第一电子结构和多个第一电接点。所述第一电子结构具有表面和中心。所述第一电接点显露于所述表面。所述第一电接点以随着距所述中心的距离增加而增加的间距间隔开。

【技术实现步骤摘要】
装置结构
本公开涉及一种装置结构，且涉及一种包括多个电接点的装置结构。
技术介绍
在芯片最后工序(chiplastprocess)中，半导体裸片(semiconductordie)可通过多个铜柱凸块(copper-pillarbumps)电连接重布层(redistributionlayer；RDL)的多个衬垫(pads)。由于重布层的热膨胀系数(coefficientofthermalexpansion；CTE)大于半导体裸片的CTE，所以RDL的外围衬垫(peripheralpads)在焊料回焊工序(solderreflowprocess)中的热膨胀会相对于中心衬垫(centralpads)产生大的向外位移(outwarddisplacement)，从而导致RDL的衬垫与铜柱凸块之间未对准(misalignment)。所述未对准可能导致铜柱凸块在可靠性测试(reliabilitytest)期间断裂(crack)。在最坏的情况下，半导体裸片的一些铜柱凸块可能未接合到RDL的预定衬垫(predeterminedpads)。r>专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置结构，其包括：/n第一电子结构，其具有表面和中心；以及/n多个第一电接点，其显露于所述表面，其中所述第一电接点以随着距所述中心的距离增加而增加的间距间隔开。/n

【技术特征摘要】
20191121 US 16/691,2961.一种装置结构，其包括：
第一电子结构，其具有表面和中心；以及
多个第一电接点，其显露于所述表面，其中所述第一电接点以随着距所述中心的距离增加而增加的间距间隔开。


2.根据权利要求1所述的装置结构，其中所述第一电接点设置在延伸穿过所述第一电子结构的所述中心的多个轴线上，且在两个最接近的轴线之间存在夹角。


3.根据权利要求1所述的装置结构，其中所述第一电子结构进一步在所述表面上具有中心区域和外围区域，所述中心在所述中心区域内，所述外围区域围绕所述中心区域，所述第一电接点包括设置在所述中心区域中的至少一个中心电接点、设置在所述外围区域中且邻近所述中心区域的多个内部电接点以及设置在所述外围区域中且远离所述中心区域的多个外部电接点，且所述外部电接点与最接近所述外部电接点的所述内部电接点之间的间距大于所述内部电接点与最接近所述内部电接点的所述中心电接点之间的间距。


4.根据权利要求3所述的装置结构，其中两个相邻外部电接点之间的间距大于所述外部电接点与最接近所述外部电接点的所述内部电接点之间的所述间距。


5.根据权利要求3所述的装置结构，其进一步包括对应于所述第一电子结构的第二电子结构和对应于所述第一电接点的多个第二电接点，其中所述第二电子结构具有面朝所述第一电子结构的表面和对应于所述第一电子结构的所述中心的中心，且所述第二电接点显露于所述表面。


6.根据权利要求5所述的装置结构，其中两个相邻第二电接点之间的间距大于所述内部电接点与最接近所述内部电接点的所述中心电接点之间的所述间距。


7.根据权利要求5所述的装置结构，其中两个相邻第二电接点之间的间距大于所述外部电接点与最接近所述外部电接点的所述内部电接点之间的所述间距。


8.一种装置结构，其包括：
第一电子结构，其具有表面和中心；以及
多个第一电接点，其显露于所述表面，其中所述第一电接点中的每一个具有沿其长轴的最大长度，所述长轴延伸穿过所述中心，且所述最大长度随着距所述中心的距离增加而增加。


9.根据权利要求8所述的装置结构，其中所述第一电子结构进一步在所述表面上具有中心区域和外围区域，所述中心在所述中心区域内，所述外围区域围绕所述中心区域，所述第一电接点包括设置在所述中心区域中的至少一个中心电接点、设置在所述外围区域中且邻近所述中心区域的多个内部电接点以及设...

【专利技术属性】
技术研发人员：方绪南，庄淳钧，翁振源，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71