半导体封装结构、半导体设备封装和其制造方法技术

一种半导体封装结构包含第一衬底、第二衬底、第一重新分布层以及第一重新连接层。所述第一衬底可以具有第一表面。所述第二衬底可以与所述第一衬底间隔开一定间隙并且可以具有第二表面。所述第一重新分布层可以安置在所述第一重新分布层与所述间隙之间。所述第一衬底可以通过所述第一重新连接层电连接到所述第二衬底。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构、半导体设备封装和其制造方法
本公开涉及半导体封装结构、半导体设备和其制造方法。
技术介绍
半导体设备封装包含附接到衬底的半导体设备。然而，在衬底需要具有相对大的面积时，半导体设备封装的产率可以相对较低。
技术实现思路
根据本公开的一些示例实施例，一种半导体封装结构包含第一衬底、第二衬底、第一重新分布层以及第一重新连接层。所述第一衬底具有第一表面。所述第二衬底与所述第一衬底间隔开一定间隙并且可以具有第二表面。所述第一重新分布层安置在所述第一表面和所述第二表面上。所述第一重新连接层安置在所述第一重新分布层与所述间隙之间。所述第一衬底通过所述第一重新连接层电连接到所述第二衬底。根据本公开的一些示例实施例，一种半导体设备封装包含第一衬底、第二衬底、第一重新连接层以及第一重新分布层。所述第一衬底具有第一端子。所述第二衬底具有第二端子并且在第一方向上与所述第一衬底间隔开一定空间。所述重新连接层安置在所述第一衬底和所述第二衬底上。所述重新分布层安置在所述重新连接层上并且包含第一导电衬垫和第二导电衬垫。间距在所述第一方向上位于所述第一导电衬垫与所述第二导电衬垫之间。所述第一端子的中心线和所述第二端子的中心线在所述第一方向上具有一定距离。所述距离减去所述空间的宽度基本上等于所述间距。根据本公开的一些示例实施例，一种制造半导体设备封装的方法包含提供一或多个母衬底；将所述一或多个母衬底单切成多个衬底；在所述多个衬底上和在邻近衬底之间的间隙中形成介电层；在所述多个衬底中的至少一个衬底的第一表面上形成第一重新连接层；在所述第一重新连接层上形成第一重新分布层。附图说明当与附图一起阅读时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的各方面。应当注意的是，各种特征可能不一定按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。图1A是根据本公开的一些比较实施例的半导体设备封装的横截面视图。图1B是根据本公开的一些比较实施例的半导体封装结构的横截面视图。图1C是图1A中的半导体设备封装的透视图。图2A是根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。图2B是如图2A所示的虚线框A中的结构的放大视图。图2C是根据本公开的一些替代性实施例的如图2A所示的虚线框A中的结构的放大视图。图2D是根据本公开的一些替代性实施例的如图2A所示的虚线框A中的结构的放大视图。图2E是如图2A所示的虚线框A中的结构的另一个放大视图。图2F是如图2A所示的虚线框B中的结构的放大视图。图2G是如图2A所示的虚线框C中的结构的放大视图。图3A是根据本公开的一些实施例的半导体封装结构的横截面视图。图3B是根据本公开的一些实施例的半导体封装结构的横截面视图。图3C是根据本公开的一些实施例的半导体封装结构的横截面视图。图4是根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。图5是根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的透视图。图6A、图6B、图6C、图6D和图6E展示了根据本申请的一些实施例的用于制造半导体设备封装的方法的各种阶段。具体实施方式以下公开提供了用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述了组件和布置的具体实例。当然，这些仅仅是实例并且不旨在是限制性的。在本公开中，对在第二特征之上或上形成第一特征的引用可以包含将第一特征和第二特征被形成为直接接触的实施例，并且还可以包含可以在第一特征与第二特征之间形成另外的特征使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各个实例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清晰的目的并且其本身并不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。本公开的电子设备封装和制造方法不限于上述实施例并且可以根据其它实施例实施。为了简化描述并且为了便于本公开的各个实施例之间的比较，以下实施例的类似组件标记有相同的附图标记并且可以不对其进行赘述。图1A是根据本公开的实施例的半导体设备封装1500A的横截面视图。半导体设备封装1500A包含衬底10、半导体设备11、载体13以及互连件14和15。衬底10安置在载体13上。衬底10通过互连件14接合到载体13。衬底10可以包含可以实现相对完成的功能的电路系统。半导体设备11安置在衬底10上。半导体设备11可以通过互连件15接合到衬底10。载体13可以包含例如印刷电路板(PCB)，如纸基铜箔层压板、复合铜箔层压板或聚合物浸渍玻璃纤维基铜箔层压板。互连件14和互连件15各自可以包含例如但不限于焊料、粘合剂(其可包含导电粘合剂(例如，与导电颗粒混合的树脂))或一或多种其它合适的接合材料。图1B是根据本公开的实施例的半导体封装结构1000A的横截面视图。在一些实施例中，衬底10可以包含其中具有电路系统的封装衬底。衬底10可以包含芯衬底，所述芯衬底包含芯层10A和安置在芯层10A的相对侧面上的多个介电层101、102。在介电层101上安置有钝化层103。在介电层101、102中嵌入有多个导电层10M。所述多个导电层10M通过多个导电通孔10V彼此连接。所述多个导电通孔10V嵌入在芯层10A中以将介电层101中的导电层10M连接到介电层102中的导电层10M。介电层101可以包含但不限于模制原料或预浸复合纤维(例如，预浸料)。介电层102的材料可以与介电层101的材料类似。钝化层103包含与导电通孔10V连接的多个导电衬垫10C。在一些实施例中，导电衬垫10C可以电连接到半导体设备。钝化层103的材料的实例可以包含环氧树脂。图1C是图1A中的半导体设备封装1500A的透视图。半导体设备11关于竖直线L1和水平线L2对称安置。互连件15与半导体设备11的多个导电衬垫对齐。在一些应用中，半导体设备11的大小(或面积)较大，使得用于封装半导体设备11的衬底10的所需大小相应较大。随着衬底10的大小扩大，衬底10的制造产率降低。另外，随着衬底10的电路系统变得复杂，衬底10的制造产率降低。因此，半导体设备封装1500A的成本相对较大。为了解决上述问题，下文详细讨论了本公开的实施例。然而，应当理解的是，本公开提供了许多可以在各种各样的特定上下文中具体化的适用概念。所讨论的具体实施例仅是说明性的，而不限制本公开的范围。图2A是根据本公开的一些实施例的半导体设备封装3000A的横截面视图，并且图2B是如图2A所示的虚线框A中的半导体封装结构的放大视图。如图2A和图2B所示，半导体设备封装3000A包含第一衬底20、第二衬底21、第一半导体设备22、载体24、介电层25、第一重新连接层26、第一重新分布层27、第二重新连接层28和第二重新分布层29、第一钝化层30、第二钝化层31、多个互连件32。第一衬底20安置在载体24上并且可以由介电层25围绕。第一衬底20可以与第二衬底21基本上齐平，即第一衬底20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其包括：/n第一衬底，所述第一衬底具有第一表面；/n第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底间隔开一定间隙并且具有第二表面；/n第一重新分布层，所述第一重新分布层安置在所述第一表面和所述第二表面上；以及/n第一重新连接层，所述第一重新连接层安置在所述第一重新分布层与所述间隙之间，/n其中所述第一衬底通过所述第一重新连接层电连接到所述第二衬底。/n

【技术特征摘要】
20191112 US 16/681,5001.一种半导体封装结构，其包括：
第一衬底，所述第一衬底具有第一表面；
第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底间隔开一定间隙并且具有第二表面；
第一重新分布层，所述第一重新分布层安置在所述第一表面和所述第二表面上；以及
第一重新连接层，所述第一重新连接层安置在所述第一重新分布层与所述间隙之间，
其中所述第一衬底通过所述第一重新连接层电连接到所述第二衬底。


2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一重新分布层包含具有第一投影区域的第一导电衬垫，并且其中所述间隙具有与所述第一投影区域重叠的第二投影区域。


3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其进一步包含：
第一端子，所述第一端子安置在所述第一表面上；以及
第二端子，所述第二端子安置在所述第二表面上，其中所述第二端子的中心线和所述第一端子的中心线具有一定距离，
其中所述第一重新分布层进一步包含第二导电衬垫，所述第二导电衬垫与所述第一导电衬垫间隔开一定间距，并且
其中所述距离减去所述间隙的宽度基本上等于所述间距。


4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一重新连接层跨所述间隙安置。


5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包含介电层，所述介电层安置在所述间隙中。


6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中所述介电层包含陷窝，所述陷窝从所述介电层的上表面并且在所述间隙之上凹入。


7.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中所述第一衬底包含具有第一边缘的第一导电层，并且其中所述第一边缘与所述介电层接触。


8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包含第二重新分布层，其中所述第一衬底进一步具有第三表面，并且所述第二衬底进一步具有第四表面，并且其中所述第二重新分布层安置在所述第三表面和所述第四表面上。


9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其进一步包含第二重新连接层，所述第二重新连接层安置在所述第二重新分布层与所述第三表面和所述第四表面中的至少一个表面之间，其中所述第一衬底通过所述第二重新连接层电连接到所述第二衬底。


10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一衬底和所述第二衬底是经分割衬底，其中所述经分割衬底由一或多个母衬底单切而来。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71